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[发明专利]使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区-CN201911000522.0有效
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;蒂莫西·韦德曼;大卫·D·史密斯 -专利权人：迈可晟太阳能有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明描述了使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区为第一浓度的第一导电类型。所述方法还包括通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠。所述方法还包括通过离子注入形成第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区具有浓度高于第一浓度的第二导电类型，并且所述第二多个掺杂区与轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠。
使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极

[发明专利]太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平-CN201811093497.0有效
发明人：大卫·D·史密斯;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。
太阳能电池中的相对掺杂浓度水平

[发明专利]具有区分开的P型和N型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的制造-CN202111401548.3在审
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;加布里埃尔·哈利 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本文描述了制造具有区分开的P型和N型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上的多个非连续沟槽中。
具有区分架构并且包含扩散太阳能电池发射极制造

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201580056577.7有效
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;加布里埃尔·哈利 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-09-15 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本文描述了制造具有区分开的P型和N型架构并且包含点状扩散的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个示例中，太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上的多个非连续沟槽中。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]用于太阳能电池的发射极层的沉积方法-CN201680018065.6有效
发明人：迈克尔·C·约翰逊;邱泰庆;戴维·D·史密斯;彼得·约翰·卡曾斯;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了制造太阳能电池的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过自由基氧化或等离子体氧化基板的表面，在所述基板的所述表面上形成薄介电层。所述方法还包括在所述薄介电层上形成硅层。所述方法还包括由所述硅层形成多个发射极区。
用于太阳能电池发射极沉积方法

[发明专利]使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区-CN201680024747.8有效
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;蒂莫西·韦德曼;大卫·D·史密斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明描述了使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极区的方法以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括通过离子注入在半导体基板中形成轻掺杂区，所述轻掺杂区为第一浓度的第一导电类型。所述方法还包括通过离子注入形成具有第二更高浓度的所述第一导电类型的第一多个掺杂区，所述第一多个掺杂区与所述轻掺杂区的第一部分重叠。所述方法还包括通过离子注入形成第二多个掺杂区，所述第二多个掺杂区具有浓度高于第一浓度的第二导电类型，并且所述第二多个掺杂区与轻掺杂区的第二部分重叠并且与所述第一多个掺杂区相间但不重叠。
使用基板级离子注入制造太阳能电池发射极

[发明专利]使用离子注入制造太阳能电池发射极区-CN201580035521.3有效
发明人：戴维·D·史密斯;蒂莫西·韦德曼;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本公开描述了使用离子注入制造太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的晶体硅基板。第一多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方。所述第一多晶硅发射极区掺杂有第一导电类型的掺杂物杂质物质，并且还包括不同于所述第一导电类型的所述掺杂物杂质物质的辅助杂质物质。第二多晶硅发射极区设置在所述晶体硅基板上方，并且与所述第一多晶硅发射极区相邻但分开。所述第二多晶硅发射极区掺有第二相反导电类型的掺杂物杂质物质。第一导电触点结构和第二导电触点结构分别电连接到所述第一多晶硅发射极区和所述第二多晶硅发射极区。
使用离子注入制造太阳能电池发射极

[发明专利]用于太阳能电池制造的蚀刻工艺-CN201580046434.8有效
发明人：斯科特·哈林顿;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁;斯塔凡·韦斯特贝格;彼得·约翰·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造太阳能电池的方法，所述方法可包括在硅基板上方形成第一掺杂剂区，以及在所述第一掺杂剂区上方形成氧化物区。在一个实施例中，所述氧化物区可保护所述第一掺杂剂区免于经历第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可在所述硅基板上方形成第二掺杂剂区，其中可形成掩模以保护所述第二掺杂剂区的第一部分免于经历所述第一蚀刻工艺。在一个实施例中，可执行所述第一蚀刻工艺以暴露所述硅基板和/或硅区的多个部分。可执行第二蚀刻工艺来形成沟槽区，以将所述太阳能电池的第一掺杂区和第二掺杂区隔离开。可执行第三蚀刻工艺以从所述太阳能电池移除污染物，以及移除所述氧化物区的任何剩余部分。
用于太阳能电池制造蚀刻工艺

[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区-CN201810311648.9在审
发明人：林承笵;大卫·D·史密斯;邱泰庆;斯塔凡·韦斯特贝格;基兰·马克·特雷西;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
多晶硅发射极区薄介电层太阳能电池背表面基板导电触点发射极区结构设置架构背接触太阳能电池第一导电类型光接收表面侧向设置导电类型制造

[发明专利]太阳能电池中的相对掺杂物浓度水平-CN201580028858.1有效
发明人：大卫·D·史密斯;斯塔凡·韦斯特贝格 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池可包括基板，所述基板具有面向太阳以在正常操作期间接收太阳辐射的正面和与所述正面相背对的背面。所述太阳能电池还可包括形成在所述基板的所述背面上方的多晶硅层。P型扩散区和N型扩散区可形成在所述多晶硅层中以提供对接的PN结。所述P型扩散区可具有第一掺杂物浓度水平并且所述N型扩散区可具有第二掺杂物浓度水平，以使得所述第一掺杂物浓度水平小于所述第二掺杂物浓度水平。
太阳能电池中的相对掺杂浓度水平

[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区-CN201480056606.5有效
发明人：林承笵;大卫·D·史密斯;邱泰庆;斯塔凡·韦斯特贝格;基兰·马克·特雷西;文卡塔苏布拉马尼·巴鲁 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L31/049 文献下载
摘要：本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。
制造具有区分架构太阳能电池发射极

[发明专利]用于改善太阳能电池寿命和效率的方法-CN201480012458.7有效
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;弗洛里托·丹尼斯·维森特;迈克尔·卡德兹诺维克;普林斯·卡尔米·托马达;叶梅利·吉奥 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了用于保护太阳能电池的纹理化区和轻掺杂扩散区以改善太阳能电池寿命和效率的方法。在一个实施例中，示例方法包括提供太阳能电池，所述太阳能电池具有在正常工作期间朝向太阳的正面和与所述正面相背对的背面以及硅基板，并且其中所述硅基板包括纹理化区和轻掺杂扩散区。所述方法包括将所述太阳能电池置于接收介质上，使所述太阳能电池的所述正面位于所述接收介质的上表面上，其中所述接收介质的所述上表面防止所述太阳能电池的所述正面上的所述轻掺杂扩散区和所述纹理化区在接触印刷过程或转移期间损坏。在一个实施例中，所述轻掺杂扩散区具有低于1×1019cm‑3的掺杂浓度并且所述接收介质包含具有5至10范围内的摩氏硬度的材料。
用于改善太阳能电池寿命效率方法

[发明专利]用于太阳能电池的放射状布置的金属触指-CN201280075853.0在审
发明人： 斯塔凡·韦斯特贝格;彼得·J·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池，其包括负金属触指(401)和正金属触指(451)。所述负金属触指(401)与所述正金属触指(451)交叉。所述金属触指(401,451)，即正金属触指和负金属触指两者，具有放射状设计，在其中，它们放射状地延伸以围绕对应接触焊盘(110)的周边的至少25％。所述金属触指(401,451)具有弯曲点，其共同形成在所述接触焊盘(110)内具有中心点的放射状图案。恰好两个金属接触焊盘合并成比所述恰好两个金属接触焊盘中的任一个宽的单个前导金属接触焊盘。
用于太阳能电池放射布置金属

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