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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201910774259.4在审
发明人：赵允锺;权世明;朴志容;成硕济 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：第一有源图案，包括硅半导体；第一绝缘层，覆盖第一有源图案；第一栅电极，设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，覆盖第一栅电极；栅极布线图案，设置在第二绝缘层上并且包括下层和上层，下层包括钛或钛合金，上层包括钼或钼合金；第三绝缘层，覆盖栅极布线图案；以及第二有源图案，设置在第三绝缘层上并且包括氧化物半导体。
显示装置及其制造方法

[发明专利]在衬底和对应结构中选择性地嵌入磁性材料的方法-CN201910152147.5在审
发明人：徐澄;李圭伍;赵俊楠;R·贾因;朴志容;S·瓦德拉曼尼;金瑞暎 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01F27/02 文献下载
摘要：本文公开了在衬底和对应结构中选择性地嵌入磁性材料的方法。实施例包括一种电感器，其包括电感器迹线和围绕电感器迹线的磁体。在实施例中，磁体包括第一台阶表面和第二台阶表面。附加的实施例包括包含阻挡层的电感器。在实施例中，电感器迹线形成在阻挡层的第一表面之上。实施例包括处于电感器迹线和阻挡层的第一表面之上的第一磁体和处于阻挡层的与第一表面相对的第二表面之上的第二磁体。在实施例中，第二磁体的宽度大于第一磁体的宽度。
电感器迹线阻挡层第一表面磁性材料台阶表面电感器衬底嵌入第二表面

[发明专利]用于将磁性材料作为第一层嵌入在无芯基底上的方法以及对应的结构-CN201910150806.1在审
发明人：徐澄;李圭伍;赵俊楠;R.贾因;朴志容;S.瓦德拉马尼;金瑞暎 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：实施例包括一种电子封装，所述电子封装包括：包括电介质材料的第一层和在所述第一层之上的第二层，其中所述第二层包括磁性材料。在实施例中，在第二层之上形成第三层，其中所述第三层包括电介质材料。在实施例中，所述第三层完全覆盖第二层的第一表面。在实施例中，第一导电层和第二导电层被嵌入在第二层内。在实施例中，第一导电层和第二导电层的侧壁是大体上竖直的。
第三层第一层第二导电层第一导电层电介质材料磁性材料电子封装嵌入第一表面侧壁基底竖直无芯

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备-CN201110006612.8有效
发明人：卢成仁;朴志容;朴庆珉;朴真爽;姜声洲 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-01-10 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示设备。薄膜晶体管包括形成基板上的半导体层、形成在包括所述半导体层的基板上的栅极绝缘层、形成在所述半导体层上方的栅极绝缘层上的栅电极，连接到所述半导体层的源电极和漏电极，以及形成在与栅电极交叠的半导体层上的3.5至4.5个突起。可以通过调整突起的数目以最小化泄漏电流和缺陷来防止薄膜晶体管故障和显示设备的图像质量变差。
薄膜晶体管制造方法具有显示设备

[发明专利]具有改进的白平衡的平板显示器及其制造方法-CN200810110246.9有效
发明人：具在本;朴志容;朴商一;金得钟 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-04-13 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种平板显示器，包括多个像素，每个所述像素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且每个所述单位像素包括一晶体管，其中所述R、G和B单位像素之中至少一个单位像素的晶体管包括由具有不同膜性能的硅层制成的沟道区。本发明还涉及制造平板显示器的方法。
具有改进白平衡平板显示器及其制造方法

[发明专利]图像信号处理设备及其方法-CN200710096486.3有效
发明人： 朴志容;任祥均;赵明珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H04N5/21 文献下载
摘要：公开了一种图像信号处理设备及其方法。所述图像信号处理设备包括：随机产生单元，通过使用线性反馈移位寄存器(LFSR)为在预定周期输入的多个帧产生种子值；抖动处理单元，通过使用随机产生单元产生的种子值对输入图像信号执行抖动。用这种结构，所述设备可不使用帧缓冲器而执行抖动，从而实现高分辨率的图像。
图像信号处理设备及其方法

[发明专利]显示设备及其控制方法-CN200710128117.8无效
发明人： 朴志容;任祥均;赵明珍;亚历山大·阿纽夫安科 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H04N5/57 文献下载
摘要：提供了一种控制方法和显示设备。所述控制方法包括：将显示部件分为多个部分；按照部分检测与输入视频信号的灰度级相应的输出亮度级；按照部分通过计算校准系数并将计算的校准系数应用到各个检测的输出亮度级来转换输出亮度级，以将各个检测的输出亮度级的最大亮度级控制在允许亮度级；和基于各个转换的亮度级与参考亮度级的比较创建校准表。所述显示设备包括：显示部件，包括多个部分；信号处理部件；和控制器，按照部分检测输出亮度级，转换输出亮度级，并创建校准表。
显示设备及其控制方法

[发明专利]具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置-CN200610121898.3有效
发明人： 朴志容;李乙浩;具在本;李基龙;朴惠香 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，其包括：开关薄膜晶体管，用于传输数据信号；以及驱动薄膜晶体管，用于驱动有机场致发光装置，使得一定量的电流根据数据信号流经有机场致发光装置，其中，对于单位面积的有源沟道，形成在驱动薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数比形成在开关薄膜晶体管的有源沟道区中并与电流方向线相交的多晶硅晶界的平均数大至少一个或更多个。
具有多晶薄膜晶体管平板显示装置

[发明专利]平板显示装置-CN200610121900.7有效
发明人： 朴志容;李乙浩;具在本;李基龙;朴惠香 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种平板显示装置，包括绿色、红色和蓝色像素区，以及用于驱动每个像素并具有相同的有源沟道长度和宽度的驱动薄膜晶体管，其中对于每个像素，包括于驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅晶界数彼此不同。
平板显示装置

[发明专利]互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管及具有其的显示装置-CN200610121899.8有效
发明人： 朴志容;李乙浩;具在本;李基龙;朴惠香 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-12 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体薄膜晶体管以及具有其的显示装置。该薄膜晶体管的特征在于，P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管具有不同的包括于有源沟道区中的多晶硅主晶界数，并且包括于P型薄膜晶体管中的晶界数比包括于N型薄膜晶体管中的晶界数小至少一个或更多个。
互补金属氧化物半导体薄膜晶体管具有显示装置

[发明专利]多晶硅薄膜、其制法以及用该膜制造的薄膜晶体管-CN200610121897.9有效
发明人： 朴志容;朴惠香 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-02-05 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm²，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
多晶薄膜制法以及制造薄膜晶体管

[发明专利]平板显示装置和互补金属氧化物半导体-CN200610110090.5有效
发明人： 朴志容;具在本;朴惠香;李基龙;李乙浩 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置和互补金属氧化物半导体。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。
平板显示装置互补金属氧化物半导体

[发明专利]中间矢量内插方法和执行该方法的三维显示装置-CN200610094580.0无效
发明人：河泰铉;金在锡;朴志容;李元宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种中间矢量内插方法和执行该方法的三维显示装置。一种使用从第一摄像机连续接收的第一帧和第三帧以及从第二摄像机连续接收的第二帧和第四帧产生第一帧和第二帧之间的中间图像的方法，包括：以块为单位计算和求和第一帧与第三帧之间的像素值差；确定块的中心像素是否具有运动；计算与第一帧和第二帧之间的运动矢量相对应的当前视差矢量，并计算与第三帧和第四帧之间的运动矢量相对应的在前视差矢量；和如果该块的中心像素具有运动，则使用当前视差矢量产生中间图像，和如果所述块的中心像素没有运动，则计算在前视差矢量的中间值并使用在前视差矢量的中间值产生中间图像。
中间矢量内插方法执行三维显示装置

[发明专利]平板显示器-CN200510137064.7有效
发明人：具在本;朴志容;朴商一;金慧东 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-01-20 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。
平板显示器

[发明专利]多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备-CN200410103815.9有效
发明人： 朴志容;朴惠香 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及制造多晶硅薄膜的方法，其中使用具有激光可透图形组和激光不可透图形组的混合结构的掩膜，通过激光使非晶硅结晶，其中掩膜包括两个或者多个点图形组，其中不可透图形垂直于扫描方向轴，且点图形组具有一定的形状，并且包括第一不可透图形，其在垂直于扫描方向轴的方向上各自地不排成一列，以及与第一不可透图形相同布置地形成的第二不可透图形，但以使第二不可透图形与第一不可透图形平行并平行于与扫描方向轴垂直的轴的方式被定位。
多晶薄膜制造方法以及使用设备

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