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- [发明专利]一种超结MOSFET-CN201511030172.4有效
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任敏;王亚天;陈哲;曹晓峰;李爽;李泽宏;张金平;高巍;张波
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电子科技大学
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2015-12-31
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2019-03-29
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H01L29/06
- 本发明涉及功率半导体技术,特别涉及一种超结MOSFET。本发明与常规超结MOSFET的区别在于:在一个或多个常规超结元胞旁边设置一个由第二P型柱(5)构成的伪元胞,该伪元胞不含N+有源区,且P柱长度相比正常元胞适当缩短;或者其P柱长度和正常元胞一样,但底部靠近衬底处存在一个掺杂浓度相对较高的区域;或者P柱整体掺杂浓度略高于其他元胞的P柱。当发生雪崩击穿时,伪元胞的击穿电压将比正常元胞略低,雪崩击穿点将被限定在伪元胞处,雪崩电流将通过伪元胞的源电极流出。由于伪元胞不含N+有源区,不存在寄生BJT,就避免了寄生BJT的导通,因此能够提高超结MOSFET器件的雪崩耐量和可靠性。
- 一种mosfet
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