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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光响应阵列-CN88102359.0无效
发明人：米罗斯拉夫·翁德里斯 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1988-04-16 - 公布日： 1991-04-17 - 主分类号： H01J40/14 文献下载
摘要：一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列，采用了光电和非光响应二极管网络，各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜波电压扫描该阵列，每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜，如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体，易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。
响应阵列

[发明专利]一种自生耗损研磨方法-CN87103890.0无效
发明人：沃尔夫冈·D·G·伯克;塔多伊斯兹·M·科泽克瓦 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1987-05-29 - 公布日： 1990-10-31 - 主分类号： B02C17/16 文献下载
摘要：将碳化硅研磨成亚微米级粉末的一种方法，包括在有碳化硅研磨介质存在的条件下，用无杂质的高能自生耗损研磨机将平均粒度介于1和200微米的碳化硅稀浆料研磨足够时间，得到比表面至少为5平方米/克，最好时至少为9平方米/克的粉末。研磨介最纯度高，具平均粒度小于4毫米，最好小于2.5毫米。进一步处理研过的物料，使其平均粒度小于1微米，成品粉充中97％以的取粒度小于5微米，本发明包括制成的成品粉末。
一种自生耗损研磨方法

[发明专利]六方的碳化硅片晶和预型件以及制备和使用它们的方法-CN88103649.8无效
发明人：沃尔夫·纲·D·G·博卡;史蒂文·瓦斯蒂阿克;塔多伊斯茨·M·科塞克瓦;刘世炯 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1988-06-16 - 公布日： 1990-01-03 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明涉及用作其它材料例如金属和陶瓷等的增强材料的碳化硅，更具体地说本发明涉及前所未知的晶面式碳化硅，制造和使用这种新型碳化硅的方法，以及所得到的新型增强产品。本发明的主要特点在于所得到的结晶碳化硅中至少90％(重量)的碳化硅由许多六方晶体晶格形成，由晶格形成的晶体中至少80％(重量)至少含有一部分分隔距离为0.5-20微米的反向平行底面，其中那些至少具有两个相邻的120度夹角的晶体中，所述夹角之间的距离为2.5-150微米，该晶体放大200倍时，每100个晶体中可见的裂纹少于10。
碳化硅片预型件以及制备使用它们方法

[发明专利]非氧化物烧结的陶瓷纤维-CN88104423.7无效
发明人：弗朗西斯·J·弗雷谢特;沃尔夫纲·D·G·博卡;卡尔·休斯·麦克默特里;马丁·理查德·卡斯普里赛克 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1988-07-15 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号： C04B35/56 文献下载
摘要：一种直径选择在1至200微米之间的高温多晶陶瓷纤维，它在温度1700℃以上在一种惰性气氛中是稳定的，在温度1500℃以上甚至在空气中通常也是稳定的。该纤维包括最大粒径小于纤维直径，并且平均粒径小于纤维直径0.2倍的一种烧结陶瓷粉末。至少90％的陶瓷材料是选自硼化物，碳化物，氮化物和硅化物。纤维的圆度大于1.15，并具有平滑的表面。
氧化物烧结陶瓷纤维

[其他]光响应阵列-CN88102359无效
发明人：米罗斯拉夫·翁德里斯 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1988-04-16 - 公布日： 1988-12-14 - 主分类号： H01J40/14 文献下载
摘要：一种感测多个位置电磁辐射强度的阵列中应用光电和非光响应二极管网络。各光电二极管的一端接到阵列一端的公共线。非光响应二极管接成同极性串联。各光响应二极管的第二端接到串联连接串中非光响应二极管的一个不同连结点。用斜坡电压扫描该阵列，每一电流变化表示一光电二极管受照情况。用单晶半导体和非晶、多晶半导体薄膜，如非晶硅和电沉积含碲化镉半导体，易于制成单片式阵列而不存在大量相交迭的导体。
响应阵列

[其他]用氧化铝的碳-氮共渗连续生产高纯度超细粒的氮化铝粉末的方法-CN87107018无效
发明人：乔纳森·J·金;乔尔·D·卡茨;维斯万内芬·文卡蒂斯瓦兰;卡尔·H·麦克默特里;阿日·Y·圣 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1987-10-13 - 公布日： 1988-06-15 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：用氧化铝的碳—氮共渗制造高纯度、超细氮化铝粉末的方法。形成粒度、化学成分和孔隙均匀的团块，团块含有化学计量的氧化铝和碳的混合物，并加入少量催化剂。用控制的方法在混合良好的反应容器中加热团块，达到均匀一致的转化水平。在控制气氛下磨碎已反应的团块，会产生高纯度、微米级的氮化铝粉末。
氧化铝氮共渗连续生产纯度细粒氮化粉末方法

[其他]自生耗损研磨-CN87103890无效
发明人：沃尔夫冈·D·G·伯克;塔多伊斯兹·M·科泽克瓦 -专利权人： 斯坦科尔公司
申请日： 1987-05-29 - 公布日： 1988-03-02 - 主分类号： B02C17/16 文献下载
摘要：将碳化硅研磨成亚微米级粉末的一种方法，包括在有碳化硅研磨介质存在的条件下，用无杂质的高能自生耗损研磨机将平均粒度介于1和200微米的碳化硅稀浆料研磨足够时间，得到比表面至少为5平方米/克，最好时至少为9平方米/克的粉末。研磨介质纯度高，其平均粒度小于4毫米，最好小于2.5毫米。进一步处理研磨过的物料，使其平均粒度小于1微米，成品粉末中97％以上的颗粒小于5微米，本发明包括制成的成品粉末。
自生耗损研磨

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