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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用以修整三维与非门闪存的控制晶体管的系统与方法-CN201410507528.8有效
发明人：张国彬;张智慎;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以修整三维与非门闪存的控制晶体管的系统与方法，三维与非门闪存阵列(3D NAND Flash memory array)中的控制晶体管与存储单元二者皆可使用相同的技术来形成(例如是电荷捕捉结构)，以简化制造过程。然而，当与传统的栅极‑氧化物基的控制晶体管相比时，所得的控制晶体管在阈值电压(threshold voltage)中可能具有较高的变化性。本发明提供示范性的技术，以修整控制晶体管，在阵列操作期间提供增加的可靠度与效能。
用以修整三维与非门闪存控制晶体管系统方法

[发明专利]用以降低编程干扰的存储器装置及其编程方法-CN201410508068.0有效
发明人：张国彬;张智慎 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用以降低编程干扰的存储器装置及其编程方法，编程具有交替页方向的三维与非门闪存的常见问题包括背图案效应与图案诱发编程干扰。改进的编程技术可实质上降低这些问题，并于设定存储单元的阈值电压时增加准确度。提供范例技术混合「透过字线」与「透过页」编程的观点。因此，每页可由最靠近串行选择结构的存储单元开始编程，且多个偶数或奇数上的存储单元可实质上同时被编程。
用以降低编程干扰存储器装置及其方法

[发明专利]用于三维与非门高速缓存的预读方法及写入方法-CN201410454938.0有效
发明人：叶文玮;张智慎;张国彬 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于一三维与非门高速缓存的预读方法及写入方法。预读方法包括下列步骤：施加第一选择电压于数个位线的其中之一，以选择数层的其中之一；施加第二选择电压于数个串行选择线的其中之一，以于已选择的该层中选择数个串行的其中一；已选择的串行包括一第一存储单元、二第二存储单元及数个第三存储单元；第二存储单元相邻于第一存储单元，且第三存储单元不相邻于第一存储单元；经由数个字线，施加第一导通电压于此些第二存储单元、施加第二导通电压于此些第三存储单元、及施加读取电压于第一存储单元，以读取第一存储单元的数据。第一导通电压大于第二导通电压。
用于三维与非门高速缓存方法写入

[发明专利]反及闪存及其热载子生成和写入方法-CN201310498509.9有效
发明人：张国彬;叶文玮;张智慎;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种反及闪存及其热载子生成和写入方法，存储器元件被叙述成包括一具有多个存储单元的三维阵列，此一阵列具有多层存储单元的阶层，阶层中的存储单元由多条字线和多条位线所存取。控制电路被耦接到这些字线和这些位线。控制电路是用于通过热载子生成辅助FN隧穿，写入位于阵列的一选取的阶层中并位于一选取的字线上的一选取的存储单元，同时通过自我升压(self‑boosting)，抑止位于未选取的阶层中和位于此一选取的阶层中并位于未选取的字线上的未选取的存储单元的干扰。
闪存及其热载子生成写入方法

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共 4 条

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