专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种用于凹版印刷的油墨体系及使用工艺-CN201511003157.0有效
  • 郭小工;曹晓峰 - 上海运安制版有限公司
  • 2015-12-28 - 2019-04-16 - C09D11/033
  • 本发明涉及一种用于凹版印刷的油墨体系及使用工艺。油墨体系包括无苯无酮油墨以及溶解无苯无酮油墨的溶剂,所述的无苯无酮油墨与溶剂的体积比为10:(6‑8),所述的溶剂的密度为0.86‑0.88g/cm3,所述的溶剂的相对挥发速率为0.40‑0.45,油墨体系在涂‑4杯测量下粘度为15‑16秒,所述的无苯无酮油墨选自市售的DIC油墨中通用NK系列,所述的溶剂为醋酸丁酯与丙二醇甲醚的混合物,所述的醋酸丁酯与丙二醇甲醚的体积比为(3‑5):1。与现有技术相比,本发明具有更环保、色彩还原好、色彩纯度高、色域大、流畅性好等优点。
  • 一种用于凹版印刷油墨体系使用工艺
  • [发明专利]一种超结MOSFET-CN201511030172.4有效
  • 任敏;王亚天;陈哲;曹晓峰;李爽;李泽宏;张金平;高巍;张波 - 电子科技大学
  • 2015-12-31 - 2019-03-29 - H01L29/06
  • 本发明涉及功率半导体技术,特别涉及一种超结MOSFET。本发明与常规超结MOSFET的区别在于:在一个或多个常规超结元胞旁边设置一个由第二P型柱(5)构成的伪元胞,该伪元胞不含N+有源区,且P柱长度相比正常元胞适当缩短;或者其P柱长度和正常元胞一样,但底部靠近衬底处存在一个掺杂浓度相对较高的区域;或者P柱整体掺杂浓度略高于其他元胞的P柱。当发生雪崩击穿时,伪元胞的击穿电压将比正常元胞略低,雪崩击穿点将被限定在伪元胞处,雪崩电流将通过伪元胞的源电极流出。由于伪元胞不含N+有源区,不存在寄生BJT,就避免了寄生BJT的导通,因此能够提高超结MOSFET器件的雪崩耐量和可靠性。
  • 一种mosfet
  • [发明专利]一种T型槽栅MOSFET-CN201610705046.2有效
  • 李泽宏;陈哲;曹晓峰;李爽;陈文梅;林育赐;谢驰;任敏 - 电子科技大学
  • 2016-08-22 - 2019-03-29 - H01L29/78
  • 本发明属于功率半导体技术领域,特别涉及一种T型槽栅MOSFET。本发明引入了T型栅结构,使得器件的输入电容提高,T型栅下方的厚氧化层同时降低了器件的Cgd,从而Cgs/Cgd比值提高,器件具有更高的抗漏极电压震荡对栅极影响的能力,以及低EMI噪声。深槽金属连接深注入P+区,这种深槽体接触结构使得器件的寄生三极管更难开启,防止了器件在关断过程中容易产生的UIS热失效,同时深注入的P+区和埋层p+区引入了横向电场,使得器件反向耐压提高。
  • 一种型槽栅mosfet

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