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[发明专利]活化P－型半导体层的方法-CN03106368.3无效
发明人：吴伯仁;易乃冠;张源孝 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种活化P－型半导体层的方法，主要是利用一电浆来活化P－型半导体层中的掺质，上述电浆的气体源至少包含一含有第VI族元素的气体，使用根据本发明的电浆来活化的P－型半导体层可以发挥与现有技术中使用热效应来活化的P－型半导体层相似的效能，故本发明可以对于P－型半导体层提供一种除了热效应的外的活化方法，此外，在使用一电浆来活化P－型半导体层的过程中，在半导体结构中的其它部分并不会受上述电浆影响而发生副反应，换言之，本发明的方法在活化P－型半导体层的过程中，不会对半导体结构的其它部分产生不必要的影响，因此，提供了一种可以电浆取代热效应的活化方法。
活化半导体方法

[发明专利]氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法-CN02159324.8无效
发明人：洪详竣;黄振斌;易乃冠 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基III－V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法，系以磊晶的方式在多层磊晶结构上，成长一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层，以作为光取出层，而构成一发光装置，具有较高的光取出率及可厚膜化等特性。
氮化化合物半导体 led 发光装置及其制造方法

[发明专利]AlGaInP发光二极管组件-CN02148018.4有效
发明人：陈乃权;周以伦;易乃冠 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al₂O₃形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al₂O₃第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。
algainp 发光二极管组件

[实用新型]氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体发光装置-CN02292590.2无效
发明人：洪详竣;黄振斌;易乃冠 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓基III－V族化合物半导体发光装置，主要系在一基板上成长一多层磊晶结构，藉由一可形成于Ni/Au层上的可透光金属氧化层作为光取出层，并利用Ni/Au层作为光取出层与多层磊晶结构间的欧姆接触层，以构成一LED的发光装置；该发光装置，包括一基板、一多层磊晶结构、一Ni/Au欧姆接触层、一光取出层、一n型金属电极及一p型金属电极等构成。
氮化化合物半导体发光装置

[实用新型]氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置-CN02292589.9无效
发明人：洪详竣;黄振斌;易乃冠 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓基III－V族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法，系以磊晶的方式在多层磊晶结构上，形成一适当厚度且透光性较佳的金属氧化层，以作为光取出层，而构成一发光装置，具有较高的光取出率及可厚膜化等特性。
氮化化合物半导体 led 发光装置

[发明专利]形成具有金属基板的半导体元件-CN01143515.1有效
发明人：陈乃权;吴伯仁;邹元昕;易乃冠;陈建安 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2001-12-07 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种形成具有一金属基板的一半导体元件的方法,方法至少包括提供一半导体基板作为暂时基板；接着形成至少一半导体层于半导体基板上；形成金属基板于半导体层上；最后移除半导体基板。利用金属基板的高导热及导电性可以增进半导体元件的可信赖度及使用寿命。
形成具有金属半导体元件

[发明专利]具有分散电流与提高发光面积利用率的发光二极管-CN01124982.X有效
发明人：郭立信;吴伯仁;易乃冠;陈建安;陈乃权 -专利权人：洲磊科技股份有限公司
申请日： 2001-08-08 - 公布日： 2003-03-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光半导体元件至少包括一基板；一第一半导体结构位于基板上；一发光结构位于第一半导体结构的一第一部份上；一第一接触结构位于第一半导体结构的一第二部份上，第一半导体结构的第二部份与第一部份相分离，第一接触结构具有一第一形状；一第二半导体结构位于发光结构上；一透明接触层位于第二半导体结构上，透明接触层具有一切断的部分以暴露出部分的第二半导体结构，并且具有一第二形状；及一第二接触结构位于透明接触层的切断的部分上，接触到第二半导体结构，并具有一第三形状，第二接触结构的第三形状与具有第二形状的透明接触层及具有第一形状的第一接触结构相配合，借以提供从第一接触结构至第二接触结构的数个电流路径相近的路径。
具有分散电流提高发光面积利用率发光二极管