专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种方便喷药的口腔科喉部喷药装置-CN202210843676.1在审
  • 王海燕;顾艳;姜金凤;成亚楠;李艳楠;葛加晶 - 南通大学附属医院
  • 2022-07-18 - 2022-09-23 - A61M31/00
  • 本发明公开了一种方便喷药的口腔科喉部喷药装置,包括喷药器本体,喷药器本体正面中心处固定安装有密封套,喷药器本体一侧面中间部分开设有凹槽,凹槽内设置有安装块,喷药器本体背面开设有内槽,内槽内插设有药盒,安装块内开设有安装槽,安装槽内两侧均设置有滑柱,安装槽内固定安装有卡固机构,卡固机构包括螺杆、升降螺纹板、转把和卡固块,该口腔科喉部喷药装置通过设置含球可以方便儿童和老人将出药口含入口腔,从而避免了传统的张口对准喷药时需要病人张大口腔进行对准配合时的繁琐步骤,提升了使用者的体感舒适度,同时通过设置卡固机构可以方便的对药盒进行拆卸和固定,有效的降低了更换药盒的步骤,降低了安装难度,实用性更强。
  • 一种方便口腔科喉部装置
  • [发明专利]一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路-CN202210412224.8在审
  • 张春福;张泽阳;成亚楠;陈大正;郭云峰;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2022-04-19 - 2022-09-09 - G01R31/28
  • 本发明公开了一种FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路,包括待测N型FinFET管M0、第一电流镜、第二电流镜、第一电阻R0和第二电阻R1,其中,待测N型FinFET管M0的栅极连接外部电源信号VG,漏极同时连接第一电流镜的输入端和第二电流镜的输入端,源极连接接地端;第一电阻R0连接在接地端与第二电流镜的输出端之间,第二电阻R2连接在接地端与第一电流镜的输出端之间;第一电流镜和第二电流镜均用于捕获待测N型FinFET管M0发生单粒子效应后产生的瞬态电流。本发明的FinFET单管单粒子瞬态效应的测试电路,当器件发生单粒子效应后,产生瞬态电流被电流镜捕获,根据电流大小,器件的漏端电压通过内部电路进行偏置,减弱了外加电源对瞬态特性的噪声影响。
  • 一种finfet单管单粒子瞬态效应测试电路
  • [发明专利]片上集成慢光波导的半导体激光器-CN202010324587.7有效
  • 姚丹阳;张春福;郝跃;陈大正;成亚楠 - 西安电子科技大学
  • 2020-04-23 - 2022-06-10 - H01S5/20
  • 本发明公开了一种片上集成慢光波导的半导体激光器,主要解决现有半导体激光器出射光束远场发散的问题。其包括:激光器有源区(1)、衬底(2),转向结构(3)和慢光波导结构(4),该激光器有源区(1)位于衬底(2)外延层方向的一侧,该转向结构(3)位于衬底(2)外延层方向的另一侧,用于改变激光器有源区垂直出射的激光光束传播方向;该慢光波导结构(4)位于衬底(2)沿脊宽方向的一侧,用于实现相干光束阵列的发射,降低光束远场发散角。本发明有助于大幅度降低半导体激光器的远场发散角,从而提高半导体光源的系统集成度,可用于激光红外干扰,片上光互联及空间光通信。
  • 集成波导半导体激光器
  • [发明专利]一种抗单粒子效应的FinFET器件及制备方法-CN202011084760.7有效
  • 张春福;张泽阳;成亚楠;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2020-10-12 - 2021-11-02 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种抗单粒子效应的FinFET器件及制备方法,该制备方法包括:制备掺杂离子的衬底层;在衬底层上制备停止层和若干与鳍部的预设横截面的形状和大小相同的侧墙;刻蚀停止层和衬底层以在剩余的衬底层上形成若干鳍部;对鳍部与衬底层的连接拐角处进行局部氧化;在停止层与衬底层上制备覆盖停止层与衬底层的氧化物层;对氧化物层进行平坦化处理,以暴露停止层的上表面;刻蚀部分高度的氧化物层,以保留位于衬底层上预设高度的所述氧化物层;去除位于鳍部上的停止层;在鳍部上沉积栅氧化物层;在栅氧化物层上沉积栅极。本发明制备的FinFET器件使得FinFET的单粒子效应的电流通道更长,降低寄生晶体管增益,从而有效的避免了FinFET的单粒子效应。
  • 一种粒子效应finfet器件制备方法
  • [发明专利]可调节式持针器-CN201911011171.3有效
  • 王海燕;张翠红;程红霞;葛加晶;陆毅;成亚楠;戴静静 - 南通大学附属医院
  • 2019-10-23 - 2020-12-29 - A61B17/06
  • 本申请提供了一种可调节式持针器,属于医疗器械领域。可调节式持针器包括铰接连接的两个夹持件,夹持件包括位于铰接处一侧的夹持段,夹持段包括靠近铰接处设置的连接部以及位于连接部远离铰接处一侧的夹持部,夹持部沿靠近或远离另一夹持部方向可转动地连接于连接部;持针器还包括分别设置于每个夹持段上的调节装置,调节装置分别连接于连接部的外侧以及夹持部的外侧以用于调节夹持部与连接部之间的夹角。本申请的可调节式持针器具有不同的夹持姿态,进而实现通过调节持针器的夹持姿态来满足不同持针姿态的需求,避免手术医生需要通过调整对持针器的握持姿态来满足不同持针姿态的需求,降低了手术的操作难度。
  • 调节式持针器

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