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[发明专利]金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制作方法-CN201310655295.1有效
发明人：权勇·林;斯坦利·升澈·松;阿米塔比·贾殷 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示一种金属氧化物半导体晶体管MOS及其制作方法，其中相对于栅极电极的宽度增加有效沟道长度。在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极，所述结构具有自对准的源极/漏极区域及在虚拟栅极结构的侧壁上的电介质间隔件。所述虚拟栅极电介质下伏于所述侧壁间隔件下。在包含从所述间隔件下方移除所述虚拟栅极电极及所述下伏虚拟栅极电介质材料之后，执行硅蚀刻以在下伏衬底中形成凹部。相对于所述凹部的底部的蚀刻，此蚀刻由于晶体定向而在底切侧上为自限制的。接着，将所述栅极电介质及栅极电极材料沉积到其余空隙中，举例来说以形成高k金属栅极MOS晶体管。
金属氧化物半导体 mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]通过替换栅极工艺形成的集成电路中的嵌入式多晶硅电阻器-CN201310752455.4有效
发明人：权勇·林;李基敦;斯坦利·升澈·松 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过替换栅极工艺形成的集成电路中的嵌入式多晶硅电阻器。本发明涉及一种可在替换栅极高k金属栅极金属氧化物半导体MOS技术工艺流程中形成的集成电路中的嵌入式电阻器结构。通过以下方式向衬底中蚀刻沟槽来形成所述结构：通过移除浅沟槽隔离结构或通过在所要位置处进行硅蚀刻。对虚拟栅极多晶硅层的沉积用多晶硅填充所述沟槽；通过硬掩模层保护电阻器多晶硅部分以免受虚拟栅极多晶硅移除的影响。可在源极／漏极植入期间掺杂所述电阻器多晶硅，且所述电阻器多晶硅可使其接触位置被硅化物包覆而不使金属栅极电极降级。
通过替换栅极工艺形成集成电路中的嵌入式多晶电阻器