专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于MTJ的非易失可编程开关-CN201911097330.6有效
  • 李海;支涛云;周铁军;王喆 - 杭州电子科技大学
  • 2019-11-12 - 2023-08-29 - H03K17/22
  • 本发明公开了一种基于MTJ的非易失可编程开关,包括读写接口电路、MTJ写电路、MTJ单元、MTJ读电路、驱动电路、开关元件。读写接口电路与MTJ写电路控制端相连接;MTJ写电路的输出端与MTJ单元相连接;MTJ单元同时与MTJ读电路的输入端相连;MTJ读电路的输出端分别与读写接口模块和驱动电路输入端相连接;驱动电路输出端与开关元件控制端相连接。本发明采用MTJ作为非易失可编程存储单元具有数据读写速度快、几乎无限次擦写、抗辐射能力强等优势。本发明的开关具有结构简单、成本低廉、响应速度快等优点,能够显著降低开关系统对于控制器的资源占用,并可有效提高开关系统稳定性。
  • 一种基于mtj非易失可编程开关
  • [发明专利]一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器-CN202011002225.2有效
  • 富嘉育;李海;周铁军;支涛云;王喆 - 杭州电子科技大学
  • 2020-09-22 - 2022-04-22 - G01R1/30
  • 本发明涉及一种一种基于磁控移相的相位自适应调节锁相放大器,包括:自适应磁控移相模块、输入信号通道模块、参考信号移相电路、参考信号通道模块、相干解调模块、低通滤波模块和显示输出模块。本发明能够对调制后被测量的微弱信号进行锁相放大,降低输出信号的噪声。本发明在测试环境发生变化的时候,可以通过磁控移相电路进行自适应的调整相位以达到适配测试环境的目的。相比于普通的锁相放大器,本发明具有自适应磁场环境、相位可连续调节、电路结构简单等特点,能够很好的补偿磁场对被测信号相位的影响,提高锁相放大器的精度,拓展锁相放大器的应用范围。
  • 一种基于磁控移相相位自适应调节放大器
  • [发明专利]一种基于卡尔曼滤波的TMR磁编码器系统-CN201911320300.7有效
  • 赵若菲;周铁军;朱礼尧;李海;于长秋;骆泳铭;支涛云 - 杭州电子科技大学
  • 2019-12-19 - 2021-09-14 - G01D5/12
  • 本发明公开了一种基于卡尔曼滤波的TMR磁编码器系统,该系统包括稳压电源模块、信号发生单元、ADC模块、滤波电路模块、信号处理模块、信号输出模块。信号发生单元与ADC模块相连接;ADC模块与信号处理模块相连接;信号输出模块连接在信号处理模块。本发明的信号发生单元采用TMR传感器,相对于传统的Hall传感器,其功耗降低三个数量级,灵敏度提升三个数量级,产生的信号质量更佳。而且本发明在信号处理部分加入了卡尔曼滤波算法,使输出信号更加平稳,可以提升其分辨率和精度,并提升其稳定性。将卡尔曼滤波后的波形进行角度解析,按照角度进行逻辑信息划分,并配备磁编码器通用的接口电路,最终以脉冲信号的形式输出。
  • 一种基于卡尔滤波tmr编码器系统
  • [发明专利]一种基于霍尔条的无监督学习突触单元电路-CN202011118148.7在审
  • 支涛云;李海;周铁军 - 杭州电子科技大学
  • 2020-10-19 - 2021-01-26 - G06N3/063
  • 本发明公开了一种基于霍尔条的无监督学习突触单元电路,包括输入电路、权重调整电路、霍尔元件、学习算法模块、差分放大电路组成。其中霍尔元件用于霍尔电阻值的非易失存储,学习算法模块用于接收整个突触单元的输入和输出信号来控制权重调整电路,权重调整电路用于对霍尔元件的电阻值的调节,差分放大电路用于对霍尔元件两端霍尔电压的差分放大输出;输入电路与霍尔器件的两端相连构成一个激励信号的输入回路,同时与权重调整电路相连,形成一个权值与输入信号相互反馈调节的结构;本发明可用于构造处理速度更快、低延迟的神经网络硬件电路,本发明采用霍尔元件的突触单元具有非易失、权值状态多、易集成、重复性好、高可靠、低功耗等优点。
  • 一种基于霍尔监督学习突触单元电路
  • [发明专利]一种基于多尺度磁性隧道结的多比特忆阻器-CN202010915039.1在审
  • 支涛云;李海;周铁军;富嘉育;王喆 - 杭州电子科技大学
  • 2020-09-03 - 2021-01-01 - G11C11/16
  • 本发明公开了一种基于多尺度磁性隧道结的多比特忆阻器,该忆阻器由多个尺寸不同的MTJ器件通过必要的读写控制电路并联连接而成;其中MTJ用于电阻值的非易失存储,而读写控制电路用于对多比特忆阻器的MTJ的状态进行改写和读取;读写控制电路一端连接写电流线,每一个写电流线分别负责忆阻器的某一个MTJ高、低阻态的翻转控制;读写控制电路另一端连接的读写字线、位线,控制忆阻器的读电路、写电路的导通;读写控制电路同时与模拟输入端和模拟输出端相连,用于获取外界输入信号和提供多比特忆阻器输出信号。本发明具有多比特状态存储、重复性好、易集成、适合存算集成一体化应用等优点。
  • 一种基于尺度磁性隧道比特忆阻器

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