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[发明专利]SiO粉末的制造方法及球形颗粒状SiO粉末-CN201980056749.9在审
发明人：竹下浩树;柏谷悠介;藤田刚央;木崎信吾 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明旨在高效且经济地制造一种SiO粉末，该SiO粉末为没有棱角的球形颗粒状且粒径小，并且由杂质引起的污染程度也很低。将作为SiO气体产生原料(9)的Si和SiO2的混合物装入坩埚(2)内。在减压条件下，加热坩埚(2)内部的混合物以产生SiO气体。使产生的SiO气体沉积于在坩埚(2)上旋转的析出基体(5)上。当将沉积在析出基体(5)上的SiO析出物(10)通过刀片(7)刮取时，刀片(7)的尖端与析出基体(5)的表面分离，以将沉积在析出基体(5)上的SiO析出物(10)的一部分残留在析出基体(5)上，同时将剩余的SiO析出物(10)通过刀片(7)刮取，并作为SiO粉末(11)回收。
sio 粉末制造方法球形颗粒状

[发明专利]含锂氧化硅粉末-CN201780011461.0有效
发明人：竹下浩树;木崎信吾;柏谷悠介 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明提供一种含锂氧化硅粉末，其能避免伴随Li掺杂的安全性下降，同时能够最大限度地抑制在湿式洗净中成为问题的电池性能的下降。为了实现该含锂氧化硅粉末，对于粉末粒子剖面，以包括粒子表面且具有50像素×50像素以上的分辨率的1μm见方的视场，求出进行EELS测量时的Li‑K边缘域和Si‑L边缘域的光谱强度。并且将在所述视场下的粒子最外表面的一列的累计强度中的Li‑K边缘域的累计强度设为ILi(s)、Si‑L边缘域的累计强度设为ISi(s)时的ILi(s)/(ILi(s)+ISi(s))设为R(s)。而且将在与所述视场下的粒子最外表面向内侧隔开500nm处的近表面的一列的累计强度中的Li‑K边缘域的累计强度设为ILi(i)、Si‑L边缘域的累计强度设为ISi(i)时的ILi(i)/(ILi(i)+ISi(i))设为R(i)。此时，所述含锂氧化硅粉末满足R(s)/R(i)1。
氧化粉末

[发明专利]含Li氧化硅粉末及其制造方法-CN201680045512.7有效
发明人：竹下浩树;木崎信吾;柏谷悠介 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明制造一种含Li氧化硅粉末，其包含结晶化的硅酸锂，该硅酸锂大多为非水溶性的Li2Si2O5，而且结晶性Si少。为此，当将以组成式SiOx(0.5x1.5)表示的低级氧化硅粉末与锂粉末源混合时，对锂粉末源进行微粉碎。低级氧化硅粉末的中值粒径D1及锂粉末源的中值粒径D2满足0.05≤D2/D1≤2。在300℃以上且800℃以下对混合粉末进行烧成。
li 氧化粉末及其制造方法

[发明专利]锂离子二次电池的负极用粉末和其制造方法-CN201580067978.2有效
发明人： 木崎信吾;柏谷悠介;竹下浩树 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：一种锂离子二次电池的负极用粉末，其包含含有Li的硅氧化物粉末。以该粉末整体的平均组成计，将Li与Si与O的摩尔比设为y：1：x时，满足0.5α射线的X射线衍射测定时，将源自Li₂SiO₃的峰高设为P1、将源自结晶性Si的峰高设为P2、将源自Li₄SiO₄的峰高设为P3时，满足P2/P1≤1.0的关系，且满足P3/P1≤1.0的关系。该粉末用于锂离子二次电池的负极时，可以提高初始效率和长期循环下的容量维持率。
锂离子二次电池负极粉末制造方法

[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末、使用其的锂离子二次电池负极及电容器负极、以及锂离子二次电池及电容器-CN201280008150.6无效
发明人：安田幸司;木崎信吾;下崎新二 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种锂离子二次电池负极材料用粉末，其特征在于，在低级氧化硅粉末的表面上具有导电性碳皮膜，设在上述低级氧化硅粉末中的1个粒子的24处测定的上述导电性碳皮膜的厚度的平均值为ta，设标准偏差为σ，将碳皮膜的厚度的变动系数F定义为F＝σ/ta时，10个粒子的F的平均值Fa满足0.01≤Fa≤0.4。导电性碳皮膜所占的比例优选为0.5质量％以上且10质量％以下。用TPD-MS测定的焦油成分的总含有率优选为1质量ppm以上且3500质量ppm以下，比电阻优选为10000Ωcm以下。此外，优选在XRD测定中来自SiOx的晕圈的最大值P1与Si(111)的最强线峰的值P2满足P2/P1＜0.01。由此，能够提供在放电容量大、且循环特性良好、并且可耐受实用水平下的使用的锂离子二次电池中使用的负极材料用粉末。
锂离子二次电池负极材料粉末使用电容器以及

[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末、使用其的锂离子二次电池负极及电容器负极、以及锂离子二次电池及电容器-CN201180056950.0无效
发明人：安田幸司;木崎信吾;下崎新二 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：一种锂离子二次电池负极材料用粉末，其中在低级氧化硅粉末的表面具有导电性碳皮膜，该氧化硅粉末的粒度分布中，1μm≤D50≤20μm、D50与D10满足1.4≤D50/D10≤2.4。分别优选导电性碳皮膜的厚度为1.5nm以上且7.5nm以下；利用BET法测定的比表面积为0.3m2/g以上且7.0m2/g以下；前述导电性碳皮膜所占的比例为0.5质量％以上10质量％以下。优选利用TPD-MS测定的焦油成分的总计含有率为1质量ppm以上4000质量ppm以下、XRD测定中来自SiOx的晕圈的最大值P1与Si(111)的最强线峰的值P2满足P2/P1＜0.01。由此，能够提供放电容量大、且循环特性良好、能够耐于实用水平使用的锂离子二次电池中所用的负极材料用粉末。
锂离子二次电池负极材料粉末使用电容器以及

[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末、锂离子二次电池负极和电容器负极、以及锂离子二次电池和电容器-CN201180049094.6有效
发明人：安田幸司;藤田刚央;木崎信吾;下崎新二 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供包含低级氧化硅粉末的锂离子二次电池负极材料用粉末，在用于负极材料的锂离子二次电池中，初次充电时在以Li为基准计0.45～1.0V具有充电电势，由此可得到放电容量大、且循环特性良好、能够耐受实用水平的使用的锂离子二次电池。此处，初次充电时的充电电势为以Li基准计0.45～1.0V是指观察到由Li硅酸盐的生成所导致的势坪，在负极材料均匀地生成Li硅酸盐。本发明的负极材料用粉末通过初次充电时在以Li为基准计0.45～1.0V具有充电电势，由此充放电时负极材料被细细地粉碎、能够抑制循环特性降低，而成为良好。本发明的负极材料用粉末优选在其表面具有导电性碳覆膜，导电性碳覆膜所占的比例优选为0.2～10质量％。
锂离子二次电池负极材料粉末电容器以及

[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末、锂离子二次电池负极及电容器负极、以及锂离子二次电池及电容器-CN201180035454.7无效
发明人：安田幸司;木崎信吾;下崎新二 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：锂离子二次电池负极材料用粉末在低级氧化硅粉末的表面具有导电性碳皮膜，其特征在于，由BET法测定的比表面积大到超过0.3m2/g，且为40m2/g以下，在由使用CuKα线的XRD测定的情况下，在2θ＝35.6°±0.1°处不存在SiC的峰值或峰值的半值幅宽为2°以上。优选，锂离子二次电池负极材料用粉末中的导电性碳皮膜所占的比例为0.2质量％以上2.5质量％以下。优选，低级氧化硅粉末的电阻率为100000Ωcm以下，优选，在XRD测定中因SiOx产生的晕圈的最大值P1与Si(111)的最强线峰值的值P2满足P2/P1＜0.01。由此，能够提供在放电容量大且循环特性良好并且能够耐受实用等级的使用的锂离子二次电池中使用的负极材料用粉末。
锂离子二次电池负极材料粉末电容器以及

[发明专利]锂离子二次电池负极材料用粉末、锂离子二次电池负极和电容器负极、以及锂离子二次电池和电容器-CN201180029372.1有效
发明人：安田幸司;木崎信吾;下崎新二 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2011-06-03 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01M10/052 文献下载
摘要：本发明提供一种在放电容量大且循环特性良好、并且可耐受实用水平下的使用的锂离子二次电池中使用的负极材料用粉末。本发明的锂离子二次电池负极材料的特征在于，是在低级氧化硅粉末的表面具有导电性碳皮膜的锂离子二次电池负极材料用粉末，其中，发生了SiC化的Si的含有率为15.1wt％以下，或者在将利用酸溶解法测得的Si含有率设为A1(wt％)、将用碱溶解法测得的Si含有率设为A2(wt％)、使A3＝A2-A1时，A3≤15.1，并且为30000Ωcm以下。前述低级氧化硅粉末在利用使用了CuKα线的XRD进行测定的情况下，在2θ＝10°～30°处出现的来自SiOx的晕的最大值P1、和在2θ＝28.4±0.3°处出现的Si(111)的最强线峰的值P2满足P2/P1＜0.01。另外，焦油成分的含有率优选为1ppm以上、4000ppm以下。
锂离子二次电池负极材料粉末电容器以及

[发明专利]SiO_X及使用其的阻挡膜用蒸镀材料及锂离子二次电池用负极活性物质-CN201080044453.4无效
发明人：菅野英明;木崎信吾 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2010-10-04 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明提供一种SiOx，在其升温脱气分析中，于200～800℃的温度范围检测到的H2O气体产生量为680ppm以下。在此，H2O气体产生量进一步优选为420ppm以下。另外，在通过X射线衍射而得到的图中，优选在2θ＝28°附近产生的Si峰值点处的峰值强度P1和根据峰值点前后的平均斜度设定的峰值点处的基本强度P2满足(P1-P2)/P2≤0.2。通过将本发明的SiOx用作蒸镀材料，在成膜时可抑制喷溅的产生，可形成气体阻挡性优异的蒸镀膜。另外，通过将本发明的SiOx用作为负极活性物质，可较高地维持锂离子二次电池的初始效率。
sio sub 使用阻挡膜用蒸镀材料锂离子二次电池负极活性物质

[发明专利]锂离子二次电池用负极活性物质-CN201080047206.X无效
发明人：菅野英明;木崎信吾 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2010-10-04 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：一种锂离子二次电池用负极活性物质，其特征在于，其包含SiOx，所述SiOx在200℃下进行真空排气处理后通过傅立叶变换红外分光装置测定的光谱中，位于3400～3800cm-1附近的来自硅烷醇基的峰A1的强度与位于1000～1200cm-1附近的来自硅氧烷键的峰A2的强度之比的值A1/A2为0.1以下。优选的是，所述SiOx的x为x＜1，在通过激光拉曼分光装置测定的所述SiOx的光谱中，不存在位于2100cm-1附近的来自Si-H键的峰A3，以及，在设所述SiOx整体的O与Si的摩尔比的值为X、设所述SiOx的表面附近的O与Si的摩尔比的值为Y的情况下，Y/X为0.98以下。通过使用该活性物质，能够得到具有高的初期效率及充放电容量的锂离子二次电池。
锂离子二次电池负极活性物质

[发明专利]硅氧化物及锂离子二次电池用负极材料-CN201080039819.9无效
发明人： 木崎信吾;菅野英明 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：一种硅氧化物，其特征在于，其是用于锂离子二次电池的负极活性物质中的以SiOx所示的粉末状的硅氧化物，使用具备作为光源的封入型光源、作为检测器的高速检测器的X射线衍射装置进行测定时，在20°≤2θ≤40°处检测到耙峰，在石英的最强线位置检测到峰，上述耙峰的高度P1和上述石英的最强线位置的峰的高度P2满足P2/P1≤0.05。通过利用该硅氧化物作为负极活性物质，能够得到具有稳定的初期效率及循环特性的锂离子二次电池。上述SiOx的x优选为0.7＜x＜1.5。此外，锂离子二次电池用负极材料含有20质量％以上该硅氧化物作为负极活性物质。
氧化物锂离子二次电池负极材料

[发明专利]硅氧化物和锂离子二次电池用负极材料-CN201080026923.4有效
发明人： 木崎信吾 -专利权人：株式会社大阪钛技术
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供一种硅氧化物，其特征在于，其为锂离子二次电池的负极活性物质中可以使用的硅氧化物，用ESR分光装置测定的g值为2.0020以上2.0050以下，且将用拉曼分光装置测定的拉曼光谱中的420cm-1附近、490cm-1附近和520cm-1附近的峰的面积强度分别设为A，B和C时，A/B为0.5以上且C/B为2以下。通过利用该硅氧化物作为负极活性物质，可以得到高容量、且具有优良的循环特性和初期效率的锂离子二次电池。该硅氧化物，优选自旋密度为1×1017spins/g以上5×1019spins/g以下。另外，锂离子二次电池用负极材料，含有20质量％以上的该硅氧化物作为负极活性物质。
氧化物锂离子二次电池负极材料

[发明专利]SiO蒸镀材料、SiO原料用Si粉末及SiO的制造方法-CN200580029459.3无效
发明人： 木崎信吾;西冈和雄 -专利权人：住友钛株式会社
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：一种SiO或SiO蒸镀材料，其特征在于氢气含量在120ppm以上，或者一种SiO蒸镀材料，其特征在于，氢气含量在150ppm以上，在向基质蒸镀SiO时，可以加快成膜速度，可以有效地形成SiO蒸镀膜。通过使这些原料用Si粉末的氢气含量在30ppm以上，在制造SiO时，可以加快升华速度，可以以低成本且高效率地制造。这样，本发明的SiO制造方法可以作为食品、医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料或具有SiO蒸镀膜的锂电池用电极材料的蒸镀材料的制造方法广泛使用。
sio 材料原料 si 粉末制造方法

[发明专利]SiO蒸镀材料、原料用Si粉末及SiO蒸镀材料的制造方法-CN200580029460.6无效
发明人：西冈和雄;木崎信吾 -专利权人：住友钛株式会社
申请日： 2005-08-09 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种SiO蒸镀材料，其特征在于氢气含量在50ppm以下，在向基质蒸镀SiO时，可以抑制飞溅的发生，可以形成透明性和阻隔性出色的SiO蒸镀膜。通过脱气处理使这些原料用Si粉末的氢气含量在10ppm以下，可以以低成本且高效率地制造氢气含量在50ppm以下的SiO蒸镀材料。这样，本发明的SiO制造方法可以作为医疗用品和医药品等具有透明性的同时还具有阻隔性的包装材料的蒸镀材料的制造方法广泛使用。
sio 材料原料 si 粉末制造方法

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