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[发明专利]一种横向高压功率半导体器件及生产工艺-CN202310673174.3在审
发明人： 张銮喜;王珩宇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压功率半导体器件及生产工艺，包括衬底、漂移区、位于漂移区顶部的第二导电类型高掺杂阱区、第二导电类型横向掺杂顶层区、第一导电类型高掺杂阱区、位于漂移区上的场氧化层、阴极金属层、阳极金属层以及器件顶部的钝化层，阳极金属层与第二导电类型高掺杂阱区之间形成阳极欧姆接触层，阳极金属层与漂移区之间形成阳极肖特基接触层，阴极金属层与第一导电类型高掺杂阱区之间形成阴极欧姆接触层，场氧化层与第二导电类型横向掺杂顶层区相接触，第二导电类型横向掺杂顶层区内形成窄槽，窄槽内填充有电介质。本发明优化了横向器件的表面电场分布，有效抑制了表面电场的掉落，在保证较低比导通电阻的同时提高了器件的耐压性能。
一种横向高压功率半导体器件生产工艺

[发明专利]一种具有双沟槽源极结构的沟槽栅LDMOS器件及生产工艺-CN202310672810.0在审
发明人： 张銮喜;王珩宇;王策 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双沟槽源极结构的沟槽栅LDMOS器件及生产工艺，涉及半导体器件技术领域，本发明技术方案沟槽栅LDMOS结构通过引入具有双沟槽结构的源极，缓解了曲率效应，通过增加P+区域的有效曲率半径，在源极区域的P+电场峰值大幅度降低，扩大了RESURF掺杂剂量的窗口，改善了因为RESURF剂量的波动对于击穿电压的大幅度影响；除此之外，由于源极的深层沟槽将电场从栅极的沟槽中向外推开，关断状态下氧化物的电场强度大幅度减少到小于3MV/cm；同时源极双沟槽结构提供了增强的屏幕效应，从而降低了栅极到漏极的电容。
一种具有沟槽结构 ldmos 器件生产工艺

[发明专利]一种碳化硅器件的无键合线新型封装结构及其封装方法-CN202310357213.9在审
发明人： 张銮喜;王珩宇;张弛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及半导体封装技术领域，解决了现有封装技术以键合线为引线，存在一定的寄生电感以及不易散热的问题，公开了一种碳化硅器件的无键合线新型封装结构及其封装方法，包括芯片、底部铜箔、粘接密封层、高温玻璃纤维、电极铜柱、外围铜柱、顶部铜箔以及环氧树脂，所述顶部铜箔通过图形化分出所需的不同电极的金属部分，每一部分的金属对应下方所述芯片所在位置的电极，所述不同电极的金属部分上方的高温玻璃纤维在所述芯片的电极位置开设有第一点阵，该新型封装结构不存在键合线，而是用铜柱代替，属于全嵌入式封装，从而能够获得极低的电感以及最佳的热阻，使得器件的功率密度提高，并且功耗降低，大大的提高了整体的散热效果。
一种碳化硅器件无键合线新型封装结构及其方法

[发明专利]一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计-CN202310357192.0在审
发明人： 张銮喜;王珩宇;周翰;程浩远 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种增强型RESURF与宽槽终端结构的横向功率器件的新型版图设计，解决了现有技术中器件在导通和关断时会出现不同区域导通和关断不均匀，以及器件叉指区边缘终端处引起曲率效应，电场聚集,器件易于击穿的问题，包括阳极金属区域、阴极金属区域、轻掺杂漂移区、RESURF掺杂区、RESURF沟槽和宽槽终端，能够缓解版图边缘部分的曲率效应，降低电场尖峰，提高器件整体阻断电压，通过增强型RESURF结构以及宽槽终端结构，宽槽终端的形状根据把不同的版图结构而确定，紧密贴合包围整个有源区，有效提高了器件阻断电压，降低了漏电流，增强型终端结构介于两电极之间，形状分布根据版图设计类别确定。
一种增强 resurf 终端结构横向功率器件新型版图设计