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[发明专利]一种基于铋化合物的柔性透明辐射防护膜制备方法及其应用-CN202210298320.4在审
发明人：张玉海;张相周;陈召来 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G21F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铋化合物的柔性透明辐射防护膜制备方法及其应用，将铋化合物纳米颗粒，聚乙烯醇，微量甘油混合，制得柔性透明辐射防护膜。本发明将纳米颗粒分散于水中，形成稳定分散液，保证了纳米颗粒与聚乙烯醇混合所得溶胶的均匀性，避免纳米颗粒因团聚导致的复合膜透明度下降，实现在可见光波段(400‑800nm)实现70％以上的光透过率；并在微量甘油的作用下，实现辐射防护膜柔性的长期稳定性。
一种基于化合物柔性透明辐射防护制备方法及其应用

[发明专利]一种基于氟化物的柔性透明闪烁体薄膜制备方法及其应用-CN202210300523.2在审
发明人：张玉海;张相周 -专利权人：济南大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氟化物的柔性透明闪烁体薄膜制备方法及其应用，包括以下步骤：1)第一反应物包括Ln(AC)3与Tb(AC)3，其中按摩尔百分比Ln(AC)3为60～99mol％，Tb(AC)3为1～40mol％，第一反应溶剂按体积百分比油酸30～70v％与十八烯30～70v％组成；本发明所得到的透明闪烁体复合薄膜为无色透明薄膜，400～800nm波段透过率超过80％。氟化物核壳纳米晶在薄膜中的质量百分比通过调整可以超过60％。通过本方法制备的复合薄膜具有高度柔性以及高度透明性。
一种基于氟化物柔性透明闪烁薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料-CN201810975101.9有效
发明人：宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。
一种 eu 离子掺杂氧化半导体光学防伪材料

[发明专利]一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法-CN201810973243.1有效
发明人：宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在固相合成法制备B3O4Cl二维半导体材料中，加入稀土离子和Li+离子作为共同固相剥离剂；其中，稀土离子为稀土Er3+离子和/或Lu3+离子，稀土离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1:(10~1000)，Li+离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1:(4~100)；稀土Er3+离子、稀土Lu3+离子的加入形式为稀土氧化物、稀土硝酸盐、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物；Li+离子的加入形式为碳酸锂，硝酸锂，氯化锂或氟化锂。本发明的固相剥离制备Bi3O4Cl纳米片的方法简单易行、原材料成本低；高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片可作为光催化材料、传感器材料等。
一种剥离制备分散稀土离子掺杂氧化二维纳米方法

[发明专利]一种热致变色封装胶及其制备方法与应用-CN201911365009.1在审
发明人：龚文;张相周 -专利权人：苏州晶台光电有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种热致变色封装胶，按照重量份计，包括以下物质：95～100份环氧树脂A组分基胶、1～10份热致变色剂、95～100份环氧树脂B组分基胶。本发明还公开了一种热致变色封装胶的制备方法，通过在封装胶中加入热致变色材料，经过特定的处理后，获得一种热致变色封装胶，本发明还提供一种热致变色封装胶在封装LED的应用，提高了LED的亮度和对比度。
一种变色封装及其制备方法应用

[发明专利]一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料-CN201710028499.0有效
发明人：宋志国;徐祖元;胡锐;张相周;邱建备;杨正文;尹兆益 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率，其化学式为Bi_1‑_xRe_xOM_y，其中x=0.0025~0.1，y=1.2~4，Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种，M=Cl、Br、I中的一种；该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为，提高了其二维原子层的层间内电场，增强稀土离子的发光效率；本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低，不需要复杂设备，具有工业和市场应用推广前景。
一种卤素掺杂氧化半导体纳米发光材料

[发明专利]一种稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料-CN201710028500.X有效
发明人：宋志国;胡锐;李永进;张庆福;邱建备;杨正文;徐祖元;张相周;周大成;尹兆益;杨勇;韩缙 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料，其化学式为Bi_1‑yRe_yPbO₂X；其中，y=0.001~0.4，X为F、Cl、Br、I中的一种或任意几种，Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Eu、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd中的一种或任意几种；本发明提供的稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料具有很好的发光性质，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为新型紫外、可见、近红外发光材料得到应用。
一种稀土离子掺杂卤铅酸铋半导体发光材料

[实用新型]内照射血疗用血袋-CN201120410363.4有效
发明人：傅其银 -专利权人：傅其银;张相周
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： A61M1/36 文献下载
摘要：本实用新型属医用器具领域，涉及一种内照射血疗用血袋，其由贮血外袋、采血塑管、充氧塑管、血液回输塑管、排氧塑管和透紫外线内袋组成，所述的贮血外袋上设有采血塑管、血液回输塑管、充氧塑管和排氧塑管，贮血外袋内部设有透紫外线内袋。本实用新型的内照射血疗用血袋，实现了血液采集、紫外线照射及对血液充氧、排氧和血液回输一次性密闭操作，既可避免对血液的处理需多次转移操作带来的交叉感染，又可降低成本简化手续，减少操作环节，杜绝血液外漏和污染，符合卫生部规定的“临床技术操作规范”的要求，临床应用广泛。
照射血疗用血袋

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