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[发明专利]含有吡啶环的化合物、及卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的制造方法-CN201410283542.4有效
发明人：宫崎秀和;谷中悟;坪仓史朗;杉浦忠司;野田薰;铃木显吾 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C07D213/75 文献下载
摘要：本发明提供能够在工业上有利地合成且可用作用于制造显示杀菌活性的四唑基肟衍生物的中间体的下述含有吡啶环的化合物、以及2-取代氨基-6-卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的工业上有利的制造方法。所述含有吡啶环的化合物用式(1)表示(R0表示C1-6烷氧基、C1-6烷氧基C1-6烷氧基等，R1表示C1-2烷氧基羰基、乙酰基等，Z表示卤素原子、氰基等，X表示卤素原子，n为0～3中的任一整数)。
含有吡啶化合物甲基衍生物以及四唑基肟制造方法

[发明专利]聚二烷基硅烷的制造方法-CN201380011211.9有效
发明人：林谦一;安原正道;丰冈诚;前川秀树 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明提供一种聚二烷基硅烷的制造方法和聚二烷基硅烷，该聚二烷基硅烷的制造方法的特征在于，包括在含有碱金属的有机溶剂中，添加由式〔I〕(式中，R1和R2独立地表示烷基，X1和X2独立地表示卤素原子)表示的化合物〔I〕的工序，0.010[hr-1]≤化合物〔I〕的平均添加速度[摩尔·hr-1]/碱金属的量[摩尔]≤0.055[hr-1]。
烷基硅烷制造方法

[发明专利]化合物、化合物的制造方法、以及化合物的精制方法-CN201380011176.0有效
发明人：松田启一郎;松下政幸;野田薰;梶田理 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： C07D257/04 文献下载
摘要：本发明提供一种化合物，其特征在于，由通式(I)表示(式(I)中，A表示卤素原子、烷基、卤代烷基、烷氧基、卤代烷氧基、烷基磺酰基、无取代或具有取代基的芳基、氰基、或硝基。n表示0～5中的任一整数(n为2以上时，A彼此可以相同也可以不同)。Y表示烷基。M表示碱金属或碱土金属。m表示1或者2的整数)。
化合物制造方法以及精制

[发明专利]有机无机复合薄膜-CN201280069083.9有效
发明人：熊泽和久;芝田大干;木村信夫 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C08J7/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于：对表面具有比内部高的硬度的由聚硅氧烷系的有机无机复合体构成的膜的表面进一步进行无机质化。本发明的有机无机复合薄膜为具有含有a)式(I)所示的有机硅化合物的缩合物和b)有机高分子化合物的层的有机无机复合薄膜，在该膜的表面形成式(I)所示的有机硅化合物的缩合物浓缩而成的层，距离表面10nm的深度的碳原子的浓度与距离表面100nm的深度的碳原子的浓度相比，少20％以上，并且，距离膜的表面2nm的深度的O/Si元素比为18～2.5。R_nSiX_4-n (I)(式中，R表示碳原子与Si直接结合的有机基，X表示羟基或水解性基。n表示1或2，n为2时，各R相同或不同，(4-n)为2以上时，各X相同或不同)。
有机无机复合薄膜

[发明专利]含有吡啶环的化合物、及卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的制造方法-CN201410283225.2有效
发明人：宫崎秀和;谷中悟;坪仓史朗;杉浦忠司;野田薰;铃木显吾 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明提供能够在工业上有利地合成且可用作用于制造显示杀菌活性的四唑基肟衍生物的中间体的下述含有吡啶环的化合物、以及2-取代氨基-6-卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的工业上有利的制造方法。所述含有吡啶环的化合物用式(1)表示(R⁰表示C1-6烷氧基、C1-6烷氧基C1-6烷氧基等，R¹表示C1-2烷氧基羰基、乙酰基等，Z表示卤素原子、氰基等，X表示卤素原子，n为0～3中的任一整数)。
含有吡啶化合物甲基衍生物以及四唑基肟制造方法

[发明专利]含有吡啶环的化合物、及卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的制造方法-CN201410283380.4有效
发明人：宫崎秀和;谷中悟;坪仓史朗;杉浦忠司;野田薰;铃木显吾 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C07D213/75 文献下载
摘要：本发明提供能够在工业上有利地合成且可用作用于制造显示杀菌活性的四唑基肟衍生物的中间体的下述含有吡啶环的化合物、以及2-取代氨基-6-卤代甲基吡啶衍生物以及四唑基肟衍生物的工业上有利的制造方法。所述含有吡啶环的化合物用式(1)表示(R⁰表示C1-6烷氧基、C1-6烷氧基C1-6烷氧基等，R¹表示C1-2烷氧基羰基、乙酰基等，Z表示卤素原子、氰基等，X表示卤素原子，n为0～3中的任一整数)。
含有吡啶化合物甲基衍生物以及四唑基肟制造方法

[发明专利]光催化剂负载结构体-CN201280056808.0有效
发明人：斋藤一德 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明旨在提供具有载体和介由粘合层负载在所述载体上的光催化剂层的光催化剂负载结构体，其中，光催化剂负载用粘合层不含挥发性有机化合物作为溶剂。作为粘合层，使用水性有机硅改性树脂，所述水性有机硅改性树脂优选为在乳化剂的存在下在水性介质中使单体乳化聚合、再用具有有机硅结构的化合物进行了有机硅改性的树脂。
光催化剂负载结构

[发明专利]包合配合物、固化剂、固化促进剂、环氧树脂组合物及半导体封装用环氧树脂组合物-CN201410083331.6无效
发明人：金子优美;小野和男 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C07D233/58 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种包合配合物，其抑制在低温下的固化反应而实现贮藏稳定性（单液稳定性）的提高，而且经过实施加热处理能使树脂有效地固化。符合这些情况的包合配合的特征在于，以1:1的摩尔比含有（b1）和（b2），（b1）选自富马酸和反式-1,4-环己烷二羧酸中的至少一种，（b2）选自下述式（Ⅰ）所示的咪唑化合物中的至少一种。
配合固化剂固化促进剂环氧树脂组合半导体封装

[发明专利]新型共聚物-CN201280050462.3有效
发明人：新谷武士;冈户俊明;丹藤泉;成濑秀则;梶田彻 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C08F297/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供具有优异的颜料分散性能的新型共聚物，特别是提供可作为能够在滤色器中实现绿色像素的高亮度化和高对比度化的颜料分散剂使用的新型共聚物。本发明的新型共聚物含有嵌段链（A）和嵌段链（B），胺值为80mgKOH/g～250mgKOH/g，该嵌段链（A）包含具有叔氨基的重复单元，该嵌段链（B）包含下述式（I）表示的重复单元（式中，R¹表示氢原子或C1～C3烷基，R²和R³各自独立地表示氢原子或C1～C6烷基，Q表示可具有烷基作为取代基的含氧饱和杂环基或C2～C20链烯基，n表示0～6中的任意整数）。
新型共聚物

[发明专利]阳离子电沉积涂覆系统用缓释性杀菌·抗菌剂-CN201410092974.7无效
发明人：新井重文;渡边慎也;越智克树 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： A01N43/80 文献下载
摘要：本发明提供一种不需要杀菌·抗菌处理装置或用于连续添加的机构等繁琐的工序也能在电沉积涂覆系统中持续杀菌·抗菌的杀菌·抗菌剂。具体而言，本发明提供由含有1,2-苯并异噻唑啉-3-酮的药片或药块形成的阳离子电沉积涂覆系统用缓释性杀菌·抗菌剂、或者将1,2-苯并异噻唑啉-3-酮收纳在通水性容器中而形成的阳离子电沉积涂覆系统用缓释性杀菌·抗菌剂。另外，本发明提供一种阳离子电沉积涂料、电极液或清洗水的杀菌·抗菌方法，包括：将所述杀菌·抗菌剂放入阳离子电沉积涂覆系统的电沉积槽、电沉积涂料贮槽、电极液贮槽、浸渍清洗槽、清洗水贮槽等，浸到阳离子电沉积涂料、电极液或清洗水中或者置于阳离子电沉积涂料、电极液或清洗水的流通下，使1,2-苯并异噻唑啉-3-酮在阳离子电沉积涂料、电极液或清洗水中缓慢地溶解。
阳离子沉积系统用缓释性杀菌抗菌剂

[发明专利]尿石抑制剂-CN201180074166.2有效
发明人：斋藤繁;高田秀夫;关原贤一 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C02F5/08 文献下载
摘要：本发明涉及含有作为主要成分的固体酸、多孔性吸附剂、吸附于上述多孔性吸附剂的油状挥发性物质、和粉末化基剂的压片成型体，以及由上述压片成型体构成的厕所配水管的尿石抑制剂。
抑制剂

[发明专利]醇化镁的制造方法-CN201280050513.2在审
发明人：小林仁 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C07C29/70 文献下载
摘要：本发明的目的是提供粒径小、粒度分布窄、球状或椭圆体形状的醇化镁。根据本发明，提供醇化镁的制造方法，其特征在于，在将卤素或含卤素原子化合物中的至少一方、金属镁和醇分批添加到醇回流下的反应体系而使其反应的醇化镁的制造方法中，每次分批添加时在反应体系中添加卤素或含卤素原子化合物的至少一方、金属镁和醇的混合物。
醇化制造方法

[发明专利]经表面覆盖处理的无机粉体-CN201280050738.8有效
发明人：岛田干也;中本宪史;荒井香太郎;肥高友也 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有新物性的经表面覆盖处理的无机粉体。经表面覆盖处理的无机粉体被单分子膜覆盖，该单分子膜由式（I）表示的至少一种构成单元形成，该单分子膜的至少一部分具有结晶性。上述经表面覆盖处理的无机粉体例如使无机粉体与有机薄膜形成溶液接触来制造，所述有机薄膜形成溶液含有：（A）式（II）表示的至少一种化合物、（B）10ppm～饱和浓度的水、以及（C）有机溶剂。式（I）中，R¹表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X¹和X²各自独立地表示羟基、OR²或者O-Si键中的任一个，·表示与无机粉体侧的原子的键合位置。R¹Si（OH）_nX³_3-n （II）式（II）中，R¹表示可以具有取代基的碳原子数1～30的烷基，X³表示水解性基团，n表示1～3中的任一整数。
表面覆盖处理无机

[发明专利]含有羟烷基纤维素微粒的口腔内崩解片-CN201280045819.9在审
发明人：津江晋一郎;霜鸟武司;加藤隆 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： A61K47/38 文献下载
摘要：将累计粒度分布中50%粒径为15μm以上且小于40μm并且羟烷基的含量在40～80质量%的范围内的羟烷基纤维素微粒、作为医药成分的主药、根据需要的赋形剂、结合剂、崩解剂、润滑剂、缓释剂、基材、着色剂、pH调节剂、pH缓冲剂、表面活性剂、稳定化剂、酸味料、香料、流化剂、清凉化剂、甜味料、美味成分、甜味增强剂等的添加剂干式压片成型，得到口腔内崩解片。
含有烷基纤维素微粒口腔崩解

[发明专利]用金属钠被覆的电极的制造方法-CN201280046266.9有效
发明人：伊藤英明;小林仁;山下利秋;丸山慎一 -专利权人： 日本曹达株式会社
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：经过如下工序用金属钠被覆集电体，所述工序为（1）在非活性气体环境下（氧浓度为0.01%以下、露点为-10℃以下），在集电体上涂布钠分散体并加热干燥的工序，该钠分散体含有选自亚胺盐和粘结剂中的至少一个和金属钠；（2）在上述非活性气体环境下，将表面显示金属光泽的固体金属钠片压接在集电体上的工序；（3）在减压环境下使金属钠蒸镀在集电体上的工序；或者（4）在上述非活性气体环境下，将在150～300℃对表面进行烧制的集电体浸渍于除去了在表面产生的由杂质形成的被膜后的熔融金属钠中。
金属钠被覆电极制造方法