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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310541566.4在审
发明人：赵翊翔;周志昇;杨舒庭;翁廷玮;徐鹏皓;黄俊贤;陈泓旭;许宏彰;张志维;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本案涉及一种半导体装置及其制造方法。本案描述的预清洗技术可用以从半导体装置去除原生氧化物及/或其它污染物，这样的去除方式能降低截断、剪断及/或侧壁间隔物厚度减小的可能性。如本案所述，保护层形成在位于晶体管的栅极结构上方的盖层上。然后执行预清洗操作以从晶体管的源极/漏极区的顶表面去除原生氧化物。在预清洗操作中，被消耗的是保护层而不是盖层的材料。如此一来，保护层的使用降低了从盖层去除材料的可能性及/或减少了在预清洗操作期间材料从盖层去除的量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装结构-CN202310111547.8在审
发明人：陈银发;杨柏俊;于达人;马伯豪;张志维;潘宗余;陈泰宇;林世钦;许文松 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装结构，包括封装基板、半导体裸晶、中介层、粘合层以及成型材料。半导体裸晶被设置在封装基板的上方。中介层被设置在半导体裸晶的上方。粘合层连接半导体裸晶和中介层。成型材料围绕半导体裸晶和粘合层。本发明提供的半导体封装结构能够提高散热效率。
半导体封装结构

[发明专利]晶体管中的功函数金属及其形成方法-CN202210698450.7在审
发明人：李欣怡;廖均达;洪正隆;蔡彦明;简瑞宏;赵皇麟;张文;张志维;蔡明兴;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管中的功函数金属及其形成方法。一种方法，包括：在半导体区域之上形成虚设栅极堆叠；在虚设栅极堆叠的侧面形成源极/漏极区域；去除虚设栅极堆叠以形成沟槽；形成延伸进入沟槽内并且位于半导体区域上的栅极电介质层；以及在栅极电介质层之上沉积第一功函数层。第一功函数层包括选自由钌、钼及其组合组成的组中的金属。方法还包括：在第一功函数层之上沉积导电填充层；以及执行平坦化工艺以去除导电填充层、第一功函数层和栅极电介质层的多余部分，从而形成栅极堆叠。
晶体管中的函数金属及其形成方法

[发明专利]基于多频点匹配的连续EFJ类功率放大电路-CN202310411466.X在审
发明人：张睿哲;程知群;轩雪飞;张志维 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了基于多频点匹配的连续EFJ类功率放大电路，包括依次连接的输入匹配电路、扩展连续EFJ类功率放大器、输出匹配电路和负载，其中，输入匹配电路进行输入端口的匹配并将输入信号传输给扩展连续EFJ类功率放大器，扩展连续EFJ类功率放大器将输出信号传输给输出匹配电路，再输送到负载；输出匹配电路包括依次连接的第1传输线TLa、第2传输线TLb、谐波控制网络和基波控制网络。本发明在功放的输出端利用多频点匹配的方法对设计频带内的N+M个基波和对应的二次谐波阻抗进行控制，最终使得功放输出端在整个频带内的电流波形更加接近为半正弦波，电压波形更加接近为方波，从而在扩展连续EFJ类功放理论的基础上实现功率放大器效率和带宽的进一步提升。
基于多频点匹配连续 efj 功率放大电路

[发明专利]输入谐波调谐的整流效率增强型射频整流器及其设计方法-CN202310382569.8在审
发明人： 张志维;朱海鹏;张睿哲;轩雪飞 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明涉及一种输入谐波调谐的整流效率增强型射频整流器及其设计方法。本发明输出匹配网络用于将晶体管的最优负载阻抗匹配到标准的负载阻抗。输入谐波调谐网络用于调谐输入到晶体管栅极的二次谐波分量至最优的状态(即能达到最大整流效率的状态)。相位偏移网络用于维持栅极和漏极之间的最优相位差，以获得最大化的整流效率。通过使用GaN HEMT晶体管构建射频整流器电路，并创造性地利用输入谐波调谐机制来实现输入谐波对于晶体管输出状态的影响，进而达到提高整流器整流效率的目的。调谐晶体管栅极端的输入二次谐波使得晶体管输出漏极端的电流波形产生重塑，进一步提升了整流器的整流效率。
输入谐波调谐整流效率增强射频整流器及其设计方法

[发明专利]一种负载调制多模融合功率放大器及其设计方法-CN202310404529.9在审
发明人： 张志维;张睿哲;朱海鹏;轩雪飞 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种负载调制多模融合功率放大器及其设计方法，涉及无线通讯技术领域。本发明通过在传统的平衡类功率放大器的基础上引入X‑dB正交耦合器构成非平衡类功率放大器，同时引入第三路功率放大电路作为负载调制的信号来源。通过控制负载调制信号的幅度和相位特性使构成的功率放大器具有负载调制特性从而实现大的功率回退范围。此外，利用负载调制信号产生支路作为载波功放，非平衡式放大器支路分别作为峰值功放1和峰值功放2，从而构成了类似于三路Doherty式的负载调制特征，使得所提出的功率放大器架构同时具备多路Doherty和非负载平衡调制的多重负载调制融合的特性，进一步地拓展了功率回退的范围。
一种负载调制融合功率放大器及其设计方法

[发明专利]半导体器件的接触件特征及其形成方法-CN202210795276.8在审
发明人：张佩珊;赵翊翔;黄俊贤;徐鹏皓;李佳杰;张淑兰;郑雅忆;陈靖怡;林威戎;张志维;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成电介质层。在电介质层中形成开口。开口暴露源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成导电内衬。对导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺。表面改性工艺在导电内衬之上形成表面涂层。去除表面涂层，以暴露导电内衬。从开口的侧壁去除导电内衬。以自下而上的方式用导电材料填充开口。导电材料与导电内衬的剩余部分和电介质层实体接触。
半导体器件接触特征及其形成方法

[发明专利]一种新型Doherty功率放大器-CN201911160328.9有效
发明人：程知群;张志维;刘国华;柯华杰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-11-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H03F1/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型Doherty功率放大器。本发明输入信号经所述的功率分配器分成两路后，一路信号直接输入给主功率放大器支路，另外一路先经过第二相位延迟线后再输入给辅功率放大器支路。主功率放大器支路的输出信号经过第一相位延迟线后进入补偿相位及合路网络，辅功率放大器支路的输出信号直接进入补偿相位及合路网络，两路信号通过补偿相位及合路网络后输出。本发明通过补偿传统Doherty功率放大器主辅支路存在相位差，减小了高功率阶段主功放支路功率的泄露以及避免了低功率阶段主功放负载阻抗的减小，提高了Doherty功放的输出功率和效率。
一种新型 doherty 功率放大器

[发明专利]半导体器件的接触特征及其形成方法-CN202210854441.2在审
发明人：陈品彣;钟长廷;赵翊翔;温钰婷;杨凯杰;葛于臣;徐鹏皓;郑雅忆;洪敏修;黄俊贤;林威戎;张志维;蔡明兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的接触特征及其形成方法。一种方法包括在外延源极/漏极区域之上形成电介质层，在电介质层中形成开口。开口暴露外延源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成阻挡层。对开口的侧壁和底部执行氧化工艺。氧化工艺将阻挡层的一部分转化为氧化阻挡层，并将电介质层的与所述氧化阻挡层相邻的部分转化为衬垫层。去除氧化阻挡层。以自下而上的方式用导电材料填充开口，导电材料与衬垫层实体接触。
半导体器件接触特征及其形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法-CN201910531792.8有效
发明人：洪敏修;张阡;赵翊翔;黄鸿仪;张志维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区域，其中栅极结构位于鳍之上并且被第一电介质层围绕；在第一电介质层中形成开口以暴露源极/漏极区域；使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺选择性地在源极/漏极区域上的开口中形成硅化物区域；以及用导电材料填充开口。
场效应晶体管器件及其形成方法

[发明专利]一种基于简化实频方法的放大器匹配网络设计方法-CN201910023289.1有效
发明人：程知群;杨仁好;刘国华;张志维;李素东;陈艺;朱怡超;班冰冰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于简化实频方法的放大器匹配网络设计方法。现有放大器匹配网络设计方法操作复杂繁琐。本发明如下：一、设定平坦增益水平T0；通过用达林顿等效方法，将源、负载阻抗分别等效为[G]、[L]；以[E]来等效匹配网络。二、建立[G]、[E]和[L]级联后的增益T w的表达式。三、建立匹配网络[E]的E11、E12、E21的表达式。四、计算出T w。五、设计出匹配网络。本发明采用实归一化的散射参量矩阵函数描述二端口匹配网络，以散射参量矩阵函数为变量，优化匹配网络的传输功率增益TPG。
一种基于简化方法放大器匹配网络设计

[实用新型]一种架空电缆传输入地固定结构-CN202222826719.3有效
发明人：尹维宣;孙树朋;张志维 -专利权人：吉林省骏天电力工程设计有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02G7/05 文献下载
摘要：本实用新型属于电力设施技术领域，具体为一种架空电缆传输入地固定结构,包括电缆终端杆，所述的电缆终端杆上设有多个不同高度的横担，相邻层的横担两端部之间分别连接一合成绝缘子及避雷器，合成绝缘子与避雷器之间通过连板固定连接，所述连板表面设有固定铝板，该固定铝板抱住经由的引流线，两端通过螺栓固定在连板上；所述引流线的头端固定在一设备线夹上，所述设备线夹固定在户外电缆终端上，所述的电缆终端固定在横担上；所述的电缆终端上引出一电缆入地，该电缆通过户外电缆终端与引线连通。本实用新型的方案保障了引流线与入地电缆成功稳定接续，均不会出现因大风影响，出现的故障及事故问题。
一种架空电缆传输固定结构

[发明专利]晶体管源极/漏极接触件及其形成方法-CN202210739677.1在审
发明人：吴佩雯;黄俊贤;林威戎;张志维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请提供了晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属‑半导体合金区域；在金属‑半导体合金区域上沉积第一导电材料层；沿着接触开口的侧壁以及在所述第一导电材料层之上沉积隔离材料；蚀刻隔离材料以暴露第一导电材料层，其中，在蚀刻隔离材料之后，隔离材料沿着接触开口的侧壁延伸；以及在被暴露的第一导电材料层上沉积第二导电材料层。
晶体管接触及其形成方法

[发明专利]一种自输入控制的负载调制类功率放大器及其实现方法-CN201910062286.9有效
发明人：程知群;张志维;刘国华;柯华杰;李素东;杨仁好 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种自输入控制的负载调制类功率放大器及其实现方法，本发明第三正交耦合器将输入信号均分为两路。第一正交耦合器将一路输出信号通过功率放大电路转化成两路正交信号输出，两路功率放大电路输出的信号再接入第二正交耦合器的输入端后输出给负载。在第二正交耦合器的隔离端接入所需的控制信号进行负载调制的目的。控制信号通过将另一路输出信号进行相位调整和功率放大来实现。本发明通过使用正交耦合器引入控制信号来实现的负载调制类功率放大器，并且该控制信号由输入信号通过控制信号产生电路根据需求产生所需的幅度和相位的控制信号，增大了负载调制类功率放大器的工作带宽，提高了负载调制类功放功率回退范围内的效率。
一种输入控制负载调制功率放大器及其实现方法

[实用新型]一种架空线路光缆悬垂耐张串-CN202222616837.1有效
发明人：刘淼;王佳琳;张志维 -专利权人：吉林省骏天电力工程设计有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02G7/02 文献下载
摘要：本实用新型属于电力设施技术领域，尤其涉及了一种架空线路光缆悬垂耐张串，包括U形环、竖板、三角连接板，连接金具及耐张线夹，U形环，用于固定在悬垂塔上；连接竖板，一端固定在U形环上，另一端固定在三角连接板的顶角处；连接金具，设置为一组，分别固定在三角板的两个底角端上，每个连接金具上连接一个耐张线夹，通过两个耐张线夹将光缆引下至光缆接头盒。本实用新型的优势在于：通过应用本光缆悬垂耐张串可非整耐张段更换光缆，减少检修时长及检修工程量，在悬垂塔上进行光缆熔接，适用于线路因光缆断线后需短时检修完成恢复送电的临时过渡方案。
一种架空线路光缆悬垂耐张串

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