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[实用新型]一种方便清理的地毯铺装结构-CN202122795111.4有效
发明人：盛冠斌;周雪清;马晓华;唐肖俊;陈锦周;赵春;凌晓芳;曹亚民;杨小平 -专利权人：苏州美瑞德建筑装饰有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： A47G27/02 文献下载
摘要：本实用新型的目的是为了解决地毯的清洁问题，公开了一种方便清理的地毯铺装结构，包括转筒和地毯本体，所述转筒表面套有覆盖膜，所述覆盖膜覆盖在所述地毯本体表面，所述转筒内部套装有第一转轴，所述第一转轴两端对称安装有电机，所述电机之间固定连接有握杆，所述转筒下方设有卡框，所述卡框上均匀安装有加热块，所述卡框两端对称装有定位杆，所述定位杆外端装有套环，所述套环与电机之间固定连接有第一连接杆，所述套环内部套有支架，所述支架两端对称套有螺杆。本实用新型通过覆盖膜的设置，再通过加热块的加热，从而可以将覆盖膜平稳铺设在地毯上，利用透明的覆盖膜形成一层防护膜，从而方便对地毯上的垃圾进行清理。
一种方便清理地毯结构

[发明专利]堆叠背照式图像传感器的制备方法-CN202310523760.X在审
发明人：蔡亚果;张武志;曹亚民 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠背照式图像传感器的制备方法，方法包括：提供像素晶圆及逻辑晶圆，且像素晶圆包括第一衬底及形成于第一衬底表面的第一介质层，逻辑晶圆包括第二衬底及形成于第二衬底表面的第二介质层；于第一介质层内形成第一铜焊垫且第一铜焊垫的表面高于第一介质层的表面，及于第二介质层内形成第二铜焊垫且第二铜焊垫的表面高于第二介质层的表面；利用混合键合工艺将像素晶圆键合于所述逻辑晶圆上，此时，第一铜焊垫与第二铜焊垫一一对应；利用热处理工艺对键合后的像素晶圆及逻辑晶圆进行热处理。通过本发明解决了现有的芯片面积较大且键合后易产生气泡与空洞缺陷的问题。
堆叠背照式图像传感器制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910743007.5有效
发明人：张武志;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体器件沿半导体器件的厚度方向，依次包括底层、隔离层以及图形层；图形层包括顶层结构、第一N型区域、第一栅极、第二栅极、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域；沿半导体器件的宽度方向，第一栅极和第二栅极相对设置，第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域位于第一栅极和第二栅极之间；第一N型区域、P型阱、N型漂移区域以及第二N型区域沿半导体器件的长度方向依次设置。本申请通通过并列设置第一栅极和第二栅极，降低了半导体器件的阈值电压；同时，通过设置隔离层增加了半导体器件的防漏电能力。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制造方法-CN202310450879.9在审
发明人：赵春山;张武志;曹亚民;周维;王艳生 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件，包括第一导电类型的衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，在有源区中采用离子注入工艺形成有间隙阱，位于间隙阱两侧分别形成有第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区；第一导电类型的掺杂区和第二导电类型的漂移区上形成有栅氧化层及其上的多晶硅栅极层，栅氧化层横跨间隙阱；栅氧化层、多晶硅栅极层的两侧形成有侧墙；掺杂区中的侧墙一侧的位置形成一第二导电类型的重掺杂源端，漂移区侧墙的另一侧形成有第二导电类型的重掺杂漏端。本发明的器件可支持最高栅压提升明显(～0.5V)，提高了器件的可靠性。
ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法-CN202010336966.8有效
发明人：麻尉蔚;孙超;陆尉;徐晓林;曹亚民;周维 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括步骤：步骤一、形成正面栅极结构；步骤二、形成侧墙，包括第一氮化硅侧墙，第一氮化硅侧墙对应的第一氮化硅层也覆盖在半导体衬底的背面的第一多晶硅层背面；步骤三、正面生长第二氮化硅层；步骤四、在完成应力转移后进行氮化硅材料刻蚀，包括：步骤41、进行正面单片湿法刻蚀；步骤42、进行酸槽湿法刻蚀将正面的第二氮化硅层完全去除以及将背面的第一氮化硅层保留部分厚度；步骤五、完成后续工艺，后续工艺中的后段工艺包括多次光刻工艺和对应的光刻前清洗工艺，背面保留的第一氮化硅层用于在清洗工艺中对半导体衬底的背面的第一多晶硅层进行保护。本发明能提高后段光刻工艺的平整度，提高产品良率。
采用应力记忆技术半导体器件制造方法

[发明专利]一种具有仿古造型的玻璃幕墙装配式设计结构-CN202310168077.9在审
发明人：盛冠斌;周雪清;陈锦周;曹亚民;杨小平;王东方;李智博;江杰;薛云卫 -专利权人：苏州美瑞德建筑装饰有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： E04B2/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有仿古造型的玻璃幕墙装配式设计结构，属于建筑装饰技术领域，包括多根立柱本体、多根横梁本体、多个第一连接件、多个第二连接件、多片玻璃板本体和多片石材基质层，多根所述立柱本体呈竖直方向布置，所述立柱本体固定安装在墙体上，多根所述横梁本体呈水平方向布置；本发明通过多根立柱本体固定安装在墙体上，横梁本体固定安装在多根立柱本体上，搭建出给玻璃板本体安装的基层，将玻璃板本体通过第一连接件和第二连接件安装在横梁本体和立柱本体上，第二连接件的端部穿过玻璃板本体，石材基质层安装在第二连接件的端部上，第二连接件作为石材基质层安装的独立支撑，使得石材基质层可以得到快速安装，提高了安装效率，便于在玻璃幕墙上嵌入复古元素，提高装饰效果的美观性。
一种具有仿古造型玻璃幕墙装配式设计结构

[发明专利]一种基于红砖样式的幕墙设计结构-CN202310135574.9在审
发明人：盛冠斌;周雪清;陈锦周;曹亚民;杨小平;王东方;李智博;江杰;薛云卫 -专利权人：苏州美瑞德建筑装饰有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： E04B2/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于红砖样式的幕墙设计结构，属于建筑装饰技术领域，包括：多片基层基础板，其干挂安装在墙面基层上，多片所述基层基础板呈矩形阵列排布，相邻两片所述基层基础板之间贴合，所述基层基础板上开设有多个第一槽体；多块红砖装饰件，其插入所述第一槽体内，且所述红砖装饰件抵住所述基层基础板的表面；多个限位锁扣，其通过螺栓连接件连接在所述基层基础板上；本发明通过将红砖装饰件插入到基层基础板的第一槽体内，限位锁扣通过螺栓连接件固定在基层基础板上，且限位锁扣将红砖装饰件抵住，从而限制住了红砖装饰件的自由度，使得红砖装饰件便于安装在基层基础板上，将安装好红砖装饰件的基层基础板干挂安装在墙面基层上，即可完成红砖复古造型幕墙的安装，简化安装过程，降低施工难度。
一种基于红砖样式幕墙设计结构

[发明专利]一种新型多规格工件加热用电磁加热设备-CN202211353458.6在审
发明人：汪敏;曹亚民;蓝志雄 -专利权人：常州灶德旺智能电器有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及工件加热设备领域，尤其涉及一种新型多规格工件加热用电磁加热设备，包括底座，所述底座的顶端安装有以下组件：安装座，固定安装于所述底座的顶端一侧边缘，所述安装座的顶端安装有用于对夹持的工件进行加热处理的加热线圈套；加热辅助机构，设于所述底座远离所述安装座的一侧上方，且所述底座的顶端设有用于带动所述加热辅助机构移动的电动滑台。本发明有效地实现在对工件加热过程中有效地对不同规格的工件夹持的目的，还方便实现工件在加热过程中的旋转，使之受到的电磁作用更为均一，进而保证加热效果；还能够有效地方便加热后的工件的安全落料，避免加热后的高温工件不易拿取且容易磕碰变形的情况产生。
一种新型规格工件加热用电设备

[发明专利]一种高转化效率的电磁感应蓄能设备-CN202211391187.3在审
发明人：汪敏;蓝志雄;曹亚民 -专利权人：常州灶德旺智能电器有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： F24D13/04 文献下载
摘要：本发明涉及蓄能设备领域，尤其涉及一种高转化效率的电磁感应蓄能设备，包括加热组件，所述加热组件包括箱体，所述箱体的内侧上部设有用于电磁加热的加热线圈，所述加热线圈的内侧穿设有若干组平行设置的加热管组件，所述加热管组件的内部设有除垢组件，所述加热管组件贯穿延伸至所述箱体外侧的一端连接有连接弯管Ⅰ。本发明使得同一水体得到多次加热处理，进而提高能量转化效率；还对加热管体内部进行水垢的刮拭，并对水垢有效收集处理，实现了对加热管体的有效保养，进而达到保证稳定蓄能的效果，提升加热的效果；还能调节加热线圈的流经电流大小，进一步方便地控制加热线圈的电磁感应效能，提升蓄能效果。
一种转化效率电磁感应蓄能设备

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202211429890.9在审
发明人：张小龙;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，其通过减小形成在硅衬底(半导体衬底)表面上的氧化物层的解耦等离子体氧化工艺DPO的沉积时间的方式，减薄形成在该硅衬底表面上的氧化物层的厚度，从而减小了DPO工艺过程中其等离子体对硅表面的冲击破坏所造成的硅损伤，进而由硅表面损伤造成的暗电流，即，本发明提供的制造方法，可以避免硅表面损伤造成的暗电流，以及白像素问题，最终实现了提升背照式图像传感器器件性能的目的。
背照式图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种加热均匀的电磁旋转煎包炉-CN202211619017.6在审
发明人：汪敏;蓝志雄;曹亚民 -专利权人：常州灶德旺智能电器有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： A47J37/10 文献下载
摘要：本发明涉及煎包炉领域，尤其涉及一种加热均匀的电磁旋转煎包炉，包括炉体底座，所述炉体底座的顶端一侧转动连接有用于封盖的炉盖；所述炉体底座包括底座套，所述底座套的顶端设有凹槽，所述炉体底座在凹槽的内部设有加热圈Ⅰ，所述炉体底座的底端通过连接杆安装有固定板，固定板的顶端安装有电动机Ⅰ，所述电动机Ⅰ的输出轴贯穿伸入所述底座套的内部并同轴连接有煎盘，所述煎盘位于所述加热圈Ⅰ的上方，在电动机Ⅰ的作用下带动煎盘旋转。本发明有效地实现了对煎包上下均匀加热，并能够对溅射的油汁进行处理，保证内部的干洁程度，提升煎制的效果；还能够有效地对装置的运动状态进行调节，方便个体用户出摊的实际需求，为实际使用提供极大便利。
一种加热均匀电磁旋转煎包炉

[实用新型]微创置棒器-CN202220269929.4有效
发明人：田康勇;曹亚民;林毅 -专利权人：山东威高骨科材料股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： A61B17/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械技术领域，尤其是一种微创置棒器。该微创置棒器包括导杆、推杆和旋钮，导杆为空腔结构，推杆放置于导杆的空腔内，推杆的左端设置有插块，导杆的空腔右端螺纹连接有旋钮，旋钮抵触在推杆的右端，导杆左端的侧面开设有插孔，棒的始端插入插孔中，棒的始端的侧面开设有与插块相配合的插槽，导杆的侧壁沿长度方向间隔设置有与导杆的空腔连通的开槽，导杆的右端的侧面连接有把手。本实用新型的微创置棒器结构简单，操作方便，持棒稳定，棒安装好后能够迅速释放棒体。
微创置棒器

[发明专利]改善背照式CIS的像素白点的工艺方法-CN202211197986.7在审
发明人：赵春山;王海洋;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，切边工艺包括：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，晶圆的正面形成有背照式CIS的单元结构。步骤二、采用刀头对晶圆进行边缘切割。在边缘切割过程中，刀头和晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，通过控制晶圆的温度来降低摩擦热对晶圆的损伤并从而降低像素白点。本发明能降低晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。
改善背照式 cis 像素白点工艺方法

[发明专利]CIS的深沟槽隔离结构及其制造方法-CN202211198110.4在审
发明人：蔡亚果;张武志;曹亚民;赵庆贺 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIS的深沟槽隔离结构，包括：通过对第一半导体衬底的第一表面进行等离子体刻蚀形成的深沟槽，深沟槽的内侧表面具有由等离子体刻蚀产生界面缺陷。形成于深沟槽中的第一半导体外延层、第二介质层和第三导电材料层。在最靠近外围区的深沟槽的部分区域中还形成有第四导电材料层。第四导电材料层和外部电极连接。外部电极连接到外部控制模块，外部控制模块提供外部电压到各第三导电材料层上以对深沟槽的内侧表面的界面态进行调控，以消除界面缺陷对界面态的不利影响。本发明还公开了一种CIS的深沟槽隔离结构的制造方法。本发明能对深沟槽隔离结构和半导体衬底之间的界面处的界面态进行调控，能优化界面态并从而减少暗电流和白像素。
cis 深沟隔离结构及其制造方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法-CN202211212275.2在审
发明人：高得妍;赵春山;张武志;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器及其制造方法，应用于半导体技术领域中。具体的，在本发明提供的背照式图像传感器的制造方法中，通过调整形成在背照式图像传感器堆叠结构的顶面上的BSGND结构与背照式图像传感器堆叠结构中的像素晶圆内的像素区域(pixel)的距离来实现减小像素区域(pixel)周围的硅衬底的损伤，从而减少器件暗电流的产生，进而减少漏电现象的问题，最终实现提高暗光下的图像质量的目的。
背照式图像传感器及其制造方法

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