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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和操作方法-CN201811229577.4有效
发明人：亚当·布朗;吉姆·帕金;菲尔·鲁特;史蒂文·沃特豪斯;所罗伯·潘迪 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种场效应晶体管半导体器件，其具有紧凑的器件占用面积，用于汽车和热插拔应用。所述器件包括多个场效应晶体管单元，所述多个晶体管单元包括布置在衬底上的至少一个低阈值电压晶体管单元和至少一个高阈值电压晶体管单元。所述场效应晶体管半导体器件被配置和布置成在线性模式操作期间操作所述至少一个高阈值电压晶体管单元，并且在电阻模式操作期间操作所述低阈值电压晶体管单元和所述高阈值电压晶体管单元两者。独立权利要求被包括在操作包括多个场效应晶体管单元的场效应晶体管半导体器件的方法中。
半导体器件操作方法

[发明专利]低电阻低泄漏器件-CN201711144428.3有效
发明人： 所罗伯·潘迪;简·雄斯基 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种异质结半导体器件。异质结半导体器件包括衬底和设置在衬底上的多层结构。多层结构包括：包括第一半导体的第一层，其设置在衬底之上；以及包括第二半导体的第二层，其设置在第一层之上，以定义第一层与第二层之间的界面。第二半导体不同于第一半导体，以使得二维电子气在邻近界面处形成。所述器件还包括：第一端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第一区域；以及第二端子，其电耦接到第一层与第二层之间的界面的第二区域。所述器件还包括导电沟道，其包括位于底部和侧壁的注入区域。导电沟道填充有金属且导电沟道连接第二端子和第一层的区域，以使得电荷可在第二端子和第一层之间流动。
电阻泄漏器件

[发明专利]半桥式半导体器件-CN202011088983.0在审
发明人：迪尔德·乔杜里;里卡多·杨多克;所罗伯·潘迪 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及分立半桥式半导体器件，其包括：第一共源共栅布置和第二共源共栅布置；第一共源共栅和第二共源共栅布置中的每一个包括高压FET器件管芯和低压FET器件管芯；其中，高压FET器件管芯的源极安装在低压FET器件管芯的漏极上，并连接到低压FET器件管芯的漏极；以及低压FET器件管芯的源极和高压FET器件管芯的栅极在公共连接焊盘处连接到第二共源共栅布置的高压FET器件管芯的漏极端子。
半桥式半导体器件

[发明专利]电源设备-CN201810300420.X在审
发明人：马克·A·加赫达;所罗伯·潘迪;里卡多·L·杨多克;赖艳 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开提供了一种电源设备。本公开的各个方面涉及耦接用于控制诸如共源共栅布置中的电流流动的电路。可以符合一个或多个实施例的设备包括：第一晶体管，其具有栅极、源极、沟道、和漏极；第二晶体管，其具有栅极，并具有层叠的源极、沟道、和漏极。导电夹板将所述第二晶体管的漏极电连接到所述第一晶体管的源极，并且另一导体将所述第二晶体管的源极电连接到所述第一晶体管的栅极。第二晶体管利用连接结构来操作以通过控制所述第一晶体管处于关断状态和导通状态来提供电力。
晶体管源极漏极电源设备电连接沟道导电夹板导通状态电流流动共源共栅关断状态连接结构导体耦接电路

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