专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN202210979529.7在审
  • 金柱然;姜尚廷;金真雨;成有梨 - 三星电子株式会社
  • 2022-08-16 - 2023-06-09 - H01L27/092
  • 提供了半导体装置,其包括:基底,包括PMOSFET区域和NMOSFET区域;以及PMOSFET区域上的第一晶体管和NMOSFET区域上的第二晶体管,第一晶体管包括:第一栅极介电层,在基底上;第一下金属图案,在第一栅极介电层上;第二下金属图案,在第一下金属图案上;以及第一中间图案,在第一下金属图案与第二下金属图案之间,第二晶体管包括:第二栅极介电层,在基底上;第三下金属图案,在第二栅极介电层上;以及第二中间图案,在第二栅极介电层与第三下金属图案之间,第一中间图案和第二中间图案均包括镧,第一下金属图案至第三下金属图案均包括金属氮化物,并且第一下金属图案的厚度大于第三下金属图案的厚度。
  • 半导体装置

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