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[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件-CN202210428611.0在审
发明人：姜镐在;张正训 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层，第一反射层包括第一导电掺杂剂；第二反射层，第二反射层包括第二导电掺杂剂；以及有源区，有源区被布置在第一反射层和第二反射层之间，有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体，第一腔体与第一反射层相邻，第一腔体包括基于AlxGaAs的层，0X1，第一腔体中的Al浓度被控制以在有源层的方向上降低。
表面发射激光器器件包括发光

[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件-CN202210428621.4在审
发明人：姜镐在;张正训 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层、第二反射层和有源区，第一反射层包括：具有第一铝浓度的第一‑第一层；具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在第一‑第一层上的第一‑第二层；以及第一‑第三层，第一‑第三层被布置在第一‑第一层和第一‑第二层之间并且具有在第一‑第三层内从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度，第一‑第一层比第一‑第二层更靠近有源区，第一‑第一层、第一‑第二层和第一‑第三层掺杂有第一导电类型的掺杂剂，第一‑第三层的第一导电掺杂浓度低于第一‑第一层的第一导电掺杂浓度和/或第一‑第二层的第一导电掺杂浓度。
表面发射激光器器件包括发光

[发明专利]表面发射激光器器件和包括其的发光器件-CN201910011551.0有效
发明人：姜镐在;张正训 -专利权人：苏州乐琻半导体有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件。根据实施例的表面发射激光器器件包括：第一反射层和第二反射层；以及布置在第一反射层和第二反射层之间的有源区，其中第一反射层包括第一组第一反射层和第二组第一反射层，并且第二反射层包括第一组第二反射层和第二组第二反射层。第一组第二反射层可以包括：第二‑第一反射层，其具有第一铝浓度；第二‑第二反射层，其具有高于第一铝浓度的第二铝浓度并且布置在第二‑第一反射层的一侧上；以及第二‑第三反射层，其具有从第一铝浓度变化到第二铝浓度的第三铝浓度并且布置在第二‑第一反射层和第二‑第二反射层之间。
表面发射激光器器件包括发光

[发明专利]半导体器件、使用其的发光器件及包括该发光器件的封装-CN201410195635.1有效
发明人： 张正训 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、使用其的发光器件及包括该发光器件的封装。所述半导体器件包括：硅衬底；初始缓冲层，设置在所述硅衬底上；过渡层，设置在所述初始缓冲层上；以及发光结构，设置在所述过渡层上，其中所述过渡层包括：多个AlxGa1‑xN层(其中0
半导体器件使用发光器件包括封装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410195598.4有效
发明人： 张正训 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：一硅衬底；一初始缓冲层，布置在硅衬底上并包括氮化铝(AlN)，以及一器件层，布置在初始缓冲层上并包括一半导体化合物，其中，在初始缓冲层和硅衬底之间不存在SiN，并且硅衬底的硅晶格直接接触初始缓冲层的晶格。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]发光器件-CN201410344553.9有效
发明人：成演准;张正训;丁圣勋 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光器件。该发光器件包括：第一半导体层；第二半导体层；有源层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及第一光提取层，设置在所述第一半导体层上，并且包括氮化物半导体层。这里，所述第一光提取层包括多个第一层。所述多个第一层的折射率随着离所述第一半导体层的距离增大而减小。本发明能够使发光器件的光提取效率得以提高。
发光器件

[发明专利]发光器件、包括其的发光器件封装件以及照明系统-CN201210102050.1有效
发明人： 张正训;李定植;任正淳;金炳祚;南承根 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种发光器件，包括：包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层的发光结构，其中第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层设置为彼此相邻，有源层包括交替堆叠至少一次的阱层和势垒层，阱层的能带隙小于势垒层的能带隙；至少设置在第二导电型半导体层的预定区域上的多重接触层，多重接触层包括至少一个由第一层和第二层构成的对结构，第一层包括掺杂有掺杂剂的InGaN，第二层包括掺杂有不同掺杂剂的GaN；以及分别向第一导电型半导体层和第二导电型半导体层提供电流的第一电极和第二电极，其中第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层、多重接触层以及第一电极和第二电极设置为具有相同的方向性。
发光器件包括封装以及照明系统