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[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件-CN202210938933.X有效
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底第一表面且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层至少包括：多个间隔排布的主体部；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于主体部远离基底的一侧，并与主体部电连接；传输层，传输层位于相邻的主体部之间，并与主体部侧面接触；扩散区，部分扩散区位于传输层中，且扩散区还延伸至隧穿介质层以及基底中，扩散区的掺杂离子浓度大于基底的掺杂离子浓度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池制备方法组件

[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件-CN202111040162.4有效
发明人：柴嘉磊;余丁;赵世杰;张晓雯;李文琪;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：具有相对前表面和后表面的基底；位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层，含氧电介质层包含金属氧化物材料，第一钝化层包含氮化硅材料，第二钝化层包括氮氧化硅材料；其中，第一钝化层具有靠近含氧电介质层的第一界面和靠近第二钝化层的第二界面，第二钝化层具有远离第二界面的第三界面，氮元素和硅元素在第二界面处的含量分别大于在第一界面处和第三界面处的含量，氧元素在第二界面处的含量小于在第一界面处和第三界面处的含量；位于后表面上的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池及其制作方法组件

[发明专利]盐溶液循环制备α-半水石膏的方法-CN202210581603.X有效
发明人：周宏明;陈红霞;聂日煌;周梦成;张昕宇;许双午;杨雨甜;李程 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B11/032 文献下载
摘要：本发明属于石膏制备领域，具体涉及盐溶液循环制备α‑半水石膏的方法，步骤包括：步骤(1)：将包含硫酸钙原料、转晶剂、盐溶液的混合溶液进行转晶处理，随后进行固液分离，制得α‑半水石膏固体和待回用的滤液；步骤(2)：利用生石灰调控待回用的滤液的pH至9.5‑11，进行陈化处理，随后经固液分离，获得再生盐溶液；将所述的再生盐溶液用作盐溶液循环回用至步骤(1)中，用于下一批次硫酸钙原料的转晶步骤。本发明创新地采用生石灰对回收的盐溶液进行陈化，并结合所述的pH的联合控制，如此能够实现协同，可以有效修复回收的盐溶液对α‑半水石膏的诱导能力，降低循环制备的产物的杂相，不仅如此，还能够有效维持循环制备的α‑半水石膏的性质稳定性。
盐溶循环制备石膏方法

[发明专利]背接触太阳能电池及光伏组件-CN202311059481.9在审
发明人：李慧敏;徐孟雷;杨洁;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件，包括半导体衬底，半导体衬底的后表面具有N型导电区域和P型导电区域，相邻两个N型导电区域之间或相邻两个P型导电区域之间的间距为0.8mm‑1.2mm，N型导电区域在半导体衬底的后表面上的分布占比为50％‑85％，N型导电区域设置有第一非金字塔状纹理结构，P型导电区域在半导体衬底的后表面上的分布占比为15％‑50％，P型导电区域设置有第二非金字塔状纹理结构，有利于后期膜层在半导体衬底上的形成，提高钝化质量，且使丝网印刷金属浆料在形成电极时可以更好地填充其中，获得更优异的电极接触，提高开路电压和填充因子，从而提升电池转化效率，还能在半导体衬底形成具有优异导电性的PN结，提升太阳能电池的光电性能。
接触太阳能电池组件

[发明专利]TOPCon电池银铝浆的添加剂、其制备方法及银铝浆-CN202310797870.5在审
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;王晓凡;王奇峰;王曼曼 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01B1/16 文献下载
摘要：本申请属于光伏材料技术领域，提供了一种TOPCon电池银铝浆的添加剂、其制备方法及银铝浆。本申请提供的添加剂中，熔点高于1600℃的金属氧化物和接触电阻率低于100μΩ·cm的金属复合物作为烧结过程的缓冲层及部分阻挡层，降低铝刺的穿入深度；标准电位低于铝且熔点高于600℃的金属元素的氧化物作为牺牲材料降低金属栅线的消耗；纳米级多元金属复合物形成局部受限晶体结构，抑制铝元素与绒面形成的接触角差异，抑制铝的扩散，各组份在协同作用下改善铝刺穿入深度较深的现象，降低金属化复合程度，提升TOPCon电池的开路电压和光电转化效率。
topcon 电池银铝浆添加剂制备方法

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202311102128.4在审
发明人：金井升;张彼克;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；位于基底第一表面上且在远离基底第一表面方向依次设置的隧穿介质层以及掺杂导电层，掺杂导电层至少包括多个间隔排布的主体部；多个间隔排布的第一电极，第一电极沿第一方向延伸，第一电极设置于主体部远离基底的一侧，并与主体部电连接；传输层，传输层位于相邻的主体部之间，并与主体部侧面接触。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]一种双稳态负泊松比超材料结构-CN202310715113.9在审
发明人：张美玲;付琪翔;陈柏霖;孙佳豪;张昕宇;孙建伟;郜思洋 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： F16F1/371 文献下载
摘要：本发明公开了一种一种双稳态负泊松比超材料结构，包括刚性杆A、刚性杆B、刚性杆C，所述刚性杆A、刚性杆B、刚性杆C之间上下两侧连接有一体成型的刚性杆D、刚性杆E、刚性杆F、刚性杆G、刚性杆H、刚性杆R、刚性杆J以及一体式浇注弹性体。本发明的有益效果是，将张拉整体结构与负泊松比超材料相结合，达到了自平衡、自稳定性的特点，并且增强了抗剪切、抗震吸能等特性。
一种双稳态泊松比材料结构

[发明专利]一种电池片以及光伏组件-CN202310900549.5在审
发明人：闫循磊;于琨;刘长明;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池片以及光伏组件，电池片包括半导体基板和设置在所述半导体基板上的栅线电极，所述栅线电极包括若干沿第一方向间隔分布的主栅线以及若干沿第二方向间隔分布的细栅线，每条所述主栅线均与若干所述细栅线电连接，相邻的两个所述主栅线之间均设有若干沿第三方向间隔分布的分流线，所述分流线电连接两个相邻的细栅线；所述栅线电极的尺寸满足第一公式。与现有技术相比，本发明可以有效的提升了晶体硅电池的转换效率，两个分流线之间的距离增大，从而增加了电池片本体的受光面积，实现了降低单耗的同时，电池效率基本保持不变。
一种电池以及组件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202311001701.2在审
发明人：柴嘉磊;余丁;赵世杰;张晓雯;李文琪;杨洁;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：具有相对前表面和后表面的基底；位于前表面上的钝化叠层包括依次设置的含氧电介质层、第一钝化层和以及第二钝化层，含氧电介质层包含金属氧化物材料，第一钝化层包含氮化硅材料，第二钝化层包括氮氧化硅材料；其中，所述第一钝化层中硅元素含量占比大于氮元素含量占比，所述第二钝化层中硅元素含量占比大于氮元素含量占比且大于氧元素含量占比；位于后表面且在远离后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层。本申请实施例至少有利于提升太阳电池的光吸收效率。
太阳能电池组件

[发明专利]叠层电池及其制备方法、光伏组件-CN202310953768.X在审
发明人：张远方;徐孟雷;杨洁;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种叠层电池及其制备方法、光伏组件，叠层电池包括：底电池，底电池包括：基底，基底具有相对的第一表面以及第二表面，第一表面具有第一绒面结构，第一绒面结构包括至少一个第一凸起结构；隧穿介质层，隧穿介质层位于第二表面；掺杂导电层，掺杂导电层远离隧穿介质层的一侧具有微绒面结构，微绒面结构包括至少一个微凸起结构，微凸起结构的尺寸小于第一凸起结构的尺寸；复合层，复合层位于掺杂导电层的表面；复合层与微绒面结构共形；顶电池，顶电池位于复合层远离掺杂导电层的一侧；顶电池包括层叠的第一传输层、钙钛矿基底、第二传输层、透明导电层以及减反层；第一传输层与微绒面结构共形。
电池及其制备方法组件

[发明专利]单晶硅制备设备及其冷却方法-CN202110625936.3有效
发明人：欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种单晶硅制备设备及其冷却方法，其中，该设备包括单晶炉和冷却装置，单晶炉内设置有加热装置和第一保温结构，第一保温结构位于加热装置的上方；冷却装置包括顶升机构和出气管，出气管上设有出气孔，出气管可移动地进入或抽离单晶炉；当出气管进入单晶炉时，出气管与第一保温结构相连，出气管通过顶升机构抬升第一保温结构以使第一保温结构与加热装置之间的距离增大，并通过出气孔输出惰性气体以对单晶炉降温。本申请通过设置冷却装置，可以通过出气管带动第一保温结构同步上升，以增大第一保温结构与加热装置之间的距离，使惰性气体能够通过出气管的出气孔吹向至加热装置与第一保温结构之间的区域以及单晶炉的内壁，实现快速降温。
单晶硅制备设备及其冷却方法

[实用新型]一种基于机械通风的建筑外墙光伏组件热电性能测试箱-CN202321765217.2有效
发明人： 张昕宇;边萌萌;李博佳;何涛;邓昱;黄祝连;王聪辉;王敏 -专利权人：中国建筑科学研究院有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种机械通风的建筑外墙光伏组件热电性能测试箱，属于光电建筑技术领域，包括试验箱体、可调支架单元、通风单元、测试及数据处理单元和负载单元，采用试验箱模拟建筑围护结构条件，设置不同朝向的可调光伏支架，适用于不同尺寸的光伏组件，同时光伏与墙体的间距可调；在光伏组件与墙体形成的通风通道内设置机械通风装置，测试机械通风对建筑外墙光伏系统温度及发电性能的影响；同时模拟光伏组件在高层建筑中的使用条件，综合考虑了建筑对光伏系统的影响，提高了建筑外墙光伏系统性能预测的准确性，也可根据测试结果对系统的通风散热设计进行调整，进一步提高实际工程的节能性能和运行可靠性。
一种基于机械通风建筑外墙组件热电性能测试

[发明专利]光伏电池及其制作方法、光伏组件-CN202310896425.4在审
发明人：张彼克;张昕宇;金井升 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池及其制作方法、光伏组件，光伏电池包括：基底以及位于所述基底第一表面的发射极和第一钝化结构，所述发射极位于所述基底与所述第一钝化结构之间；第一电极，所述第一电极贯穿所述第一钝化结构并与所述发射极接触；第一共熔体，位于所述第一电极与所述发射极之间，所述第一共熔体包含所述第一电极的材料和所述发射极的材料，部分所述第一电极贯穿所述第一共熔体并与所述发射极接触。本发明实施例有利于提高光伏组件的光电转换效率。
电池及其制作方法组件

[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件-CN202111064317.8有效
发明人：李文琪;郑霈霆;杨洁;徐孟雷;张昕宇;金浩 -专利权人：上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面；位于基底的正面且在远离基底的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，第一钝化层包括电介质材料，第二钝化层包括第一SiuNv材料，1.3≤v/u≤1.7，第三钝化层包括SirOs材料，1.9≤s/r≤3.2；位于基底背面且在远离背面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，掺杂导电层与基底具有相同导电类型的掺杂元素。本申请实施例有利于减小太阳能电池对入射光线的反射率。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]光伏电池的制备方法-CN202011104361.2有效
发明人：杨洁;郑霈霆;张昕宇;孙海杰;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池的制备方法，包括：提供半导体基材；在所述半导体基材上形成初级钝化接触结构；形成所述初级钝化接触结构后，在所述半导体基材上形成电极；形成所述电极后，对所述电极以及所述初级钝化接触结构进行烧结处理，以激活所述初级钝化接触结构形成钝化接触结构。本发明实施例提供的光伏电池的制备方法将钝化接触结构的激活以及电极的烧结集成在同一工艺中，能够简化生产工艺，降低生产成本。
电池制备方法

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