“张民植”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202110690672.X在审
发明人：李昌秀;杨永镐;金成淳;金熙洙;罗熙稌;张民植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：第一源极层；第二源极层，第二源极层在第一源极层上；层叠物，层叠物在第二源极层上；沟道结构，沟道结构穿过层叠物和第二源极层；以及公共源极线，公共源极线穿过层叠物和第二源极层。第二源极层包括气隙和围绕气隙的导电层。
半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110144154.4有效
发明人：金兑京;张民植;金相德 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：形成在半导体衬底之上的栅，所述栅彼此间隔开并且每个都具有隧道绝缘层、浮栅、电介质层、第一导电层以及金属硅化物层的层叠结构；第一绝缘层，其沿着所述栅的侧壁以及在所述栅之间的半导体衬底的表面而形成，并且被配置为具有低于金属硅化物层的顶部的高度；以及第二绝缘层，其沿着第一绝缘层的表面以及金属硅化物层的表面而形成，并且被配置为覆盖在栅之间的间隔的上部，其中在栅之间形成气隙。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]闪存装置制造方法-CN200710007249.5无效
发明人： 张民植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种闪存装置的制造方法，包括蚀刻层叠于半导体衬底上的部分隧穿氧化物层、第一多晶硅层、硬掩模层和半导体衬底，由此形成沟槽。使用绝缘层填充该沟槽，由此形成隔离层。清除该隔离层的部分顶面，由此控制该隔离层的有效场高度(EFH)，同时部分地暴露该第一多晶硅层的侧部。使用二氯硅烷(DCS)为源气体，在包括该暴露的第一多晶硅层的各个隔离层的表面上形成用于间隙壁的氧化物层。执行蚀刻工艺，使得氧化物层仅保留在该第一多晶硅层的侧部上，由此形成间隙壁。将间隙壁之间的隔离层蚀刻至一厚度。除去该间隙壁。随后在各个隔离层的表面上形成介电层和第二多晶硅层。
闪存装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200610156457.7无效
发明人： 张民植;郭鲁烈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-12-31 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：实施将杂质离子注入半导体衬底的离子注入过程和在退火室各部分的温度差别设定的状态下实施退火以活化杂质离子。
制造半导体器件方法

[发明专利]闪存器件及其制造方法-CN200610108214.6有效
发明人：洪权;朴恩实;张民植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器件，其具有形成在浮置栅极和控制栅极之间的栅极电介质膜。该栅极电介质膜通过形成氧化物膜和ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂(ZAZ)膜而形成。因此，可以改善非易失性存储器件的可靠性且同时确保高耦合率。
闪存器件及其制造方法

[发明专利]制作快闪存储器件的方法-CN200610098829.5无效
发明人： 张民植 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制作快闪存储器件的方法，包括在半导体衬底上形成第一多晶硅层，从而形成浮动栅。在第一多晶硅层上形成隧道介电层。在隧道介电层上形成第二多晶硅层和钨硅化物层，从而形成控制栅，钨硅化物层具有过量硅。钨硅化物层的上部被氧化以使过量的硅远离第二多晶硅层和钨硅化物之间的界面。
制作闪存器件方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN200510081925.4无效
发明人： 张民植;李东浩;朴恩实;全光锡;申承佑;柳春根 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种制造一半导体装置的方法，其包括在一包括一金属膜的栅极的侧面上藉由不会导致该金属膜氧化的LP－CVD方法形成一LP－CVD氧化物膜。可在物理上防止金属膜的氧化，且可防止电装置特性的降级。
制造半导体装置方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top