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[实用新型]数据采集装置-CN202120638714.0有效
发明人：孙前;邓蛟;文振阳;陶结林;郭涛 -专利权人：华业检测技术服务有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种数据采集装置，其包括：箱体、数据采集箱、传感器以及路由器；箱体具有能够打开或者关闭的门体，箱体内部的侧壁以及门体的内侧壁上还设置有保温层；数据采集箱为多个，多个数据采集箱层叠地集成于箱体中，且各箱体之间通过定位结构保持相对固定，任一数据采集箱具有20至30个数据采集通道，任一数据采集与传感器相连接；路由器集成于箱体中，多个数据采集箱分别与路由器相连接。本实用新型的数据采集装置中具有多个小型、轻量化的数据采集箱，采集箱的数量可根据实际的需求进行组合配置，能够适应采集不同参数种类数据的需求。同时，通过在箱体中设置保温层，有利于克服现有技术中极端环境试验下受温湿度影响大的问题。
数据采集装置

[实用新型]一种用于生长半导体材料的衬底结构-CN201820613411.1有效
发明人： 文振阳;季莲 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于生长半导体材料的衬底结构，包括由下至上依次叠加的第一二维材料层、第二二维材料层、第三二维材料层和第四二维材料层。所述第一二维材料层、第三二维材料层为同一种材料形成。所述第二二维材料层、第四二维材料层为同一种材料形成，且与第一二维材料层、第三二维材料层材料不同。本实用新型可降低对半导体材料与衬底晶格匹配度的要求，且衬底可以多次循环利用，降低生产成本。
二维材料生长半导体材料本实用新型材料形成衬底结构半导体材料衬底晶格多次循环依次叠加匹配度衬底