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[发明专利]一种PtBi2单晶及其制备方法和应用-CN201510988764.0有效
发明人：许祝安;杨小军;曹光旱 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明涉及了一种PtBi2单晶，该晶体为六方晶系，其空间群为P‑3(No.147)，晶胞参数为α＝β＝90°,γ＝120°，晶胞体积为2.3×10‑28m3。本发明还涉及PtBi2单晶的制备方法，将Pt和Bi在氩气气氛中进行研磨混合，然后真空煅烧，离心得到PtBi2单晶；还涉及作为巨磁电阻材料的应用。PtBi2单晶是一种新型的单晶，具有线性巨磁电阻效应，可以作为一种新的巨磁电阻材料并且制备方法简单易于实现。
一种 ptbi sub 及其制备方法应用

[发明专利]一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法-CN201210475152.8有效
发明人：许祝安;杨小军;曹光旱 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料，化学式组成为：La1-xSrxCu1-yMnySO。本发明还公开了该镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料的制备方法，将原料混合，在氩气保护下充分研磨，然后在一定的压强下冲压；将得到的压片密封在真空容器内，放在管式炉中升温，再恒温煅烧，即得到镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料。本发明采用Mn2+替代Cu+的方法引入磁矩，然后用Sr部分替代La引入空穴型载流子，通过以上掺杂可以很好的控制该半导体的导电性和磁性，获得了居里温度更高的ZrCuSiAs型结构的稀磁半导体，该稀磁半导体材料具有很高铁磁转变温度，居里温度TC提高到199K，且不含有As等剧毒元素。
一种镧锶铜锰硫氧稀磁半导体材料及其制备方法

[发明专利]钆钍氧铁砷高温超导材料及其制备方法-CN200810062374.0无效
发明人： 曹光旱;许祝安;王操;李林军;李玉科 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：一种钆钍氧铁砷高温超导材料，属于ZrCuSiAs型结构，具有与超导体LaO_1－yF_yFeAs相同的晶体结构，本发明的钆钍氧铁砷高温超导材料，通式为：Gd_1－xTh_xOFeAs，式中0.05≤X≤0.30，材料中各元素含量摩尔比Gd、Th、O、Fe、As为0.70～0.95∶0.3～0.05∶1∶1∶1。按各元素含量，原料经混合、研磨、压片、煅烧、快速冷却等步骤制得超导的多晶块体。本发明的超导材料，最高超导临界温度T_c达到56.5K，估算的上临界磁场B_c2超过100特斯拉，优于类似结构的LaO_1－yF_yFeAs超导体，在实际应用上具有明显的优势。
钆钍氧铁砷高温超导材料及其制备方法

[发明专利]锂钠钴氧热电陶瓷及其制备方法-CN200710070931.9无效
发明人： 曹光旱;任之;陈晓阳;蒋帅;许祝安 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C04B35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂钠钴氧热电陶瓷及其制备方法。该钴酸盐热电瓷的通式是Li_xNa_yCoO₂，式中锂、钠含量分别为0.375≤x≤0.48、0.3≤y≤0.45；将Li₂CO₃∶Na₂CO₃∶Co₃O₄摩尔比为3x∶3y∶2的原料充分混合，进行研磨，然后在80～120MPa的压强下进行冲压得到压片，其中，0.375≤x≤0.48、0.3≤y≤0.45；将压片在流动氧气的管式炉中煅烧24～48小时，煅烧温度为1103～1173K，然后快速冷却到室温，得到单相的多晶块体。本发明表明，锂钠钴氧可以作为一种新型热电材料。该材料的制备通过改变初始反应物的成分、烧结气氛、烧结温度、烧结时间以及快速冷却的方法得到实现。该材料在室温附近具有很大的热电系数(170～210μV/K)，其品质因子相比于同类钴酸盐热电陶瓷也较高，具有应用前景。
锂钠钴氧热电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法-CN200610049584.7无效
发明人： 曹光旱;冯丽欣;焦正宽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙铜钛镧氧介电陶瓷的制备方法。提供纯度高于99％的碳酸钙，氧化铜，氧化钛和氧化镧；通式是Ca_1－xLa_xCu₃Ti₄O₁₂表示，式中掺杂浓度x＝0～0.3；分别按照配比称量摩尔量的原料，进行研磨；在炉中煅烧粉末，煅烧温度为1223～1273K，自然降温到室温，得到单相的多晶粉末；在80～120MPa的压强下压片，然后在1323～1343K下烧结Ca_1－xLa_xCu₃Ti₄O₁₂。本发明解决了钙铜钛氧作为一种可以用在动态存储、高介电电容和各种薄膜器件等微电子器件上的材料，虽然具有巨介电常数，但介电损耗过高的问题，使其在保持高介电常数的同时也降低了介电损耗，而且其介电常数不变的温区也通过本发明的方法被展宽，具有很大的应用潜力。
钙铜钛镧氧介电陶瓷制备方法