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[发明专利]多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法-CN201811601638.5有效
发明人：张益军;王自衡;张景智;钱芸生;荣敏敏;方城伟;戴庆鑫;康天佑;张锴珉;舒昭鑫 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提出了一种多层级联式宽光谱响应光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的衬底、InGaAs缓冲层、p型Al0.8In0.2As腐蚀阻挡层、p型发射层以及保护层，其中，所述p型发射层包括自下而上依次设置的p型InxGa1‑xAs层、p型GaAs层、p型Ga1‑yAlyAs层。在发射层中，InxGa1‑xAs部分中In组分x自下而上逐层由0.2降低至0.05，GaAs层掺杂方式为变掺杂分布，Ga1‑yAlyAs部分中Al组分y自下而上逐层由0递增到0.9。本发明在发射层中采用变组分变掺杂技术，一方面提高了光生电子在发射层内的扩散长度，帮助光生电子向发射表面迁移，更有利于光生电子的发射。
多层级联光谱响应光电阴极及其制备方法

[发明专利]一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法-CN201710782391.0有效
发明人：张益军;张景智;冯琤;张翔;钱芸生;张俊举;戴庆鑫 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-09-02 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaAs光电阴极量子效率和寿命的激活方法，即在超高真空激活系统中，采用波长为532nm的单色光源替代传统的卤坞灯光源进行激活。其激活步骤包括：1.对待激活的GaAs样品进行化学清洗；2.对化学清洗后的样品进行高温净化；3.采用波长为532nm的单色光源照射阴极表面，通过Cs源持续，氧源断续的工艺对样品进行激活。通过上述方法所获得的GaAs光电阴极在量子效应和稳定性上都有了明显提高。
一种提高 gaas 光电阴极量子效率寿命激活方法

[实用新型]一种佩戴舒适的湿房镜-CN201921921124.8有效
发明人：汤书仪;赵文新;林雁娟;林兰钦;吴俪丽;戴庆鑫;王波;颜守义;张立永 -专利权人：福建医科大学附属协和医院
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： A61F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了湿房镜技术领域的一种佩戴舒适的湿房镜，包括两组左右对称设置的眼镜框，两组所述眼镜框的表面中部均安装有硬塑镜片，两组所述眼镜框的前表面左右两侧均对称固接有绷带连接块，两组所述眼镜框之间设置有连接绷带，所述连接绷带的左右两端分别固接在两组眼镜框前侧的相互靠近的绷带连接块上，本实用新型结构简单，使用方便，病人通过佩戴本湿房镜为手术病人的眼睛提供密闭湿润的环境，既能防止眼泪的蒸发，又能起到机械屏障作用，从而保护角膜与结膜并使它们始终维持湿润状态，很好地的减轻结膜和角膜干燥，减轻手术病人在全麻醉状态下因眼睑闭合不全而引起的一系列眼部不适症状。
一种佩戴舒适湿房镜

[发明专利]一种超高真空系统的高纯NF3-CN201911159030.6在审
发明人：张益军;戴庆鑫;钱芸生;张锴珉;张景智;舒昭鑫;荣敏敏;程宏昌;拜晓锋 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空系统的高纯NF3进气控制装置及方法。该装置包括一级减压阀、二级减压阀、球阀、可调节微量进气阀、三通、涡轮分子泵角阀、四极质谱仪、真空规、超高真空激活室、钛升华泵、溅射离子泵、涡轮分子泵和机械泵。方法为：首先关闭微量进气阀，打开一级减压阀、二级减压阀和球阀，使管道充满NF3气体；然后关闭球阀，打开涡轮分子泵角阀，对进气管道中的残气进行抽取；接着关闭角阀，打开球阀，用NF3对进气管道进行冲洗；最后通过可调节微量进气阀控制进入超高真空系统的NF3气体，利用四极质谱仪和真空规分别检测NF3的分压强和系统真空度。本发明能够清除进气管道内残余空气，并对NF3进气量进行微量精确控制。
一种超高真空系统高纯 nf base sub

[发明专利]砷化镓光电阴极的清洗方法-CN201910838128.8在审
发明人：张益军;荣敏敏;方城伟;张锴珉;舒昭鑫;张景智;戴庆鑫;王自衡 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓光电阴极的清洗方法，包括采用有机溶剂超声波清洗，去除阴极表面油脂；采用去离子水超声波清洗；干燥阴极表面；采用紫外臭氧清洗；采用氢氟酸刻蚀，去除阴极表面氧化物；去离子水冲洗阴极表面残留的酸；干燥阴极表面。本发明避免了强酸强碱等高危害性溶剂的使用，可有效去除砷化镓表面污染物，得到清洁效果好、量子效率高的砷化镓光电阴极。
砷化镓光电阴极清洗方法

[发明专利]一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射激活方法-CN201710782382.1在审
发明人：张益军;冯琤;张翔;张景智;钱芸生;张俊举;戴庆鑫 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-09-02 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaAs光电阴极光谱响应和稳定性的单色光照射条件激活方法，即在超高真空激活系统中，采用在红光波段的单色光光照下进行激活。包括如下步骤：1、对GaAs光电阴极进行脱脂清洗；2、对GaAs光电阴极进行化学刻蚀；3、在超高真空系统中对GaAs光电阴极进行高温净化；4、对净化后的GaAs光电阴极在红光波段的单色光光照下进行(Cs，O)激活。通过上述方式，本发明可以得到光谱响应更高、稳定性更好的GaAs光电阴极。
光电阴极光谱响应单色光照射单色光激活波段红光光照超高真空系统超高真空高温净化化学刻蚀激活系统条件激活脱脂清洗净化