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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氯化氢混合物及其制造方法以及填充容器-CN201680069360.4有效
发明人：谷本阳祐;星野恭之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C01B7/01 文献下载
摘要：本发明提供不容易使金属腐蚀的氯化氢混合物。氯化氢混合物含有氯化氢和水。而且，氯化氢混合物以至少一部分为液体的方式填充于填充容器内，气相的水分浓度为0.001摩尔ppm以上且小于4.5摩尔ppm。
氯化氢混合物及其制造方法以及填充容器

[发明专利]硫化氢混合物和其制造方法以及填充容器-CN201780034818.7有效
发明人：谷本阳祐;星野恭之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C01B17/16 文献下载
摘要：本发明提供难以使金属腐蚀的硫化氢混合物。一种硫化氢混合物，含有硫化氢和水，以至少一部分成为液体的方式被填充在填充容器内，气相中的水分浓度为0.001摩尔ppm以上且小于75摩尔ppm。
硫化氢混合物制造方法以及填充容器

[发明专利]金属制构件的腐蚀降低方法-CN201680003826.0在审
发明人：丸田秀平;佐佐木唯;星野恭之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： C23F15/00 文献下载
摘要：提供一种低成本、充分且切实地使接触时被吸附在金属制构件表面的腐蚀性气体脱附，从而降低金属制构件的腐蚀的方法。使预先加热了的脱附用气体接触金属制构件的表面之中的接触过腐蚀性气体的接触面，使被吸附在接触面的腐蚀性气体脱附。由此降低由腐蚀性气体的接触导致的金属制构件的腐蚀。
金属构件腐蚀降低方法

[发明专利]GaN系化合物半导体的制造方法以及GaN系化合物半导体-CN201410068735.8无效
发明人： 星野恭之;村川美奈子;跡边仁志 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：对于作为原料气体使用的高纯度氨气中的对辉度特性给予较大影响的杂质量进行调查，通过对其进行控制，来提供发光特性优异的GaN系化合物半导体。一种GaN系化合物半导体的制造方法，是通过有机金属化学气相生长来制造GaN系化合物半导体的方法，其特征在于，使作为原料气体使用的氨气中的、在分子中具有氧原子的烃系化合物的浓度为1.0体积ppm以下。
gan 化合物半导体制造方法以及

[发明专利]高纯度氨及其制造方法以及高纯度氨制造装置-CN201310728108.8有效
发明人： 星野恭之;村川美奈子;跡边仁志;二瓶直史 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C01C1/12 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。
纯度及其制造方法以及装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体蚀刻方法-CN200580023034.1有效
发明人： 星野恭之;寒川诚二 -专利权人：昭和电工株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明开发一种等离子体处理的方法，该等离子体处理使用没有温室效应的气体，以实现全球环境保护和等离子体工艺性能的改进，并提供一种可抑制器件损坏的高精度等离子体蚀刻方法。根据本发明的等离子体处理方法包括下面步骤：将含有氟气(F₂)的处理气体馈入等离子体生成腔，交替地重复施加停止施加高频电场，以生成等离子体，和通过将等离子体辐射到衬底来进行衬底处理。此外，衬底处理可如下进行，单独或交替地从等离子体中获取阴离子或阳离子，或者选择性地只获取阴离子，将其中和，以生成中性束并将中性束辐射到衬底。
等离子体处理方法蚀刻

[发明专利]高纯氟气体、其生产方法和用途和分析高纯氟气体中的痕量不纯物的方法-CN02802243.2无效
发明人：鸟巢纯一;跡边仁志;星野恭之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2002-06-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： C01B7/20 文献下载
摘要：在容器中分别进行至少一次步骤(1)将氟镍化合物加热以释放氟气体、步骤(2)使氟气体包藏在氟镍化合物内以及步骤(3)将氟镍化合物加热并降低内压，随后在步骤(1)中获得高纯氟气体。此外，在其表面上具有形成的氟化层的容器中，分别进行至少一次步骤(5)将氟镍化合物加热并将降低内压和步骤(6)使氟化氢含量降低的氟气体被包藏到氟镍化合物内，并进一步进行步骤(5)，然后将含不纯物的氟气体与氟镍化合物接触以固定并除去氟气体，和通过气相色谱分析不纯物。
高纯氟气生产方法用途分析中的痕量不纯

[发明专利]废气处理方法和处理系统-CN03800145.4无效
发明人：田口裕康;星野恭之;朴炳涉;金炳哲 -专利权人：昭和电工株式会社;小池酸素工业株式会社
申请日： 2003-02-13 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： F23G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理从刻蚀或清洗步骤排放的含有氟气或卤素氟化物气体的废气的方法，包括使该废气在燃烧室中燃烧，该燃烧室具有在其表面上形成的氟化物钝化膜。该方法用于处理从半导体制造工艺中排放的含有高浓度或大量氟气或卤素氟化物气体的废气，该方法是安全和节能的，并能以提高的效率进行废气的预处理。
废气处理方法系统

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