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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钙钛矿光电元件-CN202110303175.X有效
发明人：黄琬瑜;徐国凯;潘宜呈;路盛智;施彦辰;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种苯并噻二唑聚合物、包含该苯并噻二唑聚合物的电子传输复合物与包含该电子传输复合物的钙钛矿光电元件。该苯并噻二唑聚合物包含式(I)所示的重复单元。本发明的苯并噻二唑聚合物能提升与富勒烯衍生物的能阶匹配性，并可与富勒烯衍生物混和成一种电子传输复合物。若以该电子传输复合物作为钙钛矿光电元件的上载流子传输材料时，可同时提升钙钛矿光电元件的能量转换效率(PCE)与稳定性。
钙钛矿光电元件

[发明专利]钙钛矿前驱材料的制备方法、钙钛矿前驱溶液的制备方法及钙钛矿活性层的制备方法-CN202310449558.7在审
发明人： 施彦辰;潘宜呈;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿前驱材料的制备方法，其包含以下步骤：将一卤化铅与一低极性溶剂混合；将一配位溶剂以与该卤化铅的摩尔数相等的量加入，以形成钙钛矿前驱材料。本发明的该钙钛矿前驱材料的制备方法可以缩减制备步骤且节省配位溶剂的用量以及适用于多数配位溶剂。本发明又提供使用该钙钛矿前驱材料的钙钛矿前驱溶液的制备方法及钙钛矿活性层的制备方法，使得钙钛矿活性层中晶粒的大小均一且晶粒与晶粒之间致密性佳，且后续所制作出的钙钛矿光电元件具有更高能量转换效率与稳定性。
钙钛矿前驱材料制备方法溶液活性

[发明专利]前驱物溶液及钙钛矿光伏元件-CN202310358458.3在审
发明人：许朝胜;黄琬瑜;施彦辰;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K85/30 文献下载
摘要：一种前驱物溶液，适用于制作一钙钛矿光伏元件中的一空穴传输层，该前驱物溶液包含：一镍盐、一溶剂、一湿润助剂、一成膜助剂及一配位基化合物。本发明通过该湿润助剂而使得该前驱物溶液涂布于蚀刻过的玻璃基板面时不会收缩成水滴状或网状，而能够完整覆盖ITO玻璃基板；该成膜助剂则有助于制作空穴传输层的干燥成膜阶段时，避免氧化镍前驱物提早析出聚积。因此，使得一钙钛矿光伏元件的该空穴传输层即使于小间距电路图案也可以均匀成膜。本发明还提供该钙钛矿光伏元件。
前驱溶液钙钛矿光伏元件

[发明专利]钙钛矿光电元件-CN202210315017.0在审
发明人：黄琬瑜;施彦辰;潘宜呈;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供钙钛矿光电元件，此钙钛矿光电元件包含介面修饰层位于下载子传输层及钙钛矿活性层之间。介面修饰层由介面修饰层材料所构成，介面修饰层材料包含具有两性离子基团的聚乙烯亚胺，两性离子基团具有阳离子基团及阴离子基团；且，阳离子基团为选自由仲铵阳离子基、叔铵阳离子基及季铵阳离子基所组成组群中至少其中之一。当此介面修饰层积层在下载子传输层的上表面后，能使随后形成于介面修饰层上表面的钙钛矿活性层的涂布过程能够获得良好的涂布均匀性，并因而使得钙钛矿光电元件有良好的光电特性及环境稳定性。
钙钛矿光电元件

[发明专利]钙钛矿光电元件-CN202011240979.1在审
发明人： 施彦辰;黄琬瑜;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：一种钙钛矿光电元件包含一钙钛矿层单元，该钙钛矿层单元含有如式(I)所示的螯合材料。本发明的钙钛矿光电元件具有更高能量转换效率(PCE)与稳定性；
钙钛矿光电元件

[发明专利]具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法-CN201911378828.X在审
发明人： 施彦辰;黄琬瑜;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种具阻绝结构的、串接式钙钛矿光电元件及其制造方法，该钙钛矿光电元件是在基板上依序设置有电极层、光电模块以及导电层，电极层具有间隔设置的第一电极与第二电极，光电模块由下载子传输层、上载子传输层，以及位于下载子传输层与上载子传输层之间的钙钛矿主动层所构成，且上载子传输层于靠近第二电极侧方延伸有遮蔽部覆盖于下载子传输层与钙钛矿主动层侧方，使导电层与第二电极形成电性连接时，避免导电层与钙钛矿主动层产生接触，进而可防止钙钛矿主动层与导电层的变质，改善钙钛矿光电元件的效能与使用寿命，以及保持美观。
阻绝结构串接式钙钛矿光电元件及其制造方法

[发明专利]钙钛矿光电元件-CN202011292483.9在审
发明人：黄琬瑜;施彦辰;潘宜呈;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：一种钙钛矿光电元件包含一上载子修饰层。该上载子修饰层含有电极界面层材料。该电极界面层材料具有一阳离子基团及至少一阴离子基团。该阳离子基团为仲铵离子基团、叔铵离子基团或季铵离子基团，且是由聚乙烯亚胺经反应后所形成。本发明钙钛矿光电元件具有较高能量转换效率(PCE)与较佳稳定性。
钙钛矿光电元件

[发明专利]芳香胺聚合物及钙钛矿光电元件-CN202011372411.5在审
发明人：邱柏翰;施彦辰;黄琬瑜;柯崇文 -专利权人：位速科技股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：一种包含如式(I)所示的重复单元的芳香胺聚合物与包含该芳香胺聚合物的钙钛矿光电元件。以本发明的芳香胺聚合物作为空穴传输材料时，其所制得的下载子传输层无需再经表面处理，即能以湿式涂布方法在该下载子传输层上积层钙钛矿活性层，且同时能提升钙钛矿光电元件的能量转换效率(PCE)与稳定性；
芳香聚合物钙钛矿光电元件

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