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[实用新型]一种外延结构的GaN基材料发光二极管-CN201020697904.1有效
发明人：王立彬;李志翔 -专利权人：同方光电科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种外延结构的GaN基材料发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比，本实用新型结合外延技术，在外延过程中，使切割道部分不再外延出GaN材料，从而使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。
一种外延结构 gan 基材发光二极管

[实用新型]一种新型麻醉导管固定器-CN201020140443.8无效
发明人： 李志翔;宋伟 -专利权人： 李志翔
申请日： 2010-03-21 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： A61M16/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型麻醉导管固定器，属于麻醉气管导管固定装置领域，包括导管，其中，在导管上端设有套管，在套管两侧设有侧翼，在侧翼上设有固定带，套管侧壁为半连接状态，与现有技术相比，本实用新型具有有效地固定导管防止滑脱、避免导管被咬折或折弯等优点。
一种新型麻醉导管固定器

[实用新型]一种新型椎间盘钻-CN201020137327.0无效
发明人：宋伟;郑成秀;李志翔 -专利权人：宋伟
申请日： 2010-03-18 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： A61B17/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型椎间盘钻，属于医疗手术器械领域，包括手柄和钻杆，其中，手柄与钻杆呈T形，在钻杆下端设有钻头，钻头与钻杆螺纹相接，与现有技术相比，本实用新型具有容易穿透纤维环、便于更换、节省手术时间、减轻患者痛苦等特点。
一种新型椎间盘

[发明专利]一种电极用钨合金条的生产方法-CN200610022270.8有效
发明人：杨晓青;田丹;李志翔;吴永学;柳兴光;余静 -专利权人：自贡硬质合金有限责任公司
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：该发明属于电极用钨合金条的生产方法，包括：配制稀土硝酸盐溶液，制稀土掺杂蓝钨，还原处理，压坯，烧结及垂熔。该方法以比表面积大、表面裂纹发达的蓝钨为原料，将高纯度稀土硝酸盐溶于去离子水作为添加剂；在生产过程中料浆蒸发干燥方式采用先低温搅拌蒸发、再采用较高温度蒸发干燥以避免因直接采用高温干燥，掺杂物急剧析出而造成偏析；掺杂蓝钨及钨粉颗粒松散、粒度符合正态分布、成型性好，烧结物物理性能及后续加工性能优良。因而具有工艺先进、可靠、流程短、产品中稀土分布均匀、质量稳定，机加工及使用性能优良并可用于大规模工业化生产等特点。克服了背景技术掺杂效果及质量的稳定性、成型性、后续加工及使用性能差等弊病。
一种电极用钨合金条生产方法

[发明专利]发光半导体装置的缓冲层-CN200410008637.1有效
发明人：黄登凯;李志翔 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光半导体装置的缓冲层，是由复数层氮化金属层堆叠形成于蓝宝石基板上所构成。此缓冲层为先在高温下以氨气使蓝宝石(sapphire)基板表面进行氮化，以形成一氮化铝(AlN)金属层，接着再于此氮化铝(AlN)金属层上，通过有机金属原料与氨气于高温下反应，以成长出复数层氮化金属层，从而获得高品质、低缺陷的缓冲层。
发光半导体装置缓冲

[发明专利]发光二极管结构-CN200410006387.8有效
发明人：黄登凯;李志翔 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有建构式氧化薄膜接触层的发光二极管结构。此发光二极管结构是架构于一基板上，包含一形成于此基板上的缓冲层、一形成于此缓冲层上的下束缚层、一形成于此下束缚层上的发光层、一形成于此发光层上的上束缚层、一形成于此上束缚层上的建构式氧化薄膜接触层，其导电性可为P型、N型或I型，以及第一电极与第二电极(透明电极)，其中透明电极形成于建构式氧化薄膜接触层上，作为发光二极管的阳极。第一电极则形成于下束缚层上，并与发光层、上束缚层、接触层及透明电极隔离，作为发光二极管的阴极。
发光二极管结构