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[发明专利]在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法-CN202110384444.X在审
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N‑DBR层、有源区、限制层和P‑DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；一体成型于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及，电连接于所述外延结构的正电极和负电极。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的半导体光学结构。
级别集成 vcsel 器件制备方法

[发明专利]在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法-CN202110384449.2在审
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件和VCSEL器件的制备方法。所述VCSEL器件包括：基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，其中，所述光学调制部用于对从所述VCSEL激光单元的N‑DBR层出射的激光进行调制。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了用于形成并出射激光的VCSEL激光单元和用于调制所述VCSEL激光单元出射的激光的半导体光学结构。
级别集成 vcsel 器件制备方法

[发明专利]VCSEL芯片及其制造方法-CN202011520057.6有效
发明人：郭铭浩;陈信男;王立;李念宜;王朝成;田志伟 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本申请提供一种VCSEL芯片及其制造方法。所述VCSEL芯片包括多个相互串联的子芯片，每个所述子芯片包括预设数量的VCSEL单元，所述子芯片之间具有预防各所述子芯片产生的热量对其相邻的子芯片的输出光功率产生影响的预设间距，通过这样的配置，所述VCSEL芯片能够在相对较小的电流驱动下，实现较大的光功率输出，并且，所述VCSEL芯片具有良好的高温表现能力。
vcsel 芯片及其制造方法

[发明专利]单片集成式VCSEL芯片及其制备方法-CN202011505791.5在审
发明人：姚毅飞;王立;李念宜;林珊珊 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种单片集成式VCSEL芯片，其包括第一衬底；形成于所述第一衬底上的第一VCSEL单元，所述第一VCSEL单元包括位于其上部区域的第一P‑DBR层；形成于所述第一VCSEL单元的所述第一P‑DNR层上的第二衬底；以及，形成于所述第二衬底上的第二VCSEL单元，其中，所述第一VCSEL单元被配置为投射具有第一波长的激光，所述第二VCSEL单元被配置为投射具有第二波长的激光。这样，所述单片集成式VCSEL芯片能够多波长宽光谱激光输出。
单片集成 vcsel 芯片及其制备方法

[实用新型]排布紧密的垂直腔面发射激光器-CN202123428907.2有效
发明人：邵泓焰;朱洪力;郭铭浩;林珊珊;白粉丽;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种排布紧密的垂直腔面发射激光器，包括：隔离层，隔离层包括多边形的主体部以及设置在多边形的各个角部的附加部；金属层，金属层具有多个间隔设置的P型接触电极，多个P型接触电极分别设置在多边形的主体部的不同的角部及对应角部的附加部上，且P型接触电极均朝向背离主体部的中心的方向延伸；电介质通孔层，电介质通孔层设置在P型接触电极远离主体部的一侧，电介质通孔层具有多个电介质通孔，多个电介质通孔与多个P型接触电极一一对应设置，以使得P型接触电极的至少一部分裸露；多个氧化沟槽，氧化沟槽的至少一部分位于相邻的P型接触电极之间。本实用新型解决了现有技术中垂直腔面发射激光器存在不能小型化的问题。
排布紧密垂直发射激光器

[发明专利]VCSEL芯片的制备方法-CN202210096687.8在审
发明人：郭铭浩;周圣凯;赖威庭;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括：步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；步骤S20：获取VCSEL芯片的限制层的氧化速率；步骤S30：根据预设氧化图形和氧化速率确定氧化沟渠的各个位置的宽度或深度；步骤S40：在预设时间内，在限制层上氧化出氧化图形。本发明解决了现有技术中的VCSEL芯片的偏振设计成本较高的问题。
vcsel 芯片制备方法

[实用新型]在晶圆级别集成的VCSEL器件-CN202120727996.1有效
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、第一反射器、有源区、限制层和第二反射器，其中，所述限制层具有对应于所述有源区的限制孔；一体成型于所述外延结构的上表面或下表面的光学元件；以及，电连接于所述外延结构的正电极和负电极。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的光学元件。
级别集成 vcsel 器件

[发明专利]VCSEL芯片的制备方法-CN202111677638.5在审
发明人：郭铭浩;周圣凯;赖威庭;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL芯片的制备方法。VCSEL芯片的制备方法包括：步骤S10：获取VCSEL芯片的预设氧化图形；步骤S20：获取VCSEL芯片的限制层的不同方向的氧化速率；步骤S30：根据预设氧化图形和VCSEL芯片的不同方向的氧化速率确定各个氧化开孔的大小和位置；步骤S40：在预设时间内，在限制层上氧化出氧化图形。本发明解决了现有VCSEL技术中形成偏振的设计较难的问题。
vcsel 芯片制备方法

[发明专利]单片集成式VCSEL芯片-CN202010919648.4在审
发明人：郭铭浩;林珊珊;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本申请涉及一种单片集成式VCSEL芯片，其包括第一VCSEL子芯片，所述第一VCSEL芯片包括以第一阵列布设的多个第一VCSEL单元；以及与所述第一VCSEL子芯片单片集成地第二VCSEL子芯片，所述第二VCSEL子芯片包括以第二阵列布设的多个第二VCSEL单元；其中，所述第一VCSEL子芯片与所述第二VCSEL子芯片在结构上共用N‑DBR结构。这样，所述单片集成式VCSEL芯片在晶圆级别上实现将多个VCSEL芯片进行单片地集成，以使得其能够兼具不同的VCSEL芯片各自的优势，且具有相对较小的整体尺寸。
单片集成 vcsel 芯片

[发明专利]具有多个堆叠活性区的VCSEL设备-CN202110733243.6在审
发明人： R.F.卡森;李念宜;M.E.沃伦;T.法宁;G.巴钦 -专利权人：朗美通经营有限责任公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：描述了用于实现串联连接的单芯片垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列的方法、设备和系统。在一个方面，单个芯片包括一个或多个位于导电层上的非导电区，以产生多个电分离的导电区。每个电分离区可以具有多个VCSEL元件，包括串联连接的阳极区和阴极区。芯片连接到具有金属化图案的基板，金属化图案串联地连接导电层上的每个电分离区。在一个方面，金属化图案将第一电分离区的阳极区连接到第二电分离区的阴极区。金属化图案还可以包括切口，该切口保持每个导电层区上的阳极和阴极区之间的电分离，并且与蚀刻区对准。
具有堆叠活性 vcsel 设备

[发明专利]组合式VCSEL芯片-CN202010598726.5在审
发明人：郭铭浩;林珊珊;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请涉及一种组合式VCSEL芯片，其包括第一VCSEL芯片，所述第一VCSEL芯片和第二VCSEL芯片，所述第一VCSEL芯片和所述第二VCSEL芯片背对设置，以使得所述第一VCSEL芯片的激光出射方向与所述第二VCSEL芯片的激光出射方向相反，所述第一VCSEL芯片与所述第二VCSEL芯片共用负极导电层。这样，所述组合式VCSEL芯片，在结构层面集成不同型号的VCSEL芯片，以具有不同型号的VCSEL芯片的优势，且具有相对较小的厚度尺寸。
组合式 vcsel 芯片

[实用新型]在晶圆级别集成的VCSEL器件-CN202120730565.0有效
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：基底层、VCSEL激光单元和夹设于所述基底层和所述VCSEL激光单元之间的半导体光学结构。所述半导体光学结构包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，其中，所述光学调制部用于对从所述VCSEL激光单元的N‑DBR层出射的激光进行调制。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了用于形成并出射激光的VCSEL激光单元和用于调制所述VCSEL激光单元出射的激光的半导体光学结构。
级别集成 vcsel 器件

[实用新型]在晶圆级别集成的VCSEL器件-CN202120730638.6有效
发明人：郭铭浩;王立;李念宜 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：公开了一种在晶圆级别集成的VCSEL器件，其中，所述VCSEL器件包括：外延结构，其自下而上依次包括：衬底、N‑DBR层、有源区、限制层和P‑DBR层，其中，所述限制层形成用于限制发光孔径的限制孔；一体成型于所述外延结构上的半导体光学结构，其中，所述半导体光学结构，包括：光学调制部和包覆所述光学调制部的保护部，所述光学调制部对应于所述限制孔；以及，电连接于所述外延结构的正电极和负电极。所述VCSEL器件在晶圆级别上集成了VCSEL激光器和用于调制VCSEL激光器出射的激光的半导体光学结构。
级别集成 vcsel 器件

[发明专利]外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法-CN202010448728.6在审
发明人：林珊珊;王立;李念宜;姚毅飞;郝宇杰;李姗姗 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种外腔式VCSEL激光器、VCSEL阵列和激光器的制备方法。所述外腔式VCSEL激光器通过配置合适的发光孔径和/或腔长和/或反射膜，以输出满足预设要求的亮度，制造工艺简单、成本较低。
外腔式 vcsel 激光器阵列制备方法

[发明专利]可分区导通的VCSEL激光光源及其制备方法和驱动方法-CN202010330883.8在审
发明人：林珊珊;郭铭浩;李念宜;王立;姚毅飞;李姗姗;郝宇杰 -专利权人：浙江睿熙科技有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种可分区导通的VCSEL激光光源、制备方法及驱动方法。该光源包括：VCSEL阵列；形成于所述VCSEL阵列顶部的顶部电导通图案，以及，形成于所述VCSEL阵列底部的底部电导通图案。所述VCSEL阵列，包括相互电隔离的多个VCSEL单元，其中每一VCSEL单元自下而上包括衬底、底部反射器、有源区、具有开孔的限制层、顶部反射器和欧姆接触层。所述底部电导通图案包括第一电导通图案和第二电导通图案，其中所述第一电导通图案电连接于所述多个VCSEL单元中的第一子集，以及，所述第二电导通图案电连接于所述多个VCSEL单元中的第二子集。这样，所述激光光源通过负极布线的方式实现分区导通，以解决散热难题并能够适应不同的应用场景。
分区 vcsel 激光光源及其制备方法驱动