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[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200710169621.2有效
发明人：董承远;李佑俊 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2007-11-05 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其可消除或减少液晶显示器画面的闪烁及残影等现象。所提供的薄膜晶体管阵列基板包括：包括多条数据线、与数据线相互交叉设置的多条栅极线以及设置于所述数据线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极，其中数据线位于数据线层，而栅极线位于栅极线层，所述数据线层与栅极线层之间设有栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的介电常数随所述栅极绝缘层相对于栅极线输入端的距离的增加而增大。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板,制造方法及含该基板的液晶显示装置-CN200710162379.6有效
发明人：董承远;李佑俊 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条信号线、与信号线相互交叉设置的多条栅极线、像素电极以及薄膜晶体管，其中设置在信号线层与栅极线层之间的栅极绝缘层具有被注入离子元素而形成的离子注入区域。本发明还揭示了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。该方法包括：形成栅极线和信号线；形成栅极绝缘层；形成薄膜晶体管，其源极与由栅极线和信号线相互交叉所确定的像素区域中的像素电极电性连接和其漏极与信号线电性连接；在该栅极绝缘层的部分区域注入离子元素并形成离子注入区域。采用本发明的薄膜晶体管阵列基板和制造方法，可以降低栅极绝缘层的介电常数，以此来降低馈通电压和减小直流偏压，并提高液晶面板的显示效果。
薄膜晶体管阵列制造方法液晶显示装置

[发明专利]一种硼酸铝晶须的制备方法-CN200410012603.X无效
发明人：张东明;傅正义;郭景坤;俞仕杰;李佑俊 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2004-01-02 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼酸铝晶须的制备方法。一种硼酸铝晶须的制备方法，利用固相反应方法制备硼酸铝晶须，其特征是：利用[NH₄Al(SO₄)₂·12H₂O]和NH₄HCO₃，为原料制备Al₂O₃前驱体，将这种前驱体包覆在纳米TiB₂表面，形成复合粒子；在加热过程中，纳米TiB₂中的B被氧化为B₂O₃，这种B₂O₃颗粒细小，呈无定形态，活性很强，并被吸附在絮状Al₂O₃前驱体内；随着加热温度的升高，在1000℃～1200℃复合粒子逐渐生长为硼酸铝晶须。本发明在1000℃～1200℃的低温度下，通过固相反应获得硼酸铝晶须。
一种硼酸铝晶须制备方法