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[发明专利]一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器-CN202310103603.3在审
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种通带内插损改进的双边带硅基滤波器，包括：至少一个硅腔谐振单元和至少一个槽线式双阻带谐振器，所述硅腔谐振单元包括从下到上依次叠加设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；每个所述硅腔谐振单元的边缘间隔设置有多个通孔；所述通孔上下贯穿对应的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；所述通孔的内侧表面设置有金属沉积层，所述槽线式双阻带谐振器包括形成在所述顶层金属层的第一槽线和第二槽线；所述第二槽线的一端与所述第一槽线的中点连通；所述第二槽线的另一端进行收圈处理成闭环结构。通过上述方式，本发明所述的通带内插损改进的双边带硅基滤波器，提高了带外抑制度，降低了通带内的插损。
一种内插改进双边带硅基滤波器

[发明专利]一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法-CN202010276606.3有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法，其中的硅基滤波芯片包括：高阻硅介质层、第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层设置在高阻硅介质层的顶面，所述高阻硅介质层底面内凹设置有硅腔，所述第二金属层设置在硅腔中，所述第三金属层设置在高阻硅介质层底面并避开硅腔，所述第四金属层设置在第三金属层的底面，所述高阻硅介质层中设置有向上贯穿第一金属层的通孔，所述通孔内壁设置有金属沉积层，通过刻蚀及微机械加工工艺生产。通过上述方式，本发明所述的提高重复使用率的低损硅基滤波芯片及其制作方法，生产便利，提升了硅基滤波芯片的带外抑制度，降低了损耗，重复使用率高。
一种提高重复使用率低损硅基滤波芯片及其制作方法

[发明专利]一种带宽和增益斜率可控的功率放大器电路-CN202211713473.7在审
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种带宽和增益斜率可控的功率放大器电路，包括：第一级放大器晶体管T1、第二级放大器晶体管T2、输入匹配网络、级间匹配网络、输出匹配网络、基本稳定网络和增强型稳定网络，所述输入匹配网络包括串联的电容IC1和电感IL1，所述基本稳定网络包括串联的电容C1和电阻R1，所述电容C1与电感IL1相连接，所述增强型稳定网络包括电阻R2和电容C2和电感L，所述电阻R2、电容C2和电感L串联在第一级放大器晶体管T1的栅极和漏极之间。通过上述方式，本发明所述的带宽和增益斜率可控的功率放大器电路，通过增强型稳定网络可以大大增强放大器的稳定性，利用电感L可以调谐放大器的增益斜率和带宽，满足各种增益应用需求。
一种宽和增益斜率可控功率放大器电路

[发明专利]一种低损硅基滤波器及其制作方法-CN202111454087.6有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损硅基滤波器及其制作方法，包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元分别包括第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层上下依次层叠，所述高阻硅介质层上设置有硅坑，所述硅坑位于对应第一金属层的正下方，所述硅坑的底部呈锯齿状或者连续的波浪状。通过上述方式，本发明所述的低损硅基滤波器及其制作方法，通过在高阻硅介质层上刻蚀硅坑并在硅坑的底部形成锯齿状或者连续的波浪状结构，实现了提高硅基滤波器Q值、减小损耗以及小型化的目的。
一种低损硅基滤波器及其制作方法

[发明专利]一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法-CN202111454088.0有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法，包括：硅腔谐振单元、微扰硅坑、输入馈线槽和输出馈线槽，所述硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、厚膜层、高阻硅介质层和第二金属层，所述微扰硅坑设置在高阻硅介质层上并位于一角，所述输入馈线槽和输出馈线槽设置在第一金属层上并分别位于与微扰硅坑位置相对的另一角的两侧。通过上述方式，本发明所述的双模高可靠性硅基滤波器及其制作方法，通过在高阻硅介质层特定位置上刻蚀微扰硅坑，可以将硅腔谐振单元的单个谐振频点微扰产生两个谐振频点，从而实现展宽滤波器带宽的目的，有利于减小电路的面积以及集成电路的集成，损耗小，可靠性高。
一种双模可靠性滤波器及其制作方法

[发明专利]一种带宽可调谐硅基滤波芯片-CN202010276600.6有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种带宽可调谐硅基滤波芯片，包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；槽线式双阻带谐振器，分布在单个硅腔谐振单元的第一金属层上或者一行上相邻两个硅腔谐振单元的第一金属层相接处，分别包括第一槽线和第二槽线，且第二槽线的一端与所述第一槽线的中点相接；可调谐元件，分布在第一金属层上，且分别与第一槽线和第二槽线的末端对应，所述可调谐元件包括但不限于单个单刀多掷开关芯片和多个单刀单掷封装开关。通过上述方式，本发明所述的带宽可调谐硅基滤波芯片，体积小，Q值高，损耗小，提高了带外抑制度，实现了硅基滤波芯片的带宽调谐功能。
一种带宽调谐滤波芯片

[发明专利]高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法-CN202110767511.6在审
发明人：翟英慧;万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03H17/00 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法,属于微波单片机芯片中的衰减器技术领域。包括一个由T型数字衰减器组成的输入单元、一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路以及一个由Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路组成的输出单元依次连接构成，所述的输入单元的输出端与Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端相连，连接处接入一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路，所述的幅度补偿电路的衰减电路中接入补偿电容。满足了匹配要求又可以实现16dB衰减位较好的衰减性能，而且简化T型衰减结构可以减小芯片尺寸。对实现更大衰减量的设计提供了更好的思路，可以极大程度提高较大衰减量的衰减位插入损耗、衰减精度等性能。
高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法

[发明专利]一种具有宽带或双带特性的功分器-CN202011443015.7有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有宽带或双带特性的功分器，属于射频无线通信技术领域。包括输入口和至少两个输出口，以及依次连接所述的输入口输出口的输入馈线、槽线传输主线和输出馈线，其特征在于所述的槽线传输主线上设置马刺线加载枝节。所述马刺线加载枝节一种加载在槽线传输主线的内部，一种加载在槽线传输主线的外部：当马刺线加载枝节加载在槽线传输主线内时，为金属导体结构，功分器呈带宽特性；当马刺线加载枝节加载在槽线传输主线外时，为空气槽结构，功分器呈双带特性。具有低损耗、特性变化灵活、电路结构简单的优点。通过变动马刺线加载枝节的加载位置，即可实现不同特性的功分器，加载方式简单，可用于毫米波功分器和功放的设计。
一种具有宽带特性功分器

[实用新型]一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片-CN202022919140.2有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有带外抑制度激光修正桥的硅基滤波芯片。属于滤波电器件技术领域。包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；其特征在于设置激光修正桥单元，分布在第一金属层上，且加载于第一槽线和第二槽线的末端，所述激光修正桥单元由数个中间细两端粗的蝶形金属连接线组成。通过在硅腔谐振单元四周刻蚀通孔，并在通孔内壁溅射金属沉积层，形成类波导，具有Q值高、损耗小的优点，利用激光点烧激光修正桥，实现了硅基滤波芯片加工后带外抑制度变差后的修正功能，且修正范围可调。
一种具有抑制激光修正滤波芯片

[发明专利]一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法-CN202011424346.6在审
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基滤波芯片及其频率偏移修正方法。属于滤波电路技术领域。包括：n个硅腔谐振单元，每个硅腔谐振单元包括上下依次设置的第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层；硅腔谐振单元由贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层的全通孔和半通孔组成，通孔侧壁溅射和电镀金；激光贯穿通孔，贯穿第一金属层、高阻硅介质层和第二金属层，分布在相邻两个硅腔谐振单元的通孔的两侧，或者相邻两个硅腔谐振单元的金属层相接处。通过激光点烧打孔在相应位置上，可将通带频率上移实现通带频率向下偏移的修正功能。具有Q值高、损耗小的优点。
一种滤波芯片及其频率偏移修正方法

[发明专利]Wilkinson功分器带宽展宽技术方法及其电路-CN202011436410.2在审
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种Wilkinson功分器带宽展宽技术方法及其电路。属于射频无线通信技术领域。包括常规Wilkinson功分器传输线，双隔离电阻和带宽展宽单元，其特征在于所述双隔离电阻由两个电阻串联组成，并且并联在两路常规Wilkinson功分器传输线的中间，靠近输出端，其中单个隔离电阻一端与常规Wilkinson功分器传输线相接，一端与带宽展宽单元相接，所述双隔离电阻沿电路对称分布，所述带宽展宽单元并联加载于两隔离电阻中间，实现了各端口回波损耗和隔离度的带宽同时展宽；所述带宽展宽单元由山字形传输线组成，两个开路传输线串联，中间短路传输线并联于两个开路传输线中间。具有带宽可调范围大，结构紧凑，性能优良等优点。
wilkinson 功分器带宽展宽技术方法及其电路

[发明专利]一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置-CN202011436413.6在审
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置。属于毫米波通信技术领域。包括信号输入端，输入匹配单元，功率管芯单元，级间匹配单元，输出匹配单元，其特征在于所述的输出匹配单元和信号输出端之间设置谐波抑制单元；所述谐波抑制单元刻蚀在输出末端传输线上，所述谐波抑制单元由1个、2个或3个谐波抑制子单元组成；当谐波抑制子单元为1个时，谐波抑制点为单频点，当谐波抑制子单元为2个时，谐波抑制点为双频点，当谐波抑制子单元为3个时，谐波抑制点为三频点，可抑制的谐波频带逐级展宽。其工作时可同时抑制二次三次谐波，能提升毫米波功率放大器的效率，由于本方案不增加电路尺寸，而且线路简单，具有较高的商业价值。
一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法装置

[发明专利]一种带外选择性可调毫米波滤波器-CN201810213424.4有效
发明人：万晶;梁晓新 -专利权人： 昆山鸿永微波科技有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种带外选择性可调毫米波滤波器，包括：硅腔谐振单元5、硅腔谐振单元6以及选择性可调单元7，所述硅腔谐振单元5和硅腔谐振单元6分别由贯穿于上层金属层1、高阻硅介质层2以及底层金属层3的深硅刻蚀通孔501和601阵列排布组成，选择性可调单元7由刻蚀在底层金属层3上的半波长缺陷环谐振单元701、半波长缺陷环谐振单元702和贯穿部分高阻硅介质层2以及底层金属层3的浅硅刻蚀通孔703组成，选择性可调单元7所采用电路结构、通孔布局和工艺层设计，使得该毫米波滤波器高频和低频带外抑制度分别单独可调互不影响，且90度旋转其方向可以展宽该毫米波滤波器带宽，增大高频带外抑制度，使得该毫米波滤波器具有优良可调的带外抑制度。
谐振单元毫米波滤波器硅腔底层金属层可调单元可调刻蚀通孔高阻硅介质半波长缺陷环带外抑制度上层金属层电路结构阵列排布低频带高频带工艺层可调的贯穿带宽

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