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[发明专利]具有不对称的源极与漏极的晶体管-CN202011606617.X在审
发明人：李文君;谷曼;朱宝富 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有不对称的源极与漏极的晶体管，揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。栅极结构延伸于半导体本体上方，第一源/漏区包括位于该半导体本体的第一部分上的外延半导体层，且第二源/漏区位于该半导体本体的第二部分中。该栅极结构包括第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁，该第一源/漏区位于邻近该栅极结构的该第一侧壁，且该第二源/漏区位于邻近该栅极结构的该第二侧壁。该第一源/漏区具有第一宽度，且该第二源/漏区具有大于该第一宽度的第二宽度。
具有不对称晶体管

[发明专利]高压和模拟双极器件-CN201711011586.1有效
发明人： J·辛格;朱宝富 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明涉及高压和模拟双极器件。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及高压、模拟双极器件以及制造方法。该结构包括：形成在衬底中的基极区；形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的集电极区；以及形成在衬底中并且包括深n阱区和n阱区的发射极区。
高压模拟器件

[发明专利]具有在源极/漏极区域中的扩散阻挡层的设备-CN201710070548.7有效
发明人： S·M·潘迪;赵沛;朱宝富;F·L·贝尼斯坦特 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有在源极/漏极区域中的扩散阻挡层的设备，其方法包括形成定义于半导体材料中的沟道区域上方的栅极电极结构。该半导体材料被凹陷至源/漏区域中。第一材料外延生长于该源/漏区域中。该第一材料包括具有第一浓度的掺杂物种类。扩散阻挡层形成于该第一材料上方的该源/漏区域中。第二材料外延生长于该扩散阻挡层上方的该源/漏区域中。该第二材料包括具有大于该第一浓度的第二浓度的该掺杂物种类。
具有区域中的扩散阻挡设备

[实用新型]一种可手动旋转的漆包线涂漆装置-CN201920562756.3有效
发明人：董桂香;李丹波;朱宝富 -专利权人：南通远景电工器材有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B05C1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及涂漆装置技术领域，且公开了一种可手动旋转的漆包线涂漆装置，包括底座，所述底座顶部的一侧设有第一固定板，且第一固定板一侧的底部设有固定机构，所述固定机构背面设有上线筒，所述底座的顶部设有支撑板，且支撑板另一侧的顶部设有中空杆，且中空杆的另一侧设有调节杆，所述中空杆背面的另一侧设有螺栓，且螺栓的一端设有螺母，所述调节杆底部的另一侧设有漆刷。该可手动旋转的漆包线涂漆装置，通过中空杆、调节杆、螺栓和螺母之间的相互配合，便于更好的确保掉落的涂漆液能回收至回收箱的内部，从而解决了在涂漆的过程中部分涂漆液会滴落在装置，进而导致装置的表面需要经常进行清理的问题，提高了对涂漆液的回收性。
中空杆涂漆螺栓调节杆螺母漆包线涂漆固定机构手动旋转固定板支撑板底座本实用新型底座顶部涂漆装置回收箱回收性掉落滴落漆刷上线液能背面回收配合

[发明专利]一种耐冷媒漆包铝圆线-CN201910396185.5在审
发明人：董桂香;朱宝富;唐浩 -专利权人：南通远景电工器材有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01B7/42 文献下载
摘要：本发明涉及绕组线技术领域，且公开了一种耐冷媒漆包铝圆线，包括铝导线，所述铝导线的外部滴浸有耐冷媒滴浸漆，所述耐冷媒滴浸漆的内部固定安装有散热管，所述耐冷媒滴浸漆的外部缠绕有聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜的外部绕包有玻璃丝层，所述玻璃丝层的外部涂有耐冷媒漆，所述耐冷媒漆的外部涂有可焊性聚酯亚胺漆。该耐冷媒漆包铝圆线，通过铝导线和耐冷媒滴浸漆、散热管的相互配合，散热管的内部为中空的，便于对耐冷媒滴浸漆内部进行散热，并且采用多个直径小的铝导线来替代一整个直径较大的铝线，更能够将铝导线上的热量散发。
耐冷媒铝导线浸漆漆包铝圆线散热管外部聚酰亚胺薄膜玻璃丝层聚酯亚胺漆铝线内部固定热量散发可焊性绕组线中空的散热绕包缠绕替代配合

[实用新型]一种布料烘干前的加湿设备-CN201821306005.7有效
发明人： 朱宝富 -专利权人：桐乡市恒源印染有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： D06B1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种布料烘干前的加湿设备，包括加湿器和运输管道，所述加湿器上具有两条竖直呈平行设置的出湿气管，所述出湿气管顶端设置有第一L型管，两个出湿气管分别与两条水平方向上平行设置的运输管道以第一L型管连接，所述第一L型管与运输管道通过螺纹连接，两条所述运输管道沿其延伸方向上均开设有一排间隔设置的孔洞，所述孔洞分别位于布料两侧，且与布料相对，所述运输管道顶端螺纹连接可封闭管道开口的端盖，解决不同季节环境下，布料中水分含量达不到烘干要求的问题。
运输管道湿气管布料孔洞布料烘干加湿设备平行设置加湿器本实用新型顶端螺纹顶端设置管道开口间隔设置螺纹连接可封闭端盖烘干竖直延伸

[发明专利]电阻随机存取存储器及制作方法-CN200810113661.X无效
发明人：鲍震雷;朱宝富 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-29 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻随机存取存储器及制作方法。所述电阻随机存取存储器包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间，并且与所述第一电极和第二电极邻接的具有二元电阻特性的电阻层，其中所述具有二元电阻特性的电阻层包括相邻接的P型层和N型层，所述P型层的材料包括具有P型半导体电学特性，且有氧缺陷的金属氧化物，组成所述金属氧化物的金属具有多种价态，所述N型层的材料包括具有N型半导体电学特性，且有氧缺陷的金属氧化物，组成所述金属氧化物的金属具有多种价态。所述电阻随机存取存储器在从低阻状态转换为高阻状态的过程中，电流较小，功耗较低。
电阻随机存取存储器制作方法

[发明专利]一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法-CN200810033362.5有效
发明人： 朱宝富;施雪捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明提供了一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中，该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开。现有技术中两相邻N阱的离子浓度峰值位置深于上层隔离P阱，致使两相邻N阱间可通过硅衬底穿通漏电，从而使漏电流过大和击穿电压过小。本发明的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法通过离子注入工艺在上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱。采用本发明后两相邻N阱间的漏电流由N阱间的穿通电流主导变为N/P阱间的PN结漏电流主导，从而降低了两相邻N阱间的漏电流，在保持器件电学特性的同时大大提高了两相邻N阱间的击穿电压。
一种提高相邻击穿电压方法

[发明专利]一种可降低长沟道MOS管漏电流的半导体器件制作方法-CN200810033048.7无效
发明人： 朱宝富 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供了一种可降低长沟道MOS管漏电流的半导体器件制作方法，该半导体器件包括长沟道MOS管和短沟道MOS管，其制作在已制成场隔离区的硅衬底上。现有技术中采用高能量和高剂量的单步晕注入工艺致使所制成的晕注入结构与轻掺杂漏结构相邻区域的浓度梯度过大从而造成长沟道MOS管的漏电流过大。本发明中的晕注入工艺包括第一步晕注入和第二步晕注入，其中，第二步晕注入的注入能量和注入角度均大于该第一步晕注入的注入能量和注入角度。采用本发明可降低晕注入结构和轻掺杂漏结构相邻区域的浓度梯度，从而可有效降低两者间的漏电流，进而在不影响短沟道MOS管性能的前提下大大降低了长沟道MOS管的漏电流。
一种降低沟道 mos 漏电半导体器件制作方法

[发明专利]双镶嵌结构的制作方法-CN200710040380.1有效
发明人：梁昆约;熊涛;朱宝富 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成覆盖层、内层介质层和阻挡层；刻蚀内层介质层和阻挡层形成连接孔；在连接孔内以及阻挡层上形成第一底部抗反射层；直至阻挡层上的第一底部抗反射层被完全去除；在连接孔内以及阻挡层上形成第二底部抗反射层；刻蚀第二底部抗反射层，形成第三底部抗反射层，所述第三底部抗反射层位于连接孔内；刻蚀阻挡层和内层介质层形成沟槽，沟槽的位置与连接孔的位置对应并与连接孔连通；去除阻挡层和第三底部抗反射层，并去除连接孔内的覆盖层直至暴露半导体衬底，形成双镶嵌结构。所述方法可以避免在形成金属布线结构之后覆盖层和内层介质层之间发生剥离现象。
镶嵌结构制作方法

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