专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]扁蓄植物源杀菌剂及其制备方法-CN201410474823.8有效
  • 姬妍茹;杨庆丽;董艳;石杰;张正海 - 黑龙江省科学院大庆分院
  • 2014-09-17 - 2015-01-07 - A01N65/38
  • 扁蓄植物源杀菌剂及其制备方法,它属于农药技术领域。本发明目的是公开一种复方植物源杀菌剂配方及其制备方法,产品主要由扁蓄、黄芩、龙葵、龙胆和苍术等制成。方法:一、将原料干制后粉碎,然后过筛,混合;二、用乙醇冷浸后超声处理,过滤取滤液,蒸发浓缩至膏状物。本发明产品对立枯丝核菌、腐霉枯萎病菌、禾谷镰孢菌、茄链格孢菌、炭色长蠕孢菌等多种植物病原致病真菌有较好的抑菌功能,效果明显好于化学杀菌剂福美双。本发明采用原料均为纯天然植物,制备成本低,可进行小型工厂化生产,而且这些植物都属于中草药,使用后可以迅速降解,对人畜安全,环境相容性好,不会对环境造成二次污染,符合当今的绿色食品理念和环境可持续发展战略。
  • 扁蓄植物杀菌剂及其制备方法
  • [发明专利]一种GaN基HEMT器件及其制作方法-CN201310405073.4无效
  • 张正海;张宗民 - 华为技术有限公司
  • 2013-09-06 - 2014-01-01 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种GaN基HEMT器件及其制作方法,器件中衬底、GaN缓冲层与势垒层由下至上设置,第一钝化层在势垒层上,其包括左半钝化层和右半钝化层,分别位于源极与栅极之间、栅极与漏极之间;第二钝化层在第一钝化层上;第一钝化层为增加势垒层张应力的钝化层,第二钝化层为增强势垒层压应力的钝化层。制作方法包括:外延结构生长,形成衬底、GaN缓冲层、势垒层;在势垒层上进行钝化层淀积;将栅极下方的钝化层刻蚀,形成包括左半钝化层以及右半钝化层的第一钝化层;在第一钝化层上进行第二钝化层淀积;定义并淀积栅极。本发明采用双钝化层工艺,栅极下方GaN缓冲层区域二维电子气浓度先增加,再耗尽,避免栅压偏置前栅极下方GaN缓冲层存在二维电子气。
  • 一种ganhemt器件及其制作方法
  • [发明专利]一种电子元器件及一种射频功率放大器-CN201210187171.0有效
  • 张宗民;张正海 - 聚信科技有限公司
  • 2012-06-07 - 2012-10-10 - H01L23/49
  • 本发明实施例提供一种电子元器件及一种射频功率放大器。所述电子元器件,包括器件本体和由所述器件本体延伸出的器件引脚,所述器件引脚上开有至少一个槽孔,每个槽孔部分位于所述器件本体与所述器件引脚的交叠区域,所述交叠区域为所述器件引脚与所述器件本体的固定连接部分。本发明实施例通过在器件引脚上设置槽孔,减小了器件引脚的横截面积,从而减小了器件引脚因热胀或冷缩承受的机械应力,降低了器件的损坏几率,延长了器件的使用寿命。
  • 一种电子元器件射频功率放大器
  • [发明专利]GaN衬底、半导体器件及其制作方法-CN201210086294.5无效
  • 张正海;张宗民;曹伯承 - 华为技术有限公司
  • 2012-03-28 - 2012-08-15 - H01L29/06
  • 本发明提供一种GaN衬底、半导体器件及其制作方法,GaN衬底包括:GaN基底;AlGaN层,位于GaN基底上;p型导电层,位于AlGaN层的有源区上,用于耗尽AlGaN层上的表面态负电子并中和AlGaN层上的悬挂键。本发明提供的GaN衬底、半导体器件及其制作方法,通过在AlGaN层上形成p型导电层,能够利用p型导电层中的空穴载流子,耗尽n型的AlGaN层上的表面态负电子,中和AlGaN层上的断面的悬挂键,防止虚栅的形成,从而起到抑制以GaN衬底制作的半导体器件的电流崩塌效应,改善半导体器件的性能,提高其可靠性。
  • gan衬底半导体器件及其制作方法

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