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[发明专利]直流总线控制系统-CN201880074799.5在审
发明人：山下大之;杉山正和;津野克彦;小池佳代;藤井克司;和田智之 -专利权人：国立研究开发法人理化学研究所
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H02J1/00 文献下载
摘要：一种对连接输入电源和负载的直流总线的电力波动进行控制的直流总线控制系统，包括：主稳定装置，具有第1充放电元件和第1电力转换器；和至少一个亚稳定装置，具有第2充放电元件、充电元件或放电元件、及第2电力转换器。第1电力转换器被构成为，求出基于第1充放电元件的储电量指标的总线电压目标值，并以使直流总线的电压与总线电压目标值一致的方式，在第1充放电元件和直流总线之间进行直流电力的双向传输。第2电力转换器被构成为，根据与第2充放电元件、充电元件或放电元件的充电或放电相关的阈值和直流总线的电压之间的差来求出电流目标值，并以使与电流目标值相等的电流流入第2充放电元件、充电元件或放电元件的方式在第2充放电元件、充电元件或放电元件和直流总线之间进行直流电力的传输。
直流总线控制系统

[发明专利]半导体发光元件-CN201580061116.9有效
发明人：后藤明辉;杉山正和;M·玛尼施 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：半导体发光元件。一种半导体发光元件，其具有包括第一发光层和第二发光层的发光功能层。第一发光层具有：第一基底层，其具有多个第一基底区段，多个第一基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，并且被分割成随机网状；第一量子阱层，其保留了第一基底区段的区段形状，并且形成在第一基底层上；以及第一势垒层，其具有平坦化的平坦表面，第一基底层和第一量子层被嵌入在第一势垒层下方。第二发光层具有：第二基底层，其具有从第一势垒层接受应力应变的组分，并且具有被划分为随机网状的多个第二基底区段；第二量子阱层，其保留了第二基底区段的区段形状，并且形成在第二基底层上；以及第二势垒层，其形成在第二量子阱层上。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201580060112.9有效
发明人：藤井优作;杉山正和;M·玛尼施 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有：第一导电类型的第一半导体层；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上并且为与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从所述第一半导体层接受应力应变的组分，并且被分割成随机网状；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层包括形成在所述基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述基底层具有Al_xGa_1‑xN(0≤x≤1)组分。所述至少一个势垒层具有Al_yGa_1‑yN(0≤y<1)组分。组分x和组分y满足关系x>y。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201580060377.9有效
发明人：藤原崇子;杉山正和;M·玛尼施 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，所述半导体发光元件具有第一发光层和第二发光层。第一发光层具有：基底层，所述基底层具有多个基底区段，所述多个基底区段具有从第一半导体层接受应力应变的组分，所述基底区段被分割成随机网格图案；以及第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层保留了所述多个基底区段的区段形状，并且包括形成在基底层上的至少一个量子阱层和至少一个势垒层。所述第二发光层具有：第二量子阱结构层，所述第二量子阱结构层包括至少一个量子阱层和多个势垒层，所述多个势垒层具有与所述第一量子阱结构层中的至少一个势垒层不同的组分；以及槽，所述槽在所述多个势垒层中最靠近所述第一发光层侧的端部势垒层的表面上，保留了所述区段形状。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件-CN201580060595.2有效
发明人：十川博行;杉山正和;M·玛尼施 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。
半导体发光元件

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法-CN201310343762.7有效
发明人：秦雅彦;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良纯 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]微细构造的形成方法以及具有微细构造的基体-CN201180008346.0有效
发明人：额贺理;寒川诚二;杉山正和 -专利权人：株式会社藤仓;技术研究组合BEANS研究所;国立大学法人东京大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：在本发明的微细构造的形成方法中，准备具有加工适合值的基板；对上述基板的内部，以接近于上述基板的上述加工适合值的照射强度，将具有皮秒级以下的脉冲时间宽度的激光在由上述激光的传播方向和与上述激光的偏振方向（电场方向）垂直的方向构成的平面内进行照射；在上述激光聚光的焦点以及离该焦点近的区域形成构造改性部；对上述构造改性部选择性地进行蚀刻处理，形成由微细孔构成的微细构造。
微细构造形成方法以及具有基体

[发明专利]表面微细构造的形成方法以及具有表面微细构造的基体-CN201180008380.8无效
发明人：额贺理;山本敏;寒川诚二;杉山正和 -专利权人：株式会社藤仓;技术研究组合BEANS研究所;国立大学法人东京大学
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B23K26/32 文献下载
摘要：一种表面微细构造的形成方法，该方法包括：第一工序，准备具有加工合适值的基板，以接近于上述基板的上述加工合适值的照射强度、或者以加工合适值以上且烧蚀阈值以下的照射强度，对与上述基板的表面接近的部分照射具有皮秒量级以下的脉冲时间宽度的激光，在上述激光聚光的焦点以及接近于该焦点的区域中以自组织的方式形成周期性地配置第一改性部与第二改性部的周期构造；和第二工序，通过对形成有上述周期构造的上述基板的表面进行蚀刻处理，形成使上述第一改性部为凹部的凹凸构造。
表面微细构造形成方法以及具有基体

[发明专利]半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法-CN200980148632.X有效
发明人：秦雅彦;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良纯 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体装置-CN200980109236.6有效
发明人： 杉山正和;霜垣幸浩;秦雅彦;市川磨 -专利权人：国立大学法人东京大学;住友化学株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体-绝缘体界面的界面能级降低后的半导体基板及其制造方法以及半导体装置。提供的半导体基板具有：含砷的3至5族化合物的半导体层以及氧化物、氮化物或氮氧化物的绝缘层。其是在所述半导体层与所述绝缘层之间检测不出砷的氧化物的半导体基板。在该第一方案中，半导体基板可以是在以存在于所述半导体层与所述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法的光电子强度分光观察中，在起因于砷的元素峰值的高结合能量侧检测不出起因于氧化的砷的氧化物峰值的半导体基板。
半导体制造方法装置

[外观设计]吸尘器-CN94300939.1无效
发明人： 杉山正和;中村雅博;藤井伸裕 -专利权人：夏普公司
申请日： 1994-01-28 - 公布日： 1995-01-04 - 主分类号： 15-05 文献下载
摘要：A—A剖视图__机体倾斜的右视图__立体图1__立体图2
吸尘器

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