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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202010234917.3在审
  • 时国昇;廖宏魁;刘振强 - 力晶积成电子制造股份有限公司
  • 2020-03-30 - 2021-09-14 - H01L29/737
  • 本发明公开一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括：第一外延层；第二外延层，设置于第一外延层上；第一半导体层，由第二外延层的上方往下延伸而接触第二外延层，其中第一半导体层的纵向延伸区域具有主体部以及在主体部下方且自主体部延伸至第二外延层的延伸部，且主体部的宽度大于延伸部的宽度；以及第二半导体层，设置于第二外延层上并侧向环绕第一半导体层的纵向延伸区域，其中第二半导体层的一部分延伸于第一半导体层的主体部与第二外延层之间，且交叠于第一半导体层的主体部与第二外延层。
  • 半导体元件及其制造方法
  • [发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201910096741.7在审
  • 廖宏魁;刘振强;时国昇;施咏尧;徐铭聪 - 力晶科技股份有限公司
  • 2019-01-31 - 2020-07-28 - H01L21/764
  • 本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中该半导体元件的制造方法包括：在一半导体基底上形成多条闪存存储器结构，每个所述闪存存储器结构包括形成于所述半导体基底上的浮置栅极以及形成于所述浮置栅极上的控制栅极；在所述多条闪存存储器结构之间形成至少一假接触窗；在所述假接触窗的表面共形地形成一衬层；在所述半导体基底上全面地形成一内层介电层，以覆盖所述假接触窗，并于所述假接触窗与所述闪存存储器结构之间形成至少一空气间隙；平坦化所述内层介电层，直到露出所述假接触窗的顶部；移除所述假接触窗，以形成接触窗开口；以及于所述接触窗开口内形成导电材料。
  • 半导体元件及其制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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