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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器装置-CN202111303361.X在审
发明人：郑承宰;朴光浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括衬底以及包括交替地堆叠在衬底上的字线和层间绝缘图案的堆叠件。字线在第一方向上延伸。半导体图案与字线交叉，并且具有平行于第二方向的纵向轴。半导体图案在第一方向和第三方向上彼此间隔开。位线在第三方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。位线中的每一条接触半导体图案的在第三方向上彼此间隔开的第一侧表面。包括分别设置在竖直相邻的层间绝缘图案之间并且接触与第一侧表面相对的第二侧表面的数据存储元件以及设置在衬底的位于堆叠件的两侧的部分中的衬底杂质层。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202110339130.8在审
发明人：郑承宰;朴光浩;金哉勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一半导体图案和第二半导体图案，第二半导体图案与第一半导体图案在竖直方向上分开；第一位线和第二位线，第一位线电连接到第一半导体图案的第一源/漏区，第二位线电连接到第二半导体图案的第一源/漏区；字线结构，与第一半导体图案和第二半导体图案接触；以及第一数据存储元件和第二数据存储元件，第一数据存储元件电连接到第一半导体图案的第二源/漏区，第二数据存储元件电连接到第二半导体图案的第二源/漏区，其中，第一半导体图案和第二半导体图案是单晶的，其中，第一半导体图案的晶体取向不同于第二半导体图案的晶体取向。
半导体存储器装置

[实用新型]一种农田进出水口灌排用塑料马门-CN202120403649.3有效
发明人： 朴光浩 -专利权人：青岛海义尔橡塑有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： E02B13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种农田进出水口灌排用塑料马门，其特征在于，包括底座本体和插板，所述底座本体包括开口朝上的U形水渠，所述底座本体上设置有容置插板的插接部，所述插板可沿插接部的延伸方向滑动的与插接部连接，在农田蓄水状态下，通过驱动所述插板相对插接部滑动可调整插板顶面高度，用以抬高或降低农田水位，在农田非蓄水状态下，通过驱动所述插板相对插接部滑动可连通农田和水渠用以放水。本实用新型结构简单、耐候性强、维护成本低，且在实现排放水功能的同时还可起到控制农田水位高低的作用，应用推广性好。
一种农田进出水口灌排用塑料

[发明专利]半导体存储器件-CN202110183995.X在审
发明人：郑承宰;金哉勋;朴光浩;孙龙勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸的栅电极、在第三方向上延伸并连接到位线的半导体图案、以及电容器。电容器包括连接到半导体图案的第一电极以及在第一电极和第二电极之间的电介质膜。第一方向或第二方向垂直于衬底的上表面。第一电极包括平行于衬底的上表面的上板区域和下板区域以及连接上板区域和下板区域的连接区域。第一电极的上板区域和下板区域中的每个包括彼此面对的上表面和下表面。电介质膜沿着第一电极的上板区域和下板区域中的每个的上表面和下表面延伸。
半导体存储器件

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202011036910.7在审
发明人：孙龙勋;金哉勋;朴光浩;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，每个层包括半导体图案、在该半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到该半导体图案的数据存储元件；多个竖直绝缘体，穿透堆叠结构，该竖直绝缘体沿第一方向布置；以及位线，设置在堆叠结构的一侧处并竖直延伸。位线将堆叠的半导体图案电连接。竖直绝缘体中的每一个包括彼此相邻的第一竖直绝缘体和第二竖直绝缘体。栅电极包括设置在第一竖直绝缘体与第二竖直绝缘体之间的连接部分。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202011029630.3在审
发明人： 朴光浩;金哉勳;孙龙勳;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一‑第一导线，位于基底上；第二‑第一导线，位于第一‑第一导线上；第一接触件，连接到第一‑第一导线；以及第二接触件，连接到第二‑第一导线，其中，第一‑第一导线在第一方向上突出超过第二‑第一导线，第一‑第一导线包括具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小，并且第一‑第一导线的第二区域在第一‑第一导线的第一区域与第一‑第一导线的第三区域之间。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010738503.4在审
发明人：金哉勳;朴光浩;孙龙勳;宋炫知;李耕希;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置可以包括：位线，在第一方向上延伸；第一导电图案，在与第一方向相交的第二方向上延伸；半导体图案，将位线与第一导电图案连接；第二导电图案，包括位于第一导电图案中的插入部；以及介电层，位于第一导电图案与第二导电图案之间。第二导电图案的插入部可以具有随着距半导体图案的距离增大而增大的宽度。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202010902350.2在审
发明人：孙龙勋;金哉勋;朴光浩;宋炫知;李耕希;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件。该器件包括：在衬底上的外围电路结构；在外围电路结构上的半导体层；在半导体层上的电极结构，该电极结构包括堆叠在半导体层上的电极；垂直沟道结构，其穿透电极结构并且连接到半导体层；分离结构，其穿透电极结构，在第一方向上延伸并且将电极结构的电极水平地分成一对电极；覆盖电极结构的层间绝缘层；以及穿透层间绝缘层并且电连接到外围电路结构的贯穿接触。
半导体存储器件

[实用新型]一种用于模内注塑的充电模组结构及模具-CN201720649136.4有效
发明人：董正华;张俊林;胡茂发;刘娟娟;肖时超;朴光浩 -专利权人：东莞华晶粉末冶金有限公司;广东劲胜智能集团股份有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于模内注塑的充电模组结构，包括固定座和固定地安装在所述固定座上的一组导电触针，各导电触针之间绝缘隔离，所述固定座的尺寸小于产品壳体注塑模具上用于放置充电模组结构的凹槽的尺寸。本实用新型能够减少注塑模具压模风险，有利于模内注塑时触针的植入，优化了作业程序，提高了生产良率和效率，提升了模具使用寿命。
一种用于注塑充电模组结构模具

[发明专利]芦荟酒及其制备方法-CN93114255.5无效
发明人：朴光日;朴胜吉;朴光浩;朴英子 -专利权人：吉林省延边长白山参珠酒厂
申请日： 1993-11-10 - 公布日： 1994-06-08 - 主分类号： A61K35/78 文献下载
摘要：一种酒类饮料及其制备方法，将经过粉碎的芦荟置于蜂蜜和白酒之中进行浸泡，随之对其进行过滤，将其芦荟浸提液置于贮存罐内备用，用白酒对芦荟浸提液进行调制，使其酒精度为36度，随之用砂糖和柠檬酸对其进行调制，经过滤后，装瓶包装。它具有杀菌、消炎收敛、抗溃疡、复活细胞、促进血液循环、扩张毛细血管、促进内分泌、利尿、镇痛等作用。
芦荟及其制备方法

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