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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110495917.3在审
发明人： C·托马斯;李士敬 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体的处理性能。等离子体处理装置包括等离子体处理腔室、基片支承部、源RF生成部、偏置RF生成部。基片支承部配置在等离子体处理腔室内。源RF生成部与等离子体处理腔室结合，生成包含多个源循环的脉冲源RF信号。各源循环具有源运行状态和源未运行状态。偏置RF生成部与基片支承部结合，生成脉冲偏置RF信号。脉冲偏置RF信号具有具备与多个源循环相同的脉冲频率的多个偏置循环，各偏置循环具有偏置运行状态和偏置未运行状态。各偏置循环中的向偏置运行状态的转变时刻相对于对应的源循环中的向源运行状态的转变时刻延迟。
等离子体处理方法装置

[发明专利]高电压金属氧化物半导体装置-CN200610094035.1有效
发明人：吴华书;洪丰基;陈鸿霖;李士敬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种高电压金属氧化物半导体装置，包含一栅极结构，设置于一半导体基底上方；一对绝缘间隙物，分别设置于该栅极结构的侧壁上；以及一对悬浮非绝缘间隙物，分别嵌入于该绝缘间隙物中，其中各该悬浮非绝缘间隙物借由该绝缘间隙物与该栅极结构及该半导体基底隔离。通过本发明，热载流子造成抵抗力下降现象可明显的改善，进而改善组件传输电导(G_m)及饱和漏极电流(I_dsat)下降现象。
电压金属氧化物半导体装置

[发明专利]图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法-CN200310102322.9无效
发明人：黄政阳;李士敬;林佩筠;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法，该图案化金属层的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有数个元件结构，以及与这些元件结构所对应的数个内连线结构；之后，在基底上方形成介电层；接着，在介电层上形成金属材料层；然后对金属材料层进行电浆蚀刻制程，形成图案化的金属层，其中电浆蚀刻制程是以较低功率变压偶合式电浆进行，所以可解决现有技术中晶圆中心与晶圆边缘处的介电层其过度蚀刻程度不一致的问题。本发明可降低晶圆中心处与边缘处的介电层其过度蚀刻程度的差异性，另可使得晶圆中心处与边缘处的介电层被移除的厚度一致，还可使反应室的温度保持一致，而可提高晶圆中心处与晶圆边缘处的过度蚀刻速率的一致性。
图案金属方法连线制造