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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用-CN202211310477.0在审
发明人：黄梅;杜建林;左元呈;李明;文朝军;张欢 -专利权人：成都市精鹰光电技术有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法与应用。该方法包括：在衬底上沉积一层氮化硅介质薄膜；在氮化硅介质薄膜上均匀的涂覆聚酰亚胺并固化以形成聚酰亚胺牺牲层；在聚酰亚胺牺牲层上沉积一层氮化硅介质作为硬掩膜；在硬掩膜上均匀的涂覆光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影、烘焙，使光刻胶上形成掩模版上预定图形；采用ICP干法蚀刻掉部分硬掩膜，使掩模版上预定图形转移至剩余未被蚀刻掉的硬掩膜上；采用ICP干法刻蚀氮化硅下层的牺牲层，使掩模版的图形转移到牺牲层，直到将牺牲层刻蚀完成；清洗残留的光刻胶或者刻蚀后残留的聚酰亚胺。本发明提供的方法能够使聚酰亚胺牺牲层的刻蚀坡度达到接近垂直。
一种刻蚀聚酰亚胺牺牲方法应用

[发明专利]基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜-CN202210800859.5在审
发明人：杜建林;袁秋雁;毛敏;左元呈;文朝军;李明 -专利权人：成都市精鹰光电技术有限责任公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜，涉及氧化物热敏薄膜技术领域，所述基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜是以稀土元素钒作为掺杂剂制备；所基于混频脉冲反应磁控溅射制备的热敏薄膜包括衬底层和热敏薄膜层，所述热敏薄膜层沉积在衬底层上。通过上述方式，本发明优化结晶的同时适当减小薄膜电阻，降低材料热噪声；此外快速加热也可以减小因退火引起的氧空位增加量，有利于薄膜TCR的提高。
基于混频脉冲反应磁控溅射制备热敏薄膜

[实用新型]一种承片台及晶圆加工系统-CN202021141566.3有效
发明人：黄小华;谢建;黄俊;王凤娇;陈际舟;文朝军 -专利权人：成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括承载面，承载面包括凹槽，凹槽的直径与晶圆的直径相匹配，使晶圆位于承载面上时，晶圆的背面仅部分位置直接与承载面相接触，晶圆背面的边缘为悬空状态，使晶圆在中转时将易堆积和积累硅渣的背面边缘区域悬空，避免了已加工的晶圆对承片台和待加工的晶圆的影响，有助于提高产品的质量及性能。
一种承片台加工系统

[外观设计]承片台-CN202030314620.9有效
发明人：黄小华;谢建;黄俊;王凤娇;陈际舟;文朝军 -专利权人：成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：承片台。2.本外观设计产品的用途：用作一种晶圆载台，其可在晶圆加工及移动过程中承载晶圆。3.本外观设计产品的设计要点：在于各视图的形状及形状的组合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
承片台

[外观设计]承片台-CN202030314624.7有效
发明人：黄小华;谢建;黄俊;王凤娇;陈际舟;文朝军 -专利权人：成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：承片台。2.本外观设计产品的用途：用作一种晶圆载台，其可在晶圆加工及移动过程中承载晶圆。3.本外观设计产品的设计要点：在于各视图的形状及形状的组合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
承片台

[实用新型]一种承片台及晶圆加工系统-CN202021142203.1有效
发明人：黄小华;谢建;黄俊;王凤娇;陈际舟;文朝军 -专利权人：成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种承片台及晶圆加工系统，以解决晶圆外延后的背面硅渣问题，提升晶圆外延后的产品质量，该承片台包括第一承载台和第二承载台，其中，所述第一承载台和所述第二承载台通过连接结构相连，所述第一承载台和所述第二承载台中的一个承载待加工的晶圆，另一个承载已加工的晶圆。该承片台通过第一承载台和第二承载台实现双通道设计，使晶圆在中转时将待加工的晶圆和已加工的晶圆进行分流，避免了已加工的晶圆对待加工的晶圆的影响，有助于提高产品的质量及性能。
一种承片台加工系统

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