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[发明专利]湿蚀刻方法及使用其制造半导体装置的方法-CN202310024420.2在审
发明人：金台宪;金坰显;文彰燮;梁准烈;丁相勳;丁镛植;蔡昇澈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种湿蚀刻方法和制造半导体装置的方法。所述湿蚀刻方法包括：将包括蚀刻目标膜的结构提供到容纳具有第一磷酸浓度的第一蚀刻溶液的处理浴槽中；在处理浴槽中用第一蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第一蚀刻工艺；通过改变第一蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度不同的第二磷酸浓度的第二蚀刻溶液；在处理浴槽中用第二蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第二蚀刻工艺；通过改变第二蚀刻溶液中的磷酸浓度来提供具有与第一磷酸浓度和第二磷酸浓度不同的第三磷酸浓度的第三蚀刻溶液；以及在处理浴槽中用第三蚀刻溶液执行用于对蚀刻目标膜进行蚀刻的第三蚀刻工艺。
蚀刻方法使用制造半导体装置

[发明专利]半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法-CN202010984502.8在审
发明人：丁相勋;洪祥准;沈善一;金坰显;文彰燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明构思提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠在包括单元阵列区域和延伸区域的衬底上的水平电极、以及在水平电极之间的水平绝缘层。该半导体存储器件还可以包括穿透堆叠结构的垂直结构，垂直结构中的第一垂直结构在单元阵列区域上，并且垂直结构中的第二垂直结构在延伸区域上。每个垂直结构包括沟道层以及依次堆叠在沟道层的侧壁上的隧穿绝缘层、电荷存储层和阻挡绝缘层。第一垂直结构的电荷存储层包括电荷存储图案，电荷存储图案在垂直于衬底的顶表面的方向上彼此间隔开且水平绝缘层插置在其间。第二垂直结构的电荷存储层沿着水平电极的侧壁和水平绝缘层的侧壁延伸。
半导体存储器件制造方法

[发明专利]湿蚀刻系统操作方法、用其形成器件的方法及湿蚀刻系统-CN201910821987.6在审
发明人：丁相勋;高镛璇;D.H.金;金台宪;文彰燮;沈雨宽;梁准烈;车世浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种湿蚀刻系统操作方法、利用其形成半导体器件的方法和湿蚀刻系统，其中该湿蚀刻系统操作方法包括：提供具有第N蚀刻溶液的蚀刻装置；将第N批基板装载到蚀刻装置中并执行第N蚀刻工艺；排出第N蚀刻溶液中的一些；用从连接到蚀刻装置的供给装置供应的第(N+1)蚀刻溶液再填充蚀刻装置；以及将第(N+1)批基板装载到蚀刻装置中并执行第(N+1)蚀刻工艺，其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的温度管理范围内或高于该温度管理范围的温度，以及其中第(N+1)蚀刻溶液具有在第(N+1)蚀刻工艺的浓度管理范围内或高于该浓度管理范围的浓度，N是正整数。
蚀刻系统操作方法形成器件方法