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[发明专利]体硅内空腔结构及其制备方法-CN202310745056.9在审
发明人：郑德印;王玮;张驰;张铁宾 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。
体硅内空腔结构及其制备方法

[发明专利]一种冷却装置及其制备方法-CN202310312470.0在审
发明人：王玮;张铁宾;郑德印 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本发明涉及一种冷却装置，该冷却装置利用多孔结构在蒸发界面处产生的毛细压差作为冷却液体传输的驱动力，能够实现冷却液体的自驱动，无需额外设置泵送系统，减少冷却装置的空间占用，同时降低功耗；另外，具有亚微米尺度孔径的多孔结构能够促进冷却液体蒸发，因而散热能力更强。此外，本发明还涉及所述冷却装置的制备方法，该方法基于成熟的硅基加工工艺，避免了工艺不兼容。
一种冷却装置及其制备方法