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[发明专利]基于相变材料的选择性批量转移方法、热电元阵列及其制备方法-CN202310206380.3在审
发明人：邓元;严跃冬;张玮峰 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了基于相变材料的选择性批量转移方法，包括在导热基板上制备图案化凸点阵列，在图案化凸点阵列表面涂覆松香；获得表面具有微元件阵列的施主基板，将涂覆有松香的图案化凸点阵列与微元件阵列进行对应贴合；控制导热基板的温度改变松香的状态使得微元件阵列与对应的图案化凸点阵列进行固定连接，然后从施主基板中拾取微元件阵列；将拾取的微元件阵列与受主基板表面贴合，将松香由固态转变为液态使得图案化凸点阵列与对应的微元件阵列脱离。利用该方法能够实现批量的，可选择性的，无污染转移非平面或平面的微型元件。本发明还公开了热电元阵列及其制备方法。
基于相变材料选择性批量转移方法热电阵列及其制备

[实用新型]一种透气隔热防护鞋-CN202320001958.7有效
发明人：姚永;赵艳杰;赵亮;苟志远;姚国祥;孟波;陈鹏帆;张玮峰;赵百光 -专利权人：辽宁熙朗防护用品科技有限公司;甘南海羚安全环保服务有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A43B7/08 文献下载
摘要：本实用新型提出的是透气隔热防护鞋。包括鞋底、鞋头、鞋后跟和鞋体；鞋头及鞋后跟之间衔接有鞋体，鞋体前端嵌入鞋头内，后端嵌入鞋后跟；鞋体为编织体结构，在编织体上具有透气通孔连通鞋内与鞋体外部；鞋底包括外底以及中层底，鞋底上设置透气孔和溢气孔，热气流穿过透气孔经溢气孔外溢；鞋底上镶嵌可拆卸连接的隔热块，将热量反射，阻滞热流的传递。本实用新型的鞋体采用编织体结构，编织体的透气孔能够提供透气性，避免脚部闷热湿汗；在前脚掌与后脚掌设置透气孔和溢气孔，热气流穿过透气孔经溢气孔外溢，降温隔热；同时，在前脚掌与后脚掌设置可拆卸连接的隔热块，将热量反射，阻滞热流的传递，实现隔热降温。适宜作为透气隔热防护鞋使用。
一种透气隔热防护

[发明专利]一种高集成度热电薄膜器件制备方法-CN202110160798.6有效
发明人：邓元;张玮峰;李冉冉;王赫;赵未昀 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N10/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种高集成度热电薄膜器件制备方法，属于热电薄膜材料与器件技术领域。本发明通过飞秒激光加工下电极掩模板、P型热电臂掩模板、N型热电臂掩模板和上电极掩模板；将下电极掩模板与器件基底贴合；采用磁控溅射方法在器件基底表面沉积出图案化的下电极；将P型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出P型热电臂；将N型热电臂掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射方法沉积出N型热电臂；通过无掩模光刻的方法制备出绝缘层；将上电极掩模板与器件进行对准；采用磁控溅射或喷涂方法沉积出上电极，得到高集成度热电薄膜器件，单个热电臂的尺寸范围为150～300μm。本发明具有成本低、制备过程便捷快速的优点。
一种集成度热电薄膜器件制备方法

[发明专利]一种Janus水伏发电材料及其制备方法和应用-CN202210018207.6有效
发明人：邓元;张玮峰;王荦敏;严跃冬 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供了一种Janus水伏发电材料，其采用“还原‑冻干‑压片”三步法，首先配制碳材料分散液，通过多巴胺将部分分散液进行化学还原，另一部分碳材料分散液则不做处理，之后分别在冷冻干燥机中进行冻干，最后将两种碳材料叠放后压片得到Janus水伏发电材料。本发明以成本低的碳材料(如氧化石墨)为原材料，减少了制备成本；采用温和的化学还原方式，避免了复杂的制备手段；压片法制备出的材料本身具有官能团浓度梯度，解决了难以实现持续发电的问题。本发明具有材料与设备成本低、流程简易等诸多优点，可以实现湿气诱导水伏发电材料的批量化制备。
一种 janus 发电材料及其制备方法应用

[发明专利]相变散热装置及其制作方法-CN202211023009.5在审
发明人：邓元;闫凯芬;张玮峰;冯雪 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变散热装置及其制作方法，涉及散热装置技术领域，解决了现有技术中存在的器件散热结构散热效果不佳的问题。该装置包括散热主体以及相变材料层，散热主体由导热材质制成，用于对热源产生的热量进行传导；相变材料层设置于散热主体的表面，用于通过转变物理形态吸收散热主体传导的热量。本发明将散热主体与相变材料层复合在一起，通过散热主体与热源接触，用于对热源产生的热量进行散热，增加了器件(热源)排散的换热面积；另一方面通过在散热主体的表面设置相变材料层，使得相变材料层在相变的过程中能吸收散热主体传导的热量，从而有效降低器件的工作温度。该相变散热装置结构简单，更容易实现高效散热。
相变散热装置及其制作方法

[发明专利]一种高性能热电厚膜及快速制备该高性能热电厚膜的方法-CN202111345897.8在审
发明人：邓元;严跃冬;张玮峰;华小社 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速制备高性能热电厚膜的方法，通过粉末冶金的方式实现热电厚膜的制备，以热电粉末为原料，在预压模具的辅助下，先通过预压成型的方法实现热电厚膜的均匀性和厚度的有效控制，再高压冷压并退火得到高致密性的热电厚膜，最后制得的热电厚膜不仅表面平整，而且具有高热电性能。本发明所述方法能够实现厚度200μm以下热电厚膜的制备，且具有非常好的兼容性，可用于各种低、中、高温区热电材料厚膜的制备。本发明方法工艺简单，材料和设备成本低，可实现高性能热电厚膜的大规模产业化快速制备，进一步构建各种高性能的微型热电发电或制冷器件，包括高密度或柔性化的热电器件，从而为高性能微型厚膜热电器件的快速发展奠定基础。
一种性能热电快速制备方法

[发明专利]一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法-CN202111140314.8在审
发明人：邓元;李冉冉;张玮峰;华小社 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C25F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法及其图案化电极，其方法过程为：在表面绝缘基底上溅射导电种子层；在溅射完导电种子层电镀上金属膜；在金属膜表面旋涂光刻胶，采用光刻法在金属膜表面光刻出电极图案；采用退镀法进行处理，使得没有被光刻胶保护的金属膜和导电种子层被反应溶解，有光刻胶的部分被保留下来；退镀后进行超声清洗，去除光刻胶和金属碎屑残留物，得到图案化电极。本发明省去了湿法刻蚀环节，从而避免了湿法刻蚀所带来的种种问题。
一种采用工艺制备图案电极方法

[发明专利]一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法-CN202110670761.8在审
发明人：邓元;严跃冬;张玮峰;华小社;梁立兴 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法，属于半导体微纳米制造技术领域。本发明包括：采用溅射方法在硅片表面相继沉积Cr掩膜和Cu掩膜；通过光刻法在Cu掩膜上形成图案化的光刻胶；用第一刻蚀液体刻蚀Cu掩膜得到图案化的Cu掩膜；去除图案化的光刻胶；以图案化的Cu掩膜为掩膜，用第二刻蚀液体刻蚀Cr掩膜，得到图案化的Cr/Cu双层金属掩膜；用第三刻蚀液体刻蚀硅片；分别用第一刻蚀液体和第二刻蚀液体去除图案化的Cu掩膜和Cr掩膜。本发明的方法可以轻易实现百微米以上深度的高质量深硅刻蚀；工艺简单、成本低、加工精度高，所制备的硅槽侧壁光滑、底部平整。
一种基于 cr cu 双层金属湿法刻蚀方法

[实用新型]一种电缆盘支撑架-CN202022488370.8有效
发明人：邝海涛;刘力梓;梁超锋;周鹏程;黎海钦;詹卫国;严少夫;卢政华;邓立成;甘飞;林素华;周永银;辜水金;黎水源;曾永欣;张玮峰;黄宝峰;刘剑丰 -专利权人：中国能源建设集团广东火电工程有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B65H75/44 文献下载
摘要：一种电缆盘支撑架，包括固定放置的架体，架体上设置有可垂向移动的升降台和驱动升降台移动的升降驱动器，架体上还安装有驱动电缆盘转动的旋转驱动器，升降台上设有用于放置电缆盘转轴端部的定位台以及对电缆盘进行制动的制动组件，另外还设置有速度检测器、电压检测器和张力检测器，以检测电缆盘以及电缆的收、放状态。该电缆盘支撑架可自动调节电缆盘，其调节精度和工作效率都极高，也有效提高电缆盘工作的稳定性和安全性，还可有效降低电缆盘工作过程中的安全风险。
一种电缆支撑架

[发明专利]一种基于飞秒激光可控刻蚀的薄膜材料图案化加工方法-CN202110229642.9在审
发明人：邓元;姜一;王赫;张玮峰 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于飞秒激光可控刻蚀的高精度薄膜材料快速图案化加工方法，通过先在基底上沉积一层薄膜材料，再利用飞秒激光在薄膜材料上进行刻蚀图案化，最后将图案化的材料置于酒精中进行超声清洗后烘干，即得图案化的薄膜材料。本发明所述图案化加工方法，加工精度高，图案尺寸误差可达±3％以内；工艺简单，加工效率高；利用紫外飞秒激光的冷加工特性，降低对薄膜的热损伤；精确控制激光能量，不会对基底材料产生损伤；不使用任何有毒试剂，环保安全。
一种基于激光可控刻蚀薄膜材料图案加工方法

[实用新型]高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置-CN202022332420.3有效
发明人：邓元;王赫;赵未昀;张玮峰;华小社 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置，包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器，所述真空连接台设置第一快速插口和气口；所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔，所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通；衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件；掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂，所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置，本装置结构简单，便于操作，在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定，有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备，并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。
高密度图案加工衬底模板原位保持装置

[实用新型]高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置-CN202021434331.3有效
发明人：邓元;王赫;张玮峰;赵未昀;胡少雄 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及一种高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置，包括有支撑装置、位于支撑装置上方基片保持器、连接支撑装置与基片保持器并用于带动基片保持器相对于支撑装置水平位移的水平移动单元、位于基片保持器上方的载荷夹具、连接支撑装置和载荷夹具并用于带动载荷夹具相对于支撑装置竖直位移的竖直移动单元、位于载荷夹具上方的光学观测单元和连接支撑装置和光学观测单元并用于带动光学观测单元相对于支撑装置水平或竖直位移的支架移动单元，载荷夹具中部设置有观测孔。如此设置，本设备简单，成本低，可以实现非硅基基片与各种掩模板的对准，以及多层图案连续多次对准，有利于提升非硅基薄膜器件的制备效率。
高密度阵列结构非硅基薄膜器件制备对准装置

[发明专利]高密度图案化加工的衬底-掩模板原位保持装置-CN202011116538.0在审
发明人：邓元;王赫;赵未昀;张玮峰;华小社 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及一种高密度图案化加工的衬底‑掩模板原位保持装置，包括真空连接台、底座、衬底保持器和掩模板保持器，所述真空连接台设置第一快速插口和气口；所述底座的上端面设置有第一凸台和第一气孔，所述底座连接在所述真空连接台的上端面、且所述第一气孔与所述气口连通；衬底保持器设置保持槽、连接孔和紧固组件；掩模板保持器设置有镂空孔和悬臂，所述悬臂的上端面设置有第二快速插口、下端面设置有第二气孔。如此设置，本装置结构简单，便于操作，在对准操作后即可将衬底和掩模板保持固定，有利于实现高密度阵列结构薄膜器件的高效制备，并在薄膜器件制备各个工艺之间样品的快速转移。
高密度图案加工衬底模板原位保持装置

[发明专利]高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置-CN202010701252.2在审
发明人：邓元;王赫;张玮峰;赵未昀;胡少雄 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请涉及一种高密度阵列结构的非硅基薄膜器件制备用对准装置，包括有支撑装置、位于支撑装置上方基片保持器、连接支撑装置与基片保持器并用于带动基片保持器相对于支撑装置水平位移的水平移动单元、位于基片保持器上方的载荷夹具、连接支撑装置和载荷夹具并用于带动载荷夹具相对于支撑装置竖直位移的竖直移动单元、位于载荷夹具上方的光学观测单元和连接支撑装置和光学观测单元并用于带动光学观测单元相对于支撑装置水平或竖直位移的支架移动单元，载荷夹具中部设置有观测孔。如此设置，本设备简单，成本低，可以实现非硅基基片与各种掩模板的对准，以及多层图案连续多次对准，有利于提升非硅基薄膜器件的制备效率。
高密度阵列结构非硅基薄膜器件制备对准装置

[发明专利]高压静电分选机转辊表面实时电流密度测量装置和方法-CN201610593362.5有效
发明人：张子生;岳子薇;张玮峰;吉晓晓;孙博 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01R19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压静电分选机转辊表面实时电流密度测量方法及相关测量装置，该方法包括步骤：（1）在转辊表面贴一圈相对绝缘的铜箔胶带；（2）在与有效荷电区位置对应的位置安装实时电流输出机构，对有效荷电区内铜箔胶带上的电流进行实时导出；（3）采用单片机电流采集系统测量出每一个碳刷所接触的转辊表面上相应铜箔胶带上流经的电流值，计算并绘制电流密度分布曲线。本发明方法及测量装置高效实用，易实现且测量结果精度高，解决了在工作状态下的静电分选机转辊表面电流密度及分布不能实时测量的问题，对未来高压静电分选机设计的进一步改进具有重要意义。
高压静电分选机转辊表面实时电流密度测量装置测量方法

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