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[发明专利]氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310217539.1在审
发明人：吴先民;方雪冰;梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极，源电极和漏电极分别位于沟道层相对的两侧，栅电极位于源电极和漏电极之间，且栅电极与沟道层通过材质为AlGaN的阻挡层连接，栅电极与阻挡层之间形成肖特基接触。本发明通过采用GaN作为沟道层，且GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低器件在工作状态下的自热效应，以降低晶体管的自热效应。
极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310209529.3在审
发明人：吴先民;方雪冰;梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，双异质结氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层、材质为GaN的沟道层和材质为AlGaN的阻挡层，支撑层的材质为p‑GaN，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极，栅电极与阻挡层之间形成肖特基接触，栅电极与源电极之间及栅电极与漏电极之间均形成有钝化层。本发明通过在栅电极与沟道层的氮极性面之间设置一层材质为AlGaN的阻挡层，阻挡层覆盖在沟道层上表面，使得载流子在氮化镓沟道层局域性更大，即具有更强的沟道效应抑制能力，降低晶体管的漏电；支撑层材质为p‑GaN，可以降低晶体管与地之间的漏电。
双异质结氮极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310216625.0在审
发明人：吴先民;梁帅;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，增强型氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，沟道层的氮极性面朝上，且源电极和漏电极分别位于沟道层相对的两侧，栅电极位于源电极和漏电极之间，且栅电极与沟道层通过材质为SiN的钝化层连接，沟道层对应栅电极的位置为反转部，反转部的材质为p‑GaN。本发明GaN朝向电极的一面为氮极性面，氮极性面的每个晶胞具有三个悬挂键，在与金属形成欧姆接触时极大程度上降低了接触电阻，从而降低了晶体管的发热，同时通过p‑GaN将沟道层与势垒层之间二维电子气产生的电子耗尽，从而使晶体管实现常关态，节省了功耗。
增强极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法-CN202310209403.6在审
发明人：吴先民;梁帅;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层和材质为GaN的沟道层，支撑层的材质为p‑GaN，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极，源电极和漏电极之间设置有第一钝化层，且第一钝化层内嵌设有栅电极，栅电极的顶部设置有场板，第一钝化层的上方层叠设置有第二钝化层，第二钝化层盖设于场板的上方，且第二钝化层的下侧具有收容场板的凹槽。本发明通过将栅电极、钝化层和沟道层形成MIS结构，使得晶体管在关态时可以减少漏电，支撑层材质为p‑GaN，可以降低晶体管与地之间的漏电，降低晶体管的发热。
极性氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管-CN202210717160.2在审
发明人：刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直结构肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管，制作工艺包括以下步骤：提供衬底；在衬底的一侧表面上外延生长以形成势垒层；在势垒层上注入离子以形成P+区域；采用物理气相沉积法或化学气相沉积法，将低功函数的金属沉积于P+区域上，以形成第一欧姆接触金属层；在势垒层上溅射高功函数的合金，并进行退火处理，以同时形成第二欧姆接触金属层及肖特基接触金属层，第二欧姆接触金属层沉积于第一欧姆接触金属层上，肖特基接触金属层沉积于第二欧姆接触金属层上。本发明解决了肖特基二极管制作工艺中正向浪涌欧姆大的问题。
垂直结构肖特基二极管制作工艺

[发明专利]横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺-CN202210727041.5在审
发明人：刘国梁;方雪冰;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开一种横向结构AlN外延的肖特基二极管及制作工艺，该二极管包括：衬底层，具有相对设置的第一表面和第二表面；背面电极，设置于衬底层的第一表面；AlN缓冲层、UID‑AlN层及N‑AlN层依次层叠设置于衬底层的第二表面；GaN保护层生长于N‑AlN层表面；隔离环，环设于UID‑AlN层、N‑AlN层和GaN保护层的边缘；欧姆接触金属层沉积于GaN保护层上；肖特基接触金属层沉积于GaN保护层上；SiO2钝化层沉积于欧姆接触金属层、肖特基接触金属层、隔离环和GaN保护层上。本发明旨在实现肖特基二极管满足更高击穿电压、更低导通压降以及在高频、低开关损耗的使用需求。
横向结构 aln 外延肖特基二极管制作工艺

[实用新型]靶材和内磁极-CN201020695866.6无效
发明人： 方雪冰 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9～13mm，所述第二外结构厚度为6～9mm。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均匀，不易被过早击穿。同时公开了一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9～13mm，所述内磁极导磁率为3000～4000μ0。
磁极

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