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[发明专利]用于电解锰的夹芯铅合金柱状阳极-CN201410125238.7在审
发明人： 曾湘波;任惟;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及电解锰设备，具体涉及用于电解锰的夹芯铅合金柱状阳极，包括导电棒，导电棒为长条状，导电棒由铅壳体包覆铜排构成，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，阳极柱由金属芯和铅合金外层组成，阳极柱的铅合金外层焊接或铆接连接在导电棒的铅壳体上，阳极柱的铅合金外层上还套有保护套，保护套和阳极柱的铅合金外层之间还涂有密封胶。本发明采用阳极柱的夹芯可以有效地提高阳极柱部位的机械强度，降低了阳极柱部位的电阻，增加阳极的导电能力，降低了电解锰的生产电耗，提高了阳极的抗变形能力，延长了阳极的使用寿命。
用于电解锰铅合金柱状阳极

[实用新型]一种电解锰用夹芯铅合金柱状阳极-CN201420150715.0有效
发明人： 曾湘波;任惟;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电解锰设备，具体涉及一种电解锰用夹芯铅合金柱状阳极。本实用新型的方案包括导电棒，导电棒由铅壳体包覆铜排构成，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，阳极柱由金属芯和铅合金外层组成，阳极柱的铅合金外层焊接或铆接连接在导电棒的铅壳体上，阳极柱的上端还套有柔性保护套。本实用新型采用阳极柱的夹芯可以有效地提高阳极柱部位的机械强度，降低了阳极柱部位的电阻，增加阳极的导电能力，降低了电解锰的生产电耗，提高了阳极的抗变形能力，延长了阳极的使用寿命。
一种电解锰用夹芯铅合金柱状阳极

[实用新型]一种用于电解锰的阳极结构-CN201420014733.6有效
发明人： 曾湘波;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电解锰设备，具体涉及一种电解锰用阳极。本实用新型是为了克服当前传统板状阳极的使用寿命不长，防腐性较差的问题，提供一种用于电解锰的阳极结构，包括导电棒，导电棒为导电壳体包覆铜排构成，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，连接在导电棒的导电壳体上，在与导电壳体相连接的阳极柱一端还设置有保护套，保护套套在阳极柱上。本实用新型采用柱状结构的阳极柱替代传统的多孔阳极板，并且在阳极柱上设置了保护套，提高了电解锰生产效率。并且彻底解决了腐蚀和由此造成的断板问题，使在高氟氯电解液中使用的电解锰铅合金阳极板的使用寿命由2-5个月提高到20-26个月。
一种用于电解锰阳极结构

[实用新型]用于电解锰的阳极结构-CN201420017631.X有效
发明人： 曾湘波;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电解锰设备，具体涉及一种用于电解锰的阳极结构。本实用新型是为了克服当前传统板状阳极的使用寿命不长，防腐性较差的问题，提供一种电解锰用的新型阳极。本实用新型的用于电解锰的阳极结构，包括导电棒，导电棒由导电壳体包覆铜排构成，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，连接在导电棒的导电壳体上，在与导电壳体相连接的阳极柱一端还设置有保护套，保护套套在阳极柱上，保护套与阳极柱之间还涂有一层密封胶，阳极柱上还设置有滚花。本实用新型采用柱状结构的阳极柱替代传统的多孔阳极板，并且用保护套和密封胶密封阳极柱，提高了电解锰生产效率。并且彻底解决了腐蚀和由此造成的断板问题，使在高氟氯电解液中使用的电解锰铅合金阳极板的使用寿命由2-5个月提高到20-26个月。
用于电解锰阳极结构

[发明专利]改善硅纳米线太阳能电池性能的方法-CN201410043904.2有效
发明人： 曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池，并持续一个预定时间；S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池，并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率，且工艺简单、成本低廉。
改善纳米太阳能电池性能方法

[发明专利]电解锰用阳极-CN201410009994.3在审
发明人： 曾湘波;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及电解锰设备，具体涉及一种电解锰用阳极。本发明是为了克服当前传统板状阳极的使用寿命不长，防腐性较差的问题，提供一种电解锰用的新型阳极。本发明的电解锰用阳极，包括导电棒，导电棒为长条状，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，连接在导电棒上，在与导电棒相连接的阳极柱一端还设置有保护套，保护套套在阳极柱上。本发明首创采用柱状结构的阳极柱替代传统的多孔阳极板，并且在阳极柱上设置了保护套，提高了电解锰生产效率。并且彻底解决了腐蚀和由此造成的断板问题，使在高氟氯电解液中使用的电解锰铅合金阳极板的使用寿命由2—5个月提高到20—26个月。
电解锰阳极

[发明专利]一种用于电解锰的阳极-CN201410009993.9无效
发明人： 曾湘波;周小芳 -专利权人：长沙中锰科技发展有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C25C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及电解锰设备，具体涉及一种用于电解锰的阳极。本发明是为了克服当前传统板状阳极的使用寿命不长，防腐性较差的问题，提供一种电解锰用的新型阳极。本发明的用于电解锰的阳极，包括导电棒，导电棒为长条状，还包括阳极柱，阳极柱为柱状，连接在导电棒上，在与导电棒相连接的阳极柱一端还设置有保护套，保护套套在阳极柱上，保护套与阳极柱之间还涂有一层密封胶。本发明首创采用柱状结构的阳极柱替代传统的多孔阳极板，并且用保护套和密封胶密封阳极柱，提高了电解锰生产效率。并且彻底解决了腐蚀和由此造成的断板问题，使在高氟氯电解液中使用的电解锰铅合金阳极板的使用寿命由2-5个月提高到20-26个月。
一种用于电解锰阳极

[发明专利]一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法-CN201310585523.2无效
发明人：张晓东;曾湘波;谢小兵;杨萍;李浩;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层(2b)、活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)。本发明能获得具有很好陷光效果及真正实现载流子径向收集，进而提高转换效率的硅纳米线薄膜电池，同时电池的制备过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
一种纳米薄膜电池及其制备方法

[发明专利]一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法-CN201310459476.7无效
发明人：杨萍;曾湘波;谢小兵;张晓东;李浩;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明，硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进，电池转换效率有较大提高，对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。
一种纳米阵列结构薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法-CN201310157617.X有效
发明人：李浩;曾湘波;谢小兵;杨萍;李敬彦;张晓东;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。
非晶硅多晶薄膜界面钝化制备 spa 结构 hit 电池方法

[发明专利]具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法-CN201210468808.3无效
发明人：谢小兵;曾湘波;杨萍;李洁;李敬彦;张晓东;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在不锈钢衬底上，溅射掺锡氧化铟薄膜；在腔室中通入氢气，对掺锡氧化铟薄膜进行H等离子体处理；再向腔室中通入第一反应气体或第二反应气体，使不锈钢衬底与铟金属纳米颗粒之间形成n型或p型硅纳米线；降低腔室中温度，向腔室中通入氢气和硅烷气体，在硅纳米线上沉积本征层；向腔室中通入第二反应气体或第一反应气体，在本征层上沉积掺杂层，该掺杂层为p型掺杂或n型掺杂，形成样品；将沉积掺杂层后的样品从腔室中取出，采用磁控溅射的方法在掺杂层上生长掺锡氧化铟透明薄膜电极，完成制备。该方法具有陷光能力强和高的光电转化效率。
具有纳米结构薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法-CN201110033772.1有效
发明人：彭文博;曾湘波;刘石勇;姚文杰;谢小兵;肖海波;杨萍;王超;俞育德 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
氢气调制能带结构优化非晶硅太阳电池制作方法

[发明专利]一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法-CN201110028237.7无效
发明人：姚文杰;曾湘波;彭文博;刘石勇;谢小兵;王超;杨萍 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
一种改进非晶硅微晶硅叠层太阳电池性能方法

[发明专利]一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法-CN201010162332.1有效
发明人：肖海波;曾湘波;谢小兵;姚文杰;彭文博;刘石勇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能的方法，该方法包括：在柔性衬底上，采用等离子体辅助化学气相沉积技术依次生长N型层、本征层和P型层，其中，对本征层的起始层进行氢等离子体刻蚀；沉积完P型层后，将电池从反应室取出，用磁控溅射生长ITO透明电极。利用本发明，能改善硅薄膜太阳能电池微结构和电学性能，同时处理过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
一种改善薄膜太阳能电池微结构电学性能方法

[发明专利]一种光电分离的太阳能电池背反射器-CN201010162344.4无效
发明人：肖海波;曾湘波;刘石勇;彭文博;谢小兵;姚文杰;王超 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电分离的太阳能电池背反射器，包括透明导电薄膜(3)、透明衬底(4)和高反射材料(5)三层结构，其中透明衬底(4)一侧没有织构，而另一侧有织构，透明导电薄(3)沉积在透明衬底(4)没有织构的一侧，高反射材料(5)沉积在透明衬底(4)有织构的一侧。利用本发明，解决了电池光吸收与电学输运之间的矛盾，既能够有效提高太阳能电池的光吸收，又能保持较好的电学性能，从而提高电池的光电转换效率，同时还具有成本低，可规模化生产的优点。
一种光电分离太阳能电池反射

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