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- [实用新型]电动播撒机-CN201721071614.4有效
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查霞红;赵凤丽;张铭菊
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苏州宝时得电动工具有限公司
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2017-08-24
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2018-05-08
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A01C7/08
- 一种电动播撒机,其包括主体、下料组件、播撒组件、驱动组件以及电池包,主体上开设有电源接口,电池包可插拔地与电源接口电连接;下料组件包括料斗,料斗安装于主体上且其上开设有下料口;播撒部件通过下料口与料斗连通,驱动组件设置于主体内并电连接于电池包与播撒部件之间,用于为播撒部件提供驱动力。本实用新型电动播撒机中,采用电池包供电,续航能力较强,有利于满足长时间工作;当播撒工作完成后,亦可将尚存有电量的电池包拔下,再次插入其它电动工具的电源接口内,以为电动工作继续供电,实现一物两用的作用,操作方便且通过电动方式进行播撒,有利于提高工作效率。
- 电动播撒
- [发明专利]一种制备InP薄膜材料的方法-CN201410160592.3有效
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刘兴泉;刘一町;张铭菊;何永成
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电子科技大学
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2014-04-21
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2014-07-09
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C23C16/44
- 本发明提供一种制备InP薄膜材料的方法,以In2O3、P2O5为起始原料,将In2O3与P2O5按摩尔比混合,密封与真空安瓶中,在500℃~600℃条件下反应生成InPO4固体材料;然后以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂,采用高温原位固相类萃取反应气相沉积法,在垂直梯度冷凝薄膜沉积装置中,在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底上成功制备得厚度完全可控的、具有高结晶度的、高纯度单一物相的InP薄膜材料;本发明适用于较大规模的制备InP薄膜材料,制备周期短,对衬底材料适应性强;使用原料简单、价廉易得,且均为固体或无毒气体,对环境无污染,制备工艺简单、易于操作,产品制备成本极低。
- 一种制备inp薄膜材料方法
- [发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法-CN201310750279.0有效
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刘兴泉;张铭菊;刘一町;何永成
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电子科技大学
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2013-12-31
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2014-06-18
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C30B25/02
- 本发明提供一种制备GaP薄膜材料的方法,以Ga2O3、P2O5为起始原料,将Ga2O3与P2O5进行等摩尔比混合,密封于真空安瓶中,在500℃~600℃条件下反应,生成GaPO4;然后打碎安瓶,以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂,采用自创的高温原位固相类萃取反应气相沉积法,在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底(基片)上成功制备得厚度可控的、灰黑色的、具有较高结晶度、高纯度单一物相的GaP薄膜材料。本发明使用的原料简单,价廉易得,均为固体或无毒气体,对环境无污染,对操作人员无安全威胁;制备设备简单,制备周期短,对衬底(基片)材料适应性强,制备成本较低,可实现较大规模的GaP薄膜材料制备。
- 一种制备gap薄膜材料方法
- [发明专利]一种制备GaAs薄膜材料的方法-CN201310750145.9有效
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刘兴泉;张铭菊;刘一町;何永成
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电子科技大学
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2013-12-31
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2014-05-28
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C23C16/44
- 本发明提供一种制备GaAs薄膜材料的方法,以Ga2O3,As2O3或As2O5为原料,将Ga2O3与As的氧化物进行等摩尔比混合,密封于真空安瓶中,在500℃~600℃条件下反应,生成GaAsO3或GaAsO4;然后打碎安瓶,以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂,采用自创的高温原位固相类萃取反应气相沉积法,在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底(基片)上成功制备得厚度可控的、灰黑色的、具有较高结晶度、高纯度单一物相的GaAs薄膜材料。本发明使用的原料简单,价廉易得,均为固体或无毒气体,对环境无污染,对操作人员无安全威胁;制备设备简单,制备周期短,对衬底(基片)材料适应性强,制备成本低,可实现较大规模的GaAs薄膜材料制备。
- 一种制备gaas薄膜材料方法
- [发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法-CN201210552003.7有效
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刘兴泉;张铭菊
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常州星海电子有限公司
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2012-12-19
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2013-06-26
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C23C14/06
- 本发明公开了一种制备GaP薄膜材料的方法,以Ga2O3,P2O5以及还原萃取剂为原料,加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇,研磨均匀后,用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材,然后将其放置于反应器刚玉坩埚中,用高纯氮气抽真空,置换到氧气浓度为ppm级,然后再用混合气体抽真空置换1~2次,抽真空至7~13Pa,控制升温速度在5~10℃/min范围内,反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内,恒温3~4h,其间保持真空度不小于-0.08MPa;当反应区温度达到预定温度后,自然降温至室温,充入混合气体至常压后,即得到棕红色的GaP薄膜,本发明使用的原料简单,价廉易得,且均为固体或无毒气体,对环境无污染,对操作人员无安全威胁。
- 一种制备gap薄膜材料方法
- [发明专利]一种制备InP薄膜材料的方法-CN201210552726.7有效
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刘兴泉;张铭菊
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常州星海电子有限公司
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2012-12-19
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2013-06-19
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C01B25/08
- 本发明公开了一种制备InP薄膜材料的方法,以In2O3,P2O5以及还原萃取剂为原料,加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇,研磨均匀后,用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材,然后将其放置于反应器刚玉坩埚中,用高纯氮气抽真空,置换到氧气浓度为ppm级,然后再用混合气体抽真空置换1~2次,抽真空至7~13Pa,控制升温速度在5~10℃/min范围内,反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内,恒温3~4h,其间保持真空度不小于-0.08MPa;当反应区温度达到预定温度后,自然降温至室温,充入混合气体至常压后,即得到灰黑色的InP薄膜,本发明使用的原料简单,价廉易得,且均为固体或无毒气体,对环境无污染,对操作人员无安全威胁。
- 一种制备inp薄膜材料方法
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