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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种消除物体表面沾污的方法及装置-CN202110937674.4有效
发明人：侯中宇;丁衡高;房茂波;田遵义 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除表面沾染的方法及其装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；分步地控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于沾染表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与被沾染表面所在的复杂气氛之间界面的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过；通过分步地构建状态不同的加速电场和调节气压，控制被沾染物质周围电子能量的时变过程和作用次序。
一种消除物体表面沾污方法装置

[发明专利]一种引导自由电子透过固体的方法及固体结构-CN202110937648.1有效
发明人：侯中宇;丁衡高;房茂波 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开一种引导自由电子透过固体的方法及结构。所述固体的外表面具有相对的第一界面和第二界面，第一界面和第二界面之间具有多个空腔结构；所述方法包括：控制固体的第一界面接触自由电子；向固体施加电场，使得聚集在空腔结构的至少部分自由电子从第二界面逸出。本发明能够使得能量范围更宽的自由电子透过，大大提高电子束技术的应用范围，解决传统电子束技术普遍存在的高能电子的韧致辐射等副产物问题。本发明所提出方法的实现结构利于通过微电子加工技术或激光技术、微纳增材制造技术加工实现，对集成度要求高的电子束系统应用适应性强。
一种引导自由电子透过固体方法结构

[发明专利]一种食品处理方法及装置-CN202110941068.X在审
发明人：侯中宇;丁衡高;房茂波 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： A23L5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种食品处理方法及装置。所述方法包括发射自由电子；生成自由电子加速电场，加速所发射的自由电子；生成自由电子碰撞过程调制电场，控制部分自由电子与所述调制电场中的气体分子相互作用产生碰撞电离过程，生成碰撞电离自由电子；控制自由电子和碰撞电离自由电子共同作用于食品表面。本发明通过场发射过程降低自由电子透过高真空区域与食品所在的常压气氛界面时的能量要求，通过分级分区域地结构设计，可实现低能自由电子的有效透过，更进一步地通过构建食品周边区域的加速电场和调节气压。本发明解决了电子束食品处理技术中的高能电子破坏营养物质问题，以及副产物多、应用条件复杂的问题，同时实现食品净化、保鲜可控。
一种食品处理方法装置

[发明专利]一维纳米结构极化增强放电电极-CN201210464656.X有效
发明人：侯中宇;房茂波 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
纳米结构极化增强放电电极

[发明专利]一种基于微间隙极化结构构造放电电场的电离式传感器-CN201310646172.1有效
发明人：侯中宇;房茂波;王孜;王艳芳;赵小林 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01N27/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微间隙极化结构构造放电电场的电离式气体传感器，包括：外接电路电极对、极化结构和大长径比材料，极化结构设置于外接电路电极对之间的区域，大长径比材料至少设置于极化结构和外接电路电极对中的一个部件上。本发明所述传感器在工作时，仅需要在外接电路电极上加载较低的电压，就能够通过极化结构的极化作用，在极化结构和外接电路电极之间产生足以电离目标气体分子的电场，从而有效降低传感器工作电压。与既有技术中外接电路电极对之间的微小间隙结构相比，可以有效防止灰尘、纤维等污染物掉落在微小间隙中所造成的不稳定和失效问题，同时能够提高信噪比和敏感度。
一种基于间隙极化结构构造放电电场电离传感器

[发明专利]一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置-CN201310001074.2有效
发明人：侯中宇;房茂波 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法，包括步骤：制备纳米材料混合液或纳米材料溶液；制造载气流场；形成纳米材料雾化液滴；载气流场带动纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。本发明还公开了一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置，包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器。本发明能够通过制造均匀的载气流场，实现均匀的雾化液滴流，极大地提高了基片表面雾化液滴的覆盖均匀性，从而提高纳米材料的成膜均匀性，更好地实现了对成膜厚度的控制。此外，本发明所述方案对操作环境、基片类型、纳米材料的类型等因素具有很好的适应性。
一种基片强适应性纳米材料均匀方法及其装置

[发明专利]一维纳米结构极化增强放电电极-CN201210468934.9无效
发明人：侯中宇;房茂波 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01J1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场极化增强的放电电极，用于产生等离子体，其包括阴极、阳极和两者之间的电场极化增强结构。其中电场极化增强结构由单个的一维纳米结构或多个一维纳米结构的排列构成，其与阴极和阳极皆不接触。本发明还提出了九种利用一维纳米结构构造的电场极化增强结构的结构，并提供了相应的电场极化增强的放电电极的结构和制备方法。本发明通过将由一维纳米结构构成的电场极化增强结构设置在阴极与阳极之间的区域，可降低产生等离子体所需要的工作电压，并且能够避免传统技术中由于气体放电或者液体放电过程中各种辐射和粒子轰击效应对一维纳米结构的损害，由此有利于维持一维纳米结构有益效果的稳定性并延长使用寿命。
纳米结构极化增强放电电极

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