专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201910530743.2有效
  • 丁少锋;朴小螺;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-19 - 2023-10-20 - H01L23/00
  • 可以提供一种半导体器件,其包括:衬底,具有第一表面和面对第一表面的第二表面,衬底具有通路孔,通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸;在通路孔中的穿通通路;在衬底的第一表面上的半导体部件;以及内部缓冲结构,与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间,内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸,内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。
  • 半导体器件制造方法

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