专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]芯片内部动态压降补偿方法和装置-CN201611020858.X有效
  • 张译夫;王茹;杨梁;肖斌 - 龙芯中科技术有限公司
  • 2016-11-21 - 2020-04-07 - G05F1/56
  • 本发明提供一种芯片内部动态压降补偿方法和装置,该方法可以应用于芯片的每一个设计阶段,该方法包括:在芯片的当前设计阶段,确定芯片包括的多个芯片模块,获取每个芯片模块的瞬态压降和静态压降,并根据每个芯片模块的瞬态压降和静态压降,确定芯片内部需要进行电压补偿的位置,由于该多个芯片模块由芯片要实现的功能、芯片的规模大小划分得到,该芯片的每个芯片模块包括至少一个器件,因而该方法能够覆盖芯片运行的所有可能性,从而有效保证芯片瞬态压降的准确性,提高了芯片使用过程中的正确性。
  • 芯片内部动态补偿方法装置
  • [发明专利]芯片压降的测量装置及方法-CN201510100234.8有效
  • 张译夫;杨梁 - 龙芯中科技术有限公司
  • 2015-03-06 - 2019-02-15 - G01R19/10
  • 本发明提供一种芯片压降的测量装置及方法。本发明提供的芯片压降的测量装置包括:设置在芯片中的压控振荡器、反相器延迟链和数据处理模块;压控振荡器用于产生时钟信号,在芯片压降发生变化时,该压控振荡器产生的时钟信号的频率随芯片压降的变化而变化;反相器延迟链与压控振荡器连接,用于测量压控振荡器在芯片处于不同工作状态时产生的时钟信号的频率;数据处理模块与反相器延迟链连接,用于根据反相器延迟链测量得到的所述压控振荡器在在芯片处于不同工作状态时产生的时钟信号的频率,获取芯片压降的变化量。本发明以解决现有技术在测量芯片压降时,由于输入的时钟信号的时间窗口是不确定的,从而导致芯片压降的测量结果不准确的问题。
  • 芯片测量装置方法
  • [发明专利]晶体管工艺波动检测系统和检测方法-CN201410409294.3有效
  • 秦石强;张译夫;杨梁;崔明艳;肖斌 - 龙芯中科技术有限公司
  • 2014-08-19 - 2018-07-27 - G01R31/26
  • 本发明提供一种晶体管工艺波动检测系统和检测方法,其中,系统包括待测单元阵列、行列译码器、行列选择器和振荡器;待测单元阵列为由至少两个待测单元组成的阵列;行列译码器分别与各待测单元连接,用于选定待测单元;行列选择器分别与振荡器和各待测单元中的待测晶体管连接,用于将选定的待测晶体管连接至振荡器;振荡器将待测晶体管的输出信号转换为脉冲信号,脉冲信号的频率与待测晶体管的阈值电压对应,以通过脉冲信号频率的波动确定待测晶体管的阈值电压的波动。本发明提供的晶体管工艺波动检测系统和检测方法能够解决现有的半导体晶体管工艺波动的检测方法较复杂的问题,实现了对晶体管工艺波动进行快速、简便地检测。
  • 晶体管工艺波动检测系统方法

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