“有研国晶辉新材料有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果65个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种分光光学元件及其制备方法-CN202310926463.X在审
发明人：李欢欢;路淑娟;许宁;曹波;张云博;贾孟;龚效民;苏双喜;马志永;刘福奇;刘帅;张孝仁 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B5/26 文献下载
摘要：本发明涉及光学元件技术领域，具体涉及一种分光光学元件及其制备方法。该分光光学元件，包括：基底；基底的一表面设置有分光膜层；基底的另一表面设置有超低剩余反射膜层；其中，分光膜层包括从基底侧向外交替叠加至多37次的YbF3层和ZnS层，以及最外侧的Y2O3层。本发明的分光光学元件可实现0.7‑5μm波段光的高效分光，将0.7‑2μm波段的光高效反射截止，将3‑5μm波段的光高效透过。
一种分光光学元件及其制备方法

[发明专利]测量辅助平台以及透过率测试方法-CN202010158658.0有效
发明人：李欢欢;路淑娟;曹波;许宁;王伦;张萌 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N21/59 文献下载
摘要：本发明提供的一种测量辅助平台以及透过率测试方法，涉及光学设备技术领域，包括：旋转台，所述旋转台包括基体和转动体，所述转动体转动装配在所述基体上；所述转动体的顶部还开设有样品槽；遮光板，所述遮光板安装在所述转动体上，所述遮光板上开设有光路孔。在上述技术方案中，该测量辅助平台能够通过转动体相对于基体的旋转，快速的完成所需大角度透过率的测试工作，大大提高测量效率。
测量辅助平台以及透过测试方法

[发明专利]一种大口径深曲面红外窗口增透保护结构及其制备方法-CN202310840874.7在审
发明人：李欢欢;路淑娟;许宁;曹波;张云博;龚效民;贾孟;刘帅;尚鹏;苏双喜;马志永;刘福奇 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司;中国有研科技集团有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于玻璃技术领域，具体公开一种大口径深曲面红外窗口增透保护结构及其制备方法。本发明提供一种大口径深曲面红外窗口增透保护结构，包括基底，其上下表面分别对应设有过渡匹配层和增透膜层，所述匹配过渡层上设有硬质保护膜层；所述硬质保护膜层由基底向外依次包括第一阶梯渐变应力DLC层、第二阶梯渐变应力DLC层、第三阶梯渐变应力DLC层和第四阶梯渐变应力DLC层。本发明合理设计的大口径深曲面红外窗口增透保护结构，避免了大口径深曲面红外窗口在镀膜或长时间泡水易出现爆膜或脱膜的问题，还能提高大口径深曲面红外窗口增透保护结构的抗划伤性能、耐摩擦性能和高透过率，以及硬质保护膜层和基底的附着力。
一种口径曲面红外窗口保护结构及其制备方法

[发明专利]直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺-CN202310792282.2在审
发明人：张路;路淑娟;李欢欢;许宁;于洪国;曹波;马志永;苏双喜;张孝仁;杨哲;孔腾飞;刘志远;王蒙 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺，所述直拉法晶体生长过程中的杂质补掺工艺包括：A，通过降温放出肩部或者晶体回熔后保留肩部；B，将肩部提起第一预设高度，等待第一预设时间使肩部冷却；C，将晶体下放，使肩部边缘处于液面以下，给定埚转，晶转，稳定第二预设时间，再将肩部提出液面，观察肩部是否出现台阶状沟槽，如未出现，则重复步骤B、C；D，关闭埚转、晶转，将肩部提起至单晶炉的副室内，关闭主室和副室之间的插板阀，等待第三预设时间使肩部冷却；E，打开副室，将需要补掺的杂质放入台阶状沟槽内；F，关闭副室，抽空后，打开插板阀，将肩部降至液面以下进行熔化补掺。
直拉法晶体生长过程中的杂质工艺

[发明专利]硫系玻璃光学元件及其制备方法-CN202310528734.6在审
发明人：许宁;李欢欢;路淑娟;曹波;张云博 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本申请适用于光学薄膜技术领域，提供了硫系玻璃光学元件及其制备方法。该硫系玻璃光学元件包括：硫系玻璃基底以及分别形成于硫系玻璃基底两侧的保护膜和增透膜；增透膜包括自硫系玻璃基底的第一侧面逐层形成的第一ZnSe层、第一ZnS层、第一YbF3层和第二ZnS层；保护膜包括自硫系玻璃基底的第二侧面逐层形成的第二ZnSe层、第三ZnS层、第二YbF3层、第四ZnS层、Y2O3层和金属氮氧化物层。本申请以ZnSe材料作为基底过渡层，由于ZnSe与硫系玻璃基底成分组成较为接近，微观结构类似，因此ZnSe与硫系玻璃的结合力较好，能够明显提高基底与增透膜层的结合强度。保护膜最外层选用金属氮氧化物材料，膜层的机械性能和光学性能优异，且安全环保，成本低廉。
玻璃光学元件及其制备方法

[发明专利]石英容器熏碳装置及熏碳方法-CN202211447123.0有效
发明人：柴晨;马远飞;王博;刘志远;林泉;雷同光;郭伟才 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本申请涉及石英容器熏碳技术领域的一种石英容器熏碳装置及熏碳方法，熏碳装置包括：加热炉，加热炉内形成第一温区和第二温区；承载器，承载器穿过第一温区和第二温区，承载器内形成石英容器的承载腔，承载器位于第一温区远离第二温区的一侧形成进气端，位于第二温区远离第一温区的一侧形成出气端；惰性气体罐，与进气端之间连接有第一管路；蒸发瓶，与进气端之间连接有第二管路，与惰性气体罐之间连接有第三管路，且第二管路位于蒸发瓶内的端口高于第三管路位于蒸发瓶内的端口；引气组件，与出气端可拆卸连接。本申请可以实现对石英容器表面熏附碳层，有效控制石英容器内壁碳膜的均匀程度和厚度，提高碳膜牢固度，并降低生产成本和安全风险。
石英容器装置方法

[发明专利]电磁屏蔽曲面光学窗口的制备方法、曲面光源及设备-CN202310531006.0有效
发明人：麻皓月;张振雲;尚鹏;曹波;马远飞;石红春;林泉;刘晓华;朱晨阳 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电磁屏蔽曲面光学窗口的制备方法、曲面光源及设备，其中，曲面光源包括透明窗口、至少一组蝇眼透镜、支撑架和LED灯珠；透明窗口，为具有一定弧度的凹面窗口，当采用该曲面光源制备曲面光学窗口内的金属网栅时，透明窗口与曲面光学窗口的形状相匹配；蝇眼透镜，设置在透明窗口的内侧，且蝇眼透镜的形状与透明窗口的形状相匹配；支撑架，设置在蝇眼透镜的内侧，且与蝇眼透镜的形状相匹配，在支撑架上阵列布设有LED灯珠；其中，透明窗口、蝇眼透镜和支撑架的拱高均大于光学窗口的拱高。本发明提供的曲面光源可以改善光源在曲面维度的光强均匀性，提高金属网栅的质量。
电磁屏蔽曲面光学窗口制备方法光源设备

[发明专利]一种光学级磷化镓单晶的制备方法-CN202310073667.3有效
发明人：林泉;柴晨;许兴;王博;王宇;曹琳;马英俊;刘志远;马远飞;丁红全 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明涉及红外光学材料制备技术领域，具体公开一种光学级磷化镓单晶的制备方法。包括以下步骤：S1，将磷化镓多晶、氧化镍和氧化硼混合均匀后放入高压单晶炉中，于惰性气氛下，升温，熔接籽晶，将石英坩埚的转速提升至预设转速a，并将籽晶的转速提升至预设转速b，以第一预设速率提拉单晶；S2，单晶收尾过程中，以第二预设速率提拉单晶，收尾完成后，停止锅转，降温，得光学级磷化镓单晶。本发明所提供的光学级磷化镓单晶的制备方法，既可以有效提高产品的电阻率，提升电阻率的均匀性，又可以提升磷化镓单晶的红外光学透过率。并且，本发明所提供的制备方法简单、高效，不涉及特殊工艺，具有较强的工程应用性。
一种光学磷化镓单晶制备方法

[发明专利]一种包括增透保护膜的光学元件及其制备方法-CN202111115911.5有效
发明人：李欢欢;路淑娟;曹波;许宁;王伦;张云博;贾孟 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B1/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学元件，包括：基底；交替垂直堆叠在所述基底上表面的n层硫化锌膜和n层锗膜，并且靠近所述基底的是所述硫化锌膜，靠近所述基底的硫化锌膜为第1层硫化锌膜，以及靠近所述基底的锗膜为第1层锗膜，依次顺序命名；以及堆叠在第n层所述锗膜上的类金刚石膜；其中，所述基底为ZnSe，且n为2以上的正整数。本发明的光学元件兼具较高的透过率和较高的抗机械损伤性能。本发明还涉及所述光学元件的制备方法。该制备方法工艺简单、无污染、成本低。
一种包括保护膜光学元件及其制备方法

[发明专利]一种红外滤光薄膜的制备方法、红外陷波光学元件-CN202310443846.1在审
发明人：尚鹏;马远飞;路淑娟;李欢欢;杨海;曹波;麻皓月;张宏玲 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供一种红外滤光薄膜的制备方法、红外陷波光学元件。该方法通过先测定在制备单层薄膜时的第一厚度因子，再测定在制备多层薄膜时的第二厚度因子，计算得到各膜层厚度因子的偏差与镀膜时长的关系。基于红外滤光薄膜各膜层的目标厚度、上述厚度因子偏差关系，制备红外滤光薄膜。本发明能够基于镀膜时长修正厚度因子，减小了晶振监测误差，进而减小了红外滤光薄膜各膜层厚度的制备误差，减小了红外滤光薄膜的实测光谱曲线与理论光谱曲线之间的差异。
一种红外滤光薄膜制备方法陷波光学元件

[发明专利]去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置-CN202310004462.X在审
发明人：王宇;王博;冯德伸;于鹏涛;林泉;李燕;雷同光 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除锗单晶熔体浮渣的方法及去除锗单晶熔体浮渣的装置，其中去除锗单晶熔体浮渣的装置包括单晶炉、升降装置、坩埚、加热装置、调节装置以及石墨环；升降装置设于所述单晶炉内；坩埚与所述升降装置连接，所述升降装置用于调节所述坩埚的高度；加热装置环设于所述坩埚外；调节装置设于所述单晶炉内；石墨环与所述调节装置连接，所述调节装置控制所述石墨环在上下方向的位置。本发明提供的去除锗单晶熔体浮渣的装置，通过使坩埚内壁温度和熔体温度形成温度差，有效的收集浮渣，石墨环将浮渣与锗晶体完全隔离，浮渣无法进入石墨环的内环，提高了锗晶体的成晶率。
去除锗单晶熔体浮渣方法装置

[发明专利]一种曲面随机金属网栅的制作方法-CN202211551452.X有效
发明人：张振雲;马远飞;薛丽青;林泉;尚鹏;麻皓月;刘晓华;石红春 -专利权人：有研新材料股份有限公司;有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电磁屏蔽实现方法，具体公开一种曲面随机金属网栅的制作方法。所述方法包括：在曲面基底表面上镀制金属膜，其中所述金属膜自所述曲面基底依次为钛膜和铜膜；采用飞秒激光在上述镀有钛膜和铜膜的曲面基底聚焦，在所述钛膜和铜膜上按照预设的随机图案进行至少两次扫描刻蚀，其中所述飞秒激光经过光束整形系统，使激光光束能量分布由高斯形状转变成平顶形状；将上述刻蚀后的曲面基底进行清洗，得曲面随机金属网栅。通过本方法可制备曲面电磁屏蔽金属网栅，同时通过随机图案的设计，减小高级次杂散光对成像质量影响，本方法操作简单，可实现大规模工业生产。
一种曲面随机金属网制作方法

[发明专利]一种曲面窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法-CN202211659188.1有效
发明人：尚鹏;马远飞;麻皓月;张振雲;石红春;曹波;林泉 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电磁屏蔽实现技术领域，具体公开一种曲面窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法。包括以下步骤：S1，在基底表面旋涂光刻胶，烘烤；S2，通过曲面掩模窗口系统对基底进行曝光，显影，烘烤；S3，镀制金属网栅层，去除光刻胶，镀制保护层。其中曲面掩模窗口系统包括遮光板、衬底、掩模图案和增透保护层。本发明所提供的曲面窗口金属网栅制备方法，不仅加工的质量和精度好，而且可大大缩短制备时间，尤其适应于曲面电磁屏蔽窗口的大规模、高质量生产。
一种曲面窗口电磁屏蔽金属网制备方法

[发明专利]一种可调控高度比例的高深宽比微结构的制备方法-CN202211686644.1有效
发明人：麻皓月;马远飞;林泉;尚鹏;张振雲;刘晓华;石红春 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种可调控高度比例的高深宽比微结构的制备方法，属于微纳加工技术领域，利用激光直写灰度光刻技术制备多级光刻胶层，通过控制残留光刻胶层厚度和分级去胶的方式，利用Bosch工艺刻蚀实现可调控比例的多级高深宽比微结构的制备，首先对衬底低转速旋涂一层光刻胶，通过激光直写设备进行非均匀剂量的灰度曝光并进行显影；随后对多级高度的光刻胶柱进行第一次刻蚀，刻蚀时间和刻蚀深度根据多级结构的比例进行选择；然后使用氧等离子体对第一级结构的刻蚀后残留的光刻胶去除干净；然后对第二级结构进行刻蚀；随后对第二级结构上层残胶进行去除；以此类推，循环刻蚀和去胶的过程，直至最后一级结构顶层光刻胶去除完成。
一种调控高度比例高深微结构制备方法

[发明专利]高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法-CN202310339974.1在审
发明人：王博;柴晨;曹琳;马远飞;冯德伸;林泉;刘晓华;莫杰;邢俊;郭伟才;张海涛;张海鹏;纪淼 -专利权人： 有研国晶辉新材料有限公司;有研新材料股份有限公司;中国有研科技集团有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台及测试方法，属于霍尔测试技术领域，其中一种高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，包括检测台和四个探针组件；检测台的上端面设有矩形的样片放置区；检测台内具有电路板，电路板与霍尔测试仪电连接；四个探针组件均匀分布在样片放置区的四周，探针组件包括固定片、限位杆和探针；固定片位于检测台的上端并与限位杆转动连接；探针连接在固定片的另一端，探针可纵向调节。本发明提供的高纯锗单晶霍尔测试用微型探针台，有效避免了引线焊接产生的虚焊、断焊等导致的欧姆接触失败，提高了连接的稳定性和霍尔测试的准确性，满足了探测器用高纯锗单晶净杂质浓度的测试需求。
高纯锗单晶霍尔测试微型探针方法

1
2
3
4
5
下一页»
尾页
共 65 条