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[实用新型]智能型系统调温节能控制器-CN200520079046.3无效
发明人： 李成明;李季;李琦 -专利权人：陕西成明环保科技有限公司
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： F24D19/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种在供冷和供热循环系统中调节温度的控制器，通过在外网系统中增加一旁路系统，分流外网系统中一部分水流，由一个电动调温阀来控制分流部分的循环水量，同时由控制箱内的单片机总控系统，根据室外的温度变化高低情况，自动进行数据运算，保证系统管网出水温度的恒定，可达到节约能源的效果，结构简单，控制方便灵活。
智能型系统调温节能控制器

[发明专利]一种对出口产品进行检验检疫的电子监管系统及方法-CN200510036070.3无效
发明人：仲德昌;詹少彤;李辉;邓旭旗;郭文业;曲晖;李成明;杨正文;游洪 -专利权人：中华人民共和国广东出入境检验检疫局
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种对出口产品进行检验检疫的电子监管系统及方法，包括通过网络相互连接的检验检疫端和生产企业端，且设置有企业自控体系认可模块、生产信息自动监测及纠偏处理记录模块、合格评定模块、检验检疫监管模块；通过上述模块对企业的产品质量以及生产过程进行监控，同时对于产品的检验检疫可实现企业自检以及检验检疫机关审核相结合的方式，提高了检验检疫的效率，也从产品的源头上抓质量，适合推广使用。
一种出口产品进行检验检疫电子监管系统方法

[实用新型]强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置-CN200420121006.6无效
发明人：唐伟忠;李成明;吕反修;陈广超;佟玉梅;宋建华;刘素田 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种强电流直流电弧等离子体化学气相沉积装置，由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测控装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本实用新型的优点在于：寿命与结构稳定性将可获得大幅度的改善并可靠性提高。
电流直流电弧等离子体化学沉积装置

[实用新型]一种金刚石膜热化学抛光夹具-CN200520022774.0无效
发明人：陈广超;周有良;吕反修;李成明;唐伟忠;宋建华;佟玉梅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：本实用新型属于无机非金属材料领域，特别涉及一种应用在对金刚石膜片进行热化学抛光加工时所采用的夹持装置，尤其适于要求夹具做旋转运动的工况下使用。抛光夹具由齿轮(1)、键(2)、夹套(3)组成；夹套(3)放入齿轮(1)中，用键(2)连接。使用时将将金刚石膜片置入夹套之中，金刚石膜片与夹套间无固定约束，键与金刚石膜之间根据需要加不同重量的金属块，对金刚石膜施加载荷，齿轮和键同时作为载荷施加在陶瓷夹套上，保证陶瓷夹套和抛光盘紧密接触，减少夹具与抛光盘之间的空隙，从而避免金刚石膜片在旋转抛光过程中从夹具与抛光盘之间的空隙处滑脱，且金刚石膜片不随抛光夹具旋转，只是在金属块的压力下与抛光盘做平动运动，不会对金刚石膜造成损害。
一种金刚石热化学抛光夹具

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作工艺-CN200410003647.6无效
发明人：路秀真;常秀兰;李成明;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-02-05 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
电泵浦边发射半导体激光器制作工艺

[实用新型]密封式可分离型圆柱滚子轴承-CN200420069689.5无效
发明人：刘伟齐;李成明 -专利权人：瓦房店冶金轴承集团有限公司;刘伟齐
申请日： 2004-07-04 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： F16C33/78 文献下载
摘要：一种密封式可分离型圆柱滚子轴承，在可分离型圆柱滚子轴承两套圈之间靠近端面的部分设有由金属骨架和密封胶圈构成的密封机构。骨架基体外周边上设有可卡在外圈挡边内表面上的定位凸缘，设在骨架上的密封胶圈其有可与内圈接触的密封唇。骨架基体内周边上设有可卡在内圈挡边内表面上的定位凸缘，设在骨架上的密封胶圈其有可与外圈接触的密封唇。本实用新型不仅保持了现有轴承的安装方式、承载能力、转速不变、温升不超过使用要求等各项性能，而且还具有良好的密封性能，大大增加了它的使用寿命及可靠性，既使在有大量粉尘和水的恶劣环境中运行，其使用寿命也是现有轴承的3－10倍。本实用新型的密封机构可在设备拆卸维修期间由用户自行手工更换。
密封可分离圆柱滚子轴承

[发明专利]电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法-CN200310123450.1无效
发明人：陆秀真;常秀兰;李成明;刘峰奇;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2003-12-29 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
电泵浦边发射半导体激光器制作方法

[发明专利]一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法-CN200410101846.0无效
发明人：唐伟忠;李成明;吕反修;陈广超;宋建华;佟玉梅;樊凤玲;黑立富;刘素田 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C23C16/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种在硬质合金工具上制备金刚石涂层的方法。采取等离子体CVD技术，由含有氢、碳和硅元素的气体混合物为反应气体，在硬质合金工具上沉积含有金刚石相和硅的金刚石涂层；其中，硅是在金刚石涂层的CVD过程进行的同时，被沉积到金刚石涂层中以及金刚石涂层与硬质合金工具的界面处的；硅元素在金刚石涂层与硬质合金工具界面处的存在与富集使金刚石涂层对硬质合金工具形成高的附着力。所述的CVD技术包括：微波等离子体CVD技术、热丝CVD技术、直流电弧等离子体CVD技术。本发明的优点在于：有效地提高金刚石涂层的附着力并简化了涂层的制备工艺。
一种硬质合金工具制备金刚石涂层方法

[发明专利]直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法-CN200410101845.6无效
发明人：唐伟忠;李成明;吕反修;陈广超;佟玉梅;宋建华;刘素田 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： C23C16/503 文献下载
摘要：本发明提供了直流电弧等离子体化学气相沉积装置及金刚石涂层方法。该涂层装置由阴极部分、阳极、真空室、真空泵系统、压力测控装置、直流电弧弧柱、制品架、电源、磁场线圈组成；阴极部分(1)和阳极(8)处于圆桶状真空室(2)轴线的两端；一对磁场线圈(12)、(13)同轴地处于真空室(2)外的上下两侧；真空室(2)与真空泵系统(3)、压力测量和控制装置(4)由真空管路相连接。阴极部分(1)由阴极杆(6)、阴极体(7)、保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)以及绝缘体(17)、(18)所组成；在保护气体通道体(14)、反应气体通道体(15)的下方是阴极喷口(16)。本发明的优点在于：寿命与结构稳定性将大幅度的改善并可靠性提高，显著的改善金刚石涂层质量。
直流电弧等离子体化学沉积装置金刚石涂层方法

[发明专利]一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法-CN200410009500.8有效
发明人： 李成明;李惠青;吕反修;唐伟忠;陈广超;宋建华;佟玉梅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-08-31 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备大面积高质量金刚石膜中抗裂纹的方法，选择抗热震性好的高纯石墨做衬底，过度层采用两类热膨胀系数差异较大的化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo，形成双重过渡层；第一种过度层沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；第二种过渡层的过渡为易于生长金刚石的过渡层，沉积物包括化合物SiC、TiN、CrN、ZrN，非金属Si或金属Ti、Cr、Zr、V、W、Mo；化合物或金属过渡层的沉积方法为化学气相沉积或物理气相沉积；在石墨衬底通过沉积双重过渡层，再沉积金刚石膜。本发明的优点在于不会产生衬底的穿透性裂纹，保持石墨衬底和沉积金刚石膜的完整。
一种制备大面积质量金刚石膜中抗裂纹方法

[发明专利]密封式可分离型圆柱滚子轴承-CN200410020908.5有效
发明人：刘伟齐;李成明 -专利权人：瓦房店冶金轴承集团有限公司;刘伟齐
申请日： 2004-07-04 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： F16C33/78 文献下载
摘要：一种密封式可分离型圆柱滚子轴承，在可分离型圆柱滚子轴承两套圈之间靠近端面的部分设有由金属骨架和密封胶圈构成的密封机构。骨架基体外周边上设有可卡在外圈挡边内表面上的定位凸缘，设在骨架上的密封胶圈其有可与内圈接触的密封唇。骨架基体内周边上设有可卡在内圈挡边内表面上的定位凸缘，设在骨架上的密封胶圈其有可与外圈接触的密封唇。本发明不仅保持了现有轴承的安装方式、承载能力、转速不变、温升不超过使用要求等各项性能，而且还具有良好的密封性能，大大增加了它的使用寿命及可靠性，既使在有大量粉尘和水的恶劣环境中运行，其使用寿命也是现有轴承的3－10倍。本发明的密封机构可在设备拆卸维修期间由用户自行手工更换。
密封可分离圆柱滚子轴承

[发明专利]7－氯－2－氧代庚酸的合成方法-CN200410053098.3无效
发明人：陈新志;石晓华;金放鸣;李成明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-07-17 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： C07C59/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种7－氯－2－氧代庚酸的合成方法，以1－溴－5－氯－戊烷为主要起始原料，其合成路线如图：用本发明的合成方法，是将1－溴－5－氯－戊烷制成单格氏试剂后与草酸二乙酯进行加成反应，然后水解得到7－氯－2－氧代庚酸。反应只需两步，工艺简单，反应条件温和，成本较低，总收率可达到43.0％。
庚酸合成方法

[发明专利]S－(+)－2,2－二甲基环丙烷甲酰胺的合成方法-CN200410017680.4无效
发明人：陈新志;石晓华;金放鸣;李成明 -专利权人：浙江大学;台州市东东医药化工有限公司
申请日： 2004-04-12 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： C07C233/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种S－(+)－2，2－二甲基环丙烷甲酰胺的合成方法，以异戊烯酸为主要起始原料，依次经酯化、环丙烷化、水解、酰化、成盐、部分结晶、氨解反应制成。用本发明的合成方法，反应时间短，反应条件温和，工艺简单，总收率＞15％，ee＞95.6％。
甲基丙烷甲酰胺合成方法

[发明专利]一种金刚石涂层Al₂O₃电子陶瓷基片制备技术-CN200310103181.2无效
发明人：唐伟忠;赵中琴;吕反修;李成明;陈广超;佟玉梅 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石涂层Al₂O₃电子陶瓷基片制备技术，其特征在于：首先采用等离子体CVD技术，制备一种含有金刚石相的复相过渡层，过渡层的制备是以含有碳、氢、硅、氧元素的气体混合物为反应气体，在Al₂O₃陶瓷基片上沉积出一层含有金刚石相和SiO₂的复相薄膜；然后再采用等离子体CVD技术，在复相薄膜上，进一步沉积出金刚石涂层。本发明的优点在于：所获得的金刚石涂层Al₂O₃陶瓷基片热导率高、涂层附着力好、制备方法简单、制备成本较低。
一种金刚石涂层 al sub 电子陶瓷制备技术