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[发明专利]有机发光显示设备-CN201110112500.0有效
发明人：鲁硕原;姜泰旻;李在濠;宣轸元;徐旼彻 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：多个薄膜晶体管(TFT)；平坦化层，覆盖所述多个TFT；多个像素电极，形成在平坦化层上，每个像素电极利用穿过平坦化层的通孔连接到所述多个TFT中的对应的TFT，每个像素电极具有发光部分和非发光部分，每个通孔位于距离围绕通孔的每个发光部分最远的位置；像素限定层，形成在平坦化层上，以覆盖通孔和非发光部分中的每个；多个有机层，每个有机层包括发射层并设置在对应的发光部分中；对电极，设置在每个有机层上。
有机发光显示设备

[发明专利]有机发光显示设备-CN201110082986.8有效
发明人：朴镇佑;郑明钟;姜泰旻;徐旼彻;表相佑;金范俊;金孝妍 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示设备。有机发光显示设备包括：第一子像素、第二子像素和第三子像素，显示不同的颜色；基底；第一电极，设置在基底上；第二电极，设置在第一电极上，面向第一电极；有机发射层，设置在第一电极和第二电极之间，包括第一有机发射层、第二有机发射层和第三有机发射层；电子受体层，设置在第一电极和第二电极之间，被构造为接触有机发射层，其中，第一有机发射层设置在第一子像素中，第二有机发射层设置在第二子像素中，第三有机发射层共同设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中；电子受体层在第一子像素中设置在第一有机发射层和第三有机发射层之间，并在第二子像素中设置在第二有机发射层和第三有机发射层之间。
有机发光显示设备

[发明专利]防止基板变形-CN201010273756.5有效
发明人：具在本;申铉秀;徐旼彻;牟然坤 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2005-11-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种防止由于热应力或沉积应力而变形的基板，包括：设置在该基板一个表面上的变形防止层。该基板可以包括设置在该基板的一个表面上的薄膜晶体管和变形防止层，该变形防止层设置在该基板的另一个表面上并包括至少一层。
防止变形

[发明专利]有机发光装置-CN200910262169.3有效
发明人：高三一;郑栋爕;赵宰莹;赵晟佑;徐旼彻 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光装置。有机发光装置(OLED)包括：基板；第一电极；第二电极，面对第一电极；第一蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层以及第二蓝色发光层，都插设在第一电极与第二电极之间；以及滤色器，设置在从发光层发射的光的路径中，其中第一蓝色发光层包括深蓝色掺杂剂，第二蓝色发光层包括天蓝色掺杂剂。
有机发光装置

[发明专利]有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件-CN200910224556.8有效
发明人：安泽;徐旼彻;朴镇成 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。
有机薄膜晶体管制造方法包含发光显示器件

[发明专利]具有调色层的全色有机发光装置-CN200810185341.5有效
发明人： 徐旼彻;郑昊均;李城宅;权章赫 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有调色层的全色有机发光装置，包括：基板；及第一像素区、第二像素区和第三像素区，其中每个像素区包括：第一电极，位于基板上；第二电极，位于第一电极上，其中第二电极为透明电极；有机功能层，插在第一与第二电极之间，有机功能层具有发射层；调色层，通过激光诱导热成像法形成，并且位于第二电极上，其中第一像素区的调色层和第二像素区的调色层每个包括滤色片和色彩转变介质，且第三像素区的调色层为滤色片；及上覆层，形成在调色层上，其中第一像素区中的调色层与第二像素区中的调色层和第三像素区中的调色层分开，且其中所述发射层发射蓝光。
具有调色全色有机发光装置

[发明专利]有机电泳显示装置及其制造方法-CN200710109283.3无效
发明人： 徐旼彻 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：一种电泳显示装置包括：包括薄膜晶体管的第一基板；与第一基板附接并包括电泳粒子和电泳分散介质的第二基板；以及与第二基板附接并包括滤色体的第三基板。
有机电泳显示装置及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管、其制法及包括其的平板显示器-CN200610160585.9有效
发明人：朴镇成;安泽;徐旼彻 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C₆－C₃₀芳基和未取代或取代的C₂－C₃₀杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。
有机薄膜晶体管制法包括平板显示器

[发明专利]有机薄膜晶体管及包含其的有机发光显示装置-CN200710001861.1有效
发明人：姜泰旻;安泽;徐旼彻 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-01-02 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种在电极布线层的顶部具有形成图案的有机半导体层的有机薄膜晶体管(OTFT)。为了避免对下方电极布线层的损伤，对有机半导体层形成图案使得在电极布线层上的有机半导体层不被移除。形成图案的有机半导体层完全覆盖所有的下方的电极布线层。该OTFT包括栅电极、与栅电极绝缘的源和漏电极，以及与栅电极绝缘并连接到源和漏电极的有机半导体层，其中有机半导体层完全覆盖源和漏电极。此外，还涉及一种有机发光显示装置，包括不止一个OTFT，以及电连接到电导体的有机发光元件。
有机薄膜晶体管包含发光显示装置

[发明专利]有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件-CN200610159812.6有效
发明人：安泽;徐旼彻;朴镇成 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。
有机薄膜晶体管制造方法包含发光显示器件

[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及使用薄膜晶体管的平板显示器-CN200510121739.9无效
发明人： 徐旼彻;具在本;牟然坤;安泽;郑棕翰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。
薄膜晶体管制造方法以及使用平板显示器

[发明专利]平板显示装置及其制造方法-CN200610105419.9有效
发明人： 徐旼彻;安泽;朴容佑 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-06 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成衬底上方的栅极；形成在源极和漏极以及栅极之间的绝缘层，绝缘层具有开口；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。
平板显示装置及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法及平板显示器-CN200610093471.7有效
发明人：安泽;徐旼彻;牟然坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种防止有机半导体层的表面损坏并减小关断电流的有机薄膜晶体管及其制造方法，和一种结合该有机薄膜晶体管的有机发光器件。有机薄膜晶体管包括衬底、在衬底上设置的源和漏电极、接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层、在半导体层上设置的且具有与半导体层相同的图形的保护膜，该保护膜包括激光吸收材料、设置在栅和源和漏电极之间的栅绝缘膜、设置在栅绝缘膜上的栅电极、以及在半导体层和保护膜内设置的分离图形，该分离图形适于限定半导体层的沟道区。
有机薄膜晶体管及其制造方法平板显示器

[发明专利]有机TFT,其制造方法以及平板显示器件-CN200610099617.9有效
发明人：李宪贞;徐旼彻;具在本 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管(TFT)，一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中，由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极，而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异，所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜，通过蚀刻缓冲膜，在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元，在缓冲膜上形成电极层，使用光刻工艺，通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极，在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。
有机 tft 制造方法以及平板显示器件

[发明专利]有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器-CN200610089815.7有效
发明人： 徐旼彻;朴容佑;牟然坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括：处理基底表面的预定部分；在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极；形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分；在所述基底上形成栅绝缘层；并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF₄或C₃F₈的氟基气体进行等离子体表面处理。
有机薄膜晶体管制造方法包括平板显示器

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