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[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202280016967.1在审
发明人： 有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。设置在漂移层(30)的外周沟槽(61)的宽度(W1)比中心沟槽(62)的宽度(W2)宽。外周沟槽(61)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状，外周沟槽(61)的内周壁(S2)比外周壁(S1)更接近垂直。由此，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202280016981.1在审
发明人： 有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的技术问题在于，防止使用氧化镓的肖特基势垒二极管的绝缘击穿。本发明的肖特基势垒二极管(11)具备：设置在半导体基板(20)上的漂移层(30)、阳极电极(40)和阴极电极(50)。阳极电极(40)的一部分隔着绝缘膜(63)埋入外周沟槽(61)和中心沟槽(62)内。绝缘膜(63)随着朝向外侧而外周沟槽(61)的深度方向上的厚度变厚，由此，埋入外周沟槽(61)的阳极电极(40)的外周壁(S1)具有随着朝向外侧而接近垂直的弯曲形状。其结果是，在施加了逆向电压的情况下，在外周沟槽(61)的外周底部产生的电场被缓和。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201980070324.3有效
发明人： 有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供不容易产生电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管，其包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；设置在漂移层(30)上的、在俯视时包围阳极电极(40)的绝缘层(80)；和与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)，其设置在位于阳极电极(40)与绝缘层(80)之间的漂移层(30)的表面、以及绝缘层(80)上。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880058896.5有效
发明人： 有马润;平林润;藤田实;川崎克己;井之口大辅 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201880069554.3有效
发明人： 有马润;平林润;藤田实;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)进行欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有设置于俯视时与阳极电极(40)重叠的位置的多个沟槽(60)。多个沟槽(60)中，位于端部的沟槽(60a)的宽度W2被选择性地扩大。由此，沟槽(60a)的底部的曲率半径扩大或在截面上观察沟槽(60a)的情况下，由底部构成的边缘部分分离为两个。其结果，施加在位于端部的沟槽(60a)的底部的电场被缓和，因此所以难以发生电击穿。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管和具备其的电子电路-CN201780068998.0有效
发明人：平林润;松尾裕;藤田实;有马润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的课题是在确保使用氧化镓的肖特基势垒二极管的机械强度和操作性的同时，抑制发热，提高散热性。解决该课题的方案是：本发明包括：由氧化镓构成的半导体基板(20)，其在第二表面(22)侧设置有凹部(23)；由氧化镓构成的外延层(30)，其设置在半导体基板的第一表面(21)上；阳极电极(40)，其设置在从层叠方向看与凹部(23)重叠的位置，与外延层(30)肖特基接触；和阴极电极(50)，其设置在半导体基板(20)的凹部(23)内，与半导体基板(20)欧姆接触。根据本发明，因为流动正向电流的部分的厚度有选择地变薄，所以能够在确保机械强度和操作性的同时，降低发热，提高散热性。因此，尽管使用热导率低的氧化镓，也能够抑制元件的温度上升。
肖特基势垒二极管具备电子电路

[发明专利]结晶制造方法、结晶制造装置及单晶-CN202210252469.9在审
发明人：川崎克己;有马润;藤田实;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶制造方法，其中，首先，将具备前端变细的前端部(1A)的原料(1)配置于结晶生长区域(2U)的上方；接着，将前端部(1A)的侧面在维持前端部(1A)的形状的同时利用向斜上方行进的辐射热选择性地加热使其熔融，从该侧面熔融的材料将前端部(1A)的侧面和结晶生长区域(2U)的上表面物理连接。在结晶制造装置中，原料熔融用辐射热是从电阻加热器(R)放射的。
结晶制造方法装置

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080087212.1在审
发明人： 有马润;藤田实;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止阳极电极与保护膜的界面的剥离。肖特基势垒二极管(11)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；和覆盖阳极电极(40)的保护膜(70)，保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内。这样保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内，因此，阳极电极(40)与保护膜(70)的密合性提高。由此，能够防止阳极电极(40)与保护膜(70)的界面的剥离。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN202080087234.8在审
发明人：藤田实;有马润;川崎克己;平林润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的课题在于在氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止由沟槽与场绝缘层的对准偏差引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；隔着绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁并且与阳极电极(40)电连接的金属膜(64)；以及场绝缘层(70)。场绝缘层(70)包含：位于漂移层(30)的上表面(31)与阳极电极(40)之间的第一部分(71)以及隔着金属膜(64)和绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁的第二部分(72)。由此，即使沟槽(61)与场绝缘层(70)的对准发生偏差，也不会发生绝缘破坏。
肖特基势垒二极管

[发明专利]单晶生长用坩埚、单晶制造方法及单晶-CN201980080253.5在审
发明人：川崎克己;平林润;藤田实;井之口大辅;有马润;近藤牧雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。
生长坩埚制造方法

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201980070323.9在审
发明人： 有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供不容易发生由电场集中导致的绝缘破坏的肖特基势垒二极管。基于本发明的肖特基势垒二极管包括：由氧化镓形成的半导体基板(20)；设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟槽(10)。位于阳极电极(40)与外周沟槽(10)之间的漂移层(30)的表面被与漂移层(30)相反导电型的半导体层(70)覆盖。
肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管-CN201980024311.2在审
发明人： 有马润;藤田实;平林润;佐佐木公平 -专利权人： TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种难以产生电场集中引起的绝缘破坏的肖特基势垒二极管，具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层30肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时包围阳极电极(40)的外周沟道(10)，外周沟道(10)利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)而埋入。这样，如果设置利用漂移层(30)的逆导电型的半导体材料(11)埋入的外周沟道(10)，则电场由于外周沟道(10)的存在而被分散。由此，能够缓和阳极电极(40)的角部的电场集中，因此，难以产生绝缘破坏。
肖特基势垒二极管

[发明专利]利用EFG法的单晶生长用的模具、利用EFG法的单晶生长方法及利用EFG法得到的单晶-CN201980018372.8在审
发明人：川崎克己;平林润;藤田实;井之口大辅;有马润;近藤牧雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明的利用EFG法的单晶生长用的模具具备：下表面，其浸渍于添加有杂质的原料熔融液中；矩形状的上表面，其与晶种相对且具有长边和短边；以及多个狭缝部，其从下表面向上表面延伸，且使原料熔融液从下表面上升至上表面。多个狭缝部的上表面处的开口部的长边方向各自相互平行，且相对于上表面的长边不平行。
利用 efg 生长模具方法得到

[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管及其制造方法-CN201980016365.4在审
发明人：佐佐木公平;藤田实;平林润;有马润 -专利权人：株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司;TDK株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。
沟槽 mos 型肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]铁氧体磁芯、电子部件以及电源装置-CN201510250244.X有效
发明人：冈义人;森健太郎;安原克志;有马润 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种铁氧体磁芯、电子部件以及电源装置。本发明提供在100℃附近的饱和磁致伸缩小并且驱动时的音鸣声被抑制而且饱和磁通密度高的铁氧体磁芯。本发明所涉及的铁氧体磁芯的特征为是一种包含换算成Fe2O3为51.5～54.5mol％的氧化铁、换算成ZnO为7.0～11.5mol％的氧化锌、以及剩余部分为氧化锰的主成分的MnZn类铁氧体磁芯；相对于该主成分，包含换算成NiO为500～10000ppm的Ni，包含换算成TiO2为100～6000ppm的Ti，包含换算成CoO为500～4000ppm的Co。
铁氧体电子部件以及电源装置

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