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[实用新型]二极管器件-CN202320626951.4有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二极管器件，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本实用新型能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件

[发明专利]二极管器件及其制作方法-CN202310310085.2在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管器件及其制作方法，其中，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元胞结构相间隔地排布于所述N‑漂移区的上部，每个所述高阻抗元胞结构包括两个P+型离子注入区和位于两个所述P+型离子注入区之间的阻抗区；阳极金属层，所述阳极金属层位于所述N‑漂移区之上。本发明能够增强二极管器件的浪涌能力。
二极管器件及其制作方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211677913.8在审
发明人：林茂;戚丽娜;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层，所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置，所述硅片的上部具有有源区，所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有源区窗口，所述阳极金属层覆盖所述有源区窗口和所述场氧化层，其中，在所述有源区内间隔设置有多个高掺杂P区，每两个高掺杂P区之间设置有层叠区，所述层叠区包括位于下半部的低掺杂P区和位于上半部的低掺杂N区。本发明能够降低快恢复二极管正面注入效率，在反向偏置时提供正面空穴电荷的抽取通道，更快地使器件进入截止状态，大大降低反向恢复损耗，提升反向恢复能力。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种用于医院防止细菌传播的消毒装置-CN202310005242.9在审
发明人：杨琳;刁敏;鹿扬;戚丽娜 -专利权人：山东第一医科大学第二附属医院
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： E06B3/50 文献下载
摘要：本发明涉及医疗安全卫生领域，尤其涉及一种用于医院防止细菌传播的消毒装置。一种用于医院防止细菌传播的消毒装置，包括有顶板，顶板固接有第一支撑架，第一支撑架固接有第一驱动件，第一驱动件输出端固接有第一齿轮，顶板依次固接有第一墙体，其中第三墙体、第四墙体和第五墙体固定连接，第一墙体固接有气体循环组件，气体循环组件设置有控制面板，对称设置有脚踏感应器，脚踏感应器与控制面板电连接。通过设置第一转动门和第二转动门双层门的配合开关，防止第二转动门与装置内部过多的接触的同时，防止因两侧病房门同时打开而导致细菌和污染物的传播，通过设置封闭组件，分情况对门缝进行封闭，防止细菌和污染物因门缝进行传播扩散。
一种用于医院防止细菌传播消毒装置

[发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202211192838.6在审
发明人：林茂;俞义长;戚丽娜;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，包括：在完成硅片正面工序后，在PN结到硅片背面之间且靠近PN结的第一目标区域进行氦注入，注入能量为第一能量，剂量为第一剂量；在硅片正面与PN结之间的第二目标区域进行氦注入，其中，注入能量为第二能量，剂量为第二剂量；在保护气体的保护下以预设温度进行退火，以修复注入过程中的损伤；将硅片背面减薄，采用蒸发或溅射法在硅片背面制作背面金属层，形成金属阴极层。由此，通过两次进行氦注入，精准地控制器件的反向恢复特性，而且无需在其他正面工艺和衬底材料上进行调整，大大降低了生产成本，提升了器件整体性能。
恢复二极管制备方法

[发明专利]新型IGBT器件及其制备方法-CN202211057626.7在审
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型IGBT器件及其制备方法，其中，所述新型IGBT器件，包括衬底、基区、阱区和源区，其中，基区在衬底上外延形成，阱区设置在基区上，源区设置在阱区上，并且在基区、阱区和源区中还设有沟槽，沟槽内设有多晶硅栅，此外，阱区内还设有通道层，以用于均匀分散源区电流。本发明通过设置通道层，能够将整个器件分为上下层，以保证上层电流沟道部分开启、下层电流沟道全部开启，从而能够避免常规结构沟道下方只有部分区域开启造成的漂移区电流集中的现象，进而能够增强器件的可靠性。
新型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种医院用手部消毒装置-CN202210620790.8在审
发明人：杨琳;刁敏;鹿扬;戚丽娜 -专利权人：山东第一医科大学第二附属医院
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： A61M35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种医院用手部消毒装置。为了解决现有装置进行喷雾时，会出现喷雾消毒不均匀的现象，以及在烘干过程中，热风会将悬浮在消毒器空腔中的消毒气雾吹至人脸上的技术问题。现提出如下方案：一种医院用手部消毒装置，包括有环形舱体和消毒组件等；环形舱体上部安装有消毒组件。使用时由于同一列的喷雾头大小从上至下依次减小设置，使得对手部均匀喷射消毒液，大大提高消毒效果；通过防尘板对消毒筒进行遮挡，避免外界环境中的灰尘飘落至消毒筒内部，通过气泵将残留在消毒筒吸除再进行烘干操作，避免了将消毒液雾吹至人脸上的现象，大大减小安全隐患，通过第一吸附块将气流中的消毒液雾吸除，避免出现消毒液雾腐蚀加热丝的现象。
一种医院用手消毒装置

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN202011554066.7在审
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本发明的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
igbt 器件及其制作方法

[实用新型]芯片的封装结构-CN202121035277.X有效
发明人：井亚会;俞义长;戚丽娜;周辉;周昕;张景超;陈国康;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片的封装结构，所述芯片为多个，所述封装结构包括：载片台，载片台用于承托多个芯片；防水槽，防水槽设置在载片台的周边；防溢槽，防溢槽设置在相邻的两个芯片之间，且防溢槽的长度大于芯片在防溢槽方向的最短边的长度，防溢槽的宽度在0.05‑0.1mm之间，防溢槽的深度为载片台厚度的1/10‑1/5之间。该结构通过在载片台的芯片之间设置防溢槽，芯片焊接时溢出焊料可以进入防溢槽中，避免影响相邻芯片，且可以使芯片尺寸单边增加0.35‑0.55mm，从而可以提高芯片封装的集成性。
芯片封装结构

[实用新型]新型沟槽IGBT半导体器件-CN202121121004.7有效
发明人： 戚丽娜;张景超;井亚会;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种新型沟槽IGBT半导体器件，包括衬底，以及在所述衬底上依次外延形成的基区、阱区、源区，并且在所述基区和所述阱区中还设有多个真沟槽栅单元，以及设置于相邻所述真沟槽栅单元之间的假沟槽栅单元，其中，每个所述真沟槽栅单元两侧分别设有源区，并且在每个所述真沟槽栅单元和每个所述假沟槽栅单元底部还设有底部掺杂区。本实用新型能够实现局部超结结构以提高击穿电压，并能够实现结构厚度的降低以减小压降，从而能够减小电容面积和密勒电容，保证器件的性能。
新型沟槽 igbt 半导体器件

[实用新型]一种便携式可折叠可调节上臂消毒支撑架-CN202121573727.0有效
发明人： 戚丽娜;宋伟 -专利权人：泰安市中心医院
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及辅助架技术领域，具体地说是一种便携式可折叠可调节上臂消毒支撑架，包括三角架，所述三角架的上部固定连接伸缩杆，伸缩杆的上部铰接连接具有锁止功能的悬梁的内端，悬梁的外端活动连接有沿悬梁外端翻转且具有锁止功能的凹型枕，凹型枕上设置有约束带；三角架的下部设置有朝地面上下移动的吸盘。本申请的使用，不仅能为病人在手臂消毒时，为病人手臂起到支撑作用，防止病人手臂长时间悬空导致的疲劳;同时对于无法自行抬高上臂需要人力帮助的患者，本实用新型可有效减少人力。并且在使用完毕后，能将设备折叠收起，减少设备占据的空间。
一种便携式可折叠调节上臂消毒支撑架

[实用新型]一种可辅助佩戴无菌手套操作者单人抽吸液体的支架-CN202120945963.4有效
发明人： 戚丽娜;狄杰斌;刘金英;朱世华 -专利权人：泰安市中心医院
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可辅助佩戴无菌手套操作者单人抽吸液体的支架，包括安装有支腿的支撑架，以及通过第一横轴与支撑架铰接的托盘，托盘下方设有通过第二横轴与支撑架铰接的脚踏板，第二横轴与第一横轴平行，脚踏板的前端铰接有连杆，连杆远离脚踏板的一端与托盘铰接，且连杆与托盘的铰接点位于托盘与支撑架铰接点的一侧。本实用新型方便液体袋固定和抽吸操作，使得佩戴无菌手套的操作者可以踩踏脚踏板使托盘来回摆动，实现液体的混匀，方便控制托盘的倾斜角度，给操作者合适的抽吸角度，更便于液体抽吸；通过本支架的辅助，可在人员不足的情况下，符合无菌原则同时，无菌操作者独立完成液体的抽吸，降低感染风险，可有效降低对人力的依赖性。
一种辅助佩戴无菌手套操作者单人抽吸液体支架

[实用新型]一种二极管-CN202023160189.0有效
发明人：张景超;林茂;戚丽娜;井亚会 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种二极管，所述二极管包括N基体、有源区P+层和多个mos结构，N基体上形成有有源区P+层，有源区P+层内设有多个mos结构，有源区P+层上设有阳极金属，mos结构包括沟槽，沟槽内形成有栅氧化层和多晶硅，沟槽外设有与阳极金属电连接的N+层，沟槽上设有绝缘介质层以隔开多晶硅和阳极金属，当二极管施加反向电压增大时，多晶硅施加开启电压，沟槽外形成导电沟道，导电沟道与二极管内的空间电荷区连接，二极管内形成反向电流。本实用新型提供的一种二极管，能够在一定反向电压范围内具有特定反向电流能力，并且该二极管的雪崩耐量能力远远超过普通二极管。
一种二极管

[实用新型]一种功率半导体器件-CN202023160225.3有效
发明人：张景超;戚丽娜;林茂;井亚会;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括N基体和中间P+层，所述N基体的顶部两端均设有有源区N+层和包裹所述有源区N+层的P区，所述P区包括沟道P‑层，所述沟道P‑层被配置在所述有源区N+层的内侧，所述栅氧化层被配置在所述N基体的表面中部，并覆盖到所述有源区N+层，所述中间P+层被配置在两个所述P区之间，且与两个所述P区相连。本实用新型提供的一种功率半导体器件，能够在漏极施压时降低栅氧化层承受的电场强度，减小栅氧化层被击穿的几率，提高器件的可靠性，同时可保证器件的沟道密度。
一种功率半导体器件

[实用新型]IGBT器件-CN202023167932.5有效
发明人：张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT器件，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本实用新型的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
igbt 器件

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